技术特征：
技术总结
本发明揭示了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有多个第一区域以及多个第二区域；在所述衬底上形成多个第一图案，所述第一图案位于所述第一区域上，所述第一图案具有一显露所述第二区域的缺口；在所述衬底上形成一第一调整层；在所述第一调整层上形成一第二调整层，所述第二调整层填补所述缺口；去除所述第一图案上方的第二调整层残留的所述第二调整层与所述第二调整层下方的所述第一调整层共同形成为多个第二图案；去除在所述第一图案与所述第二图案之间的所述第一调整层，在所述第一图案和第二图案之间形成间隙，所述间隙的宽度小于所述第一图案之间的距离，有利于实现小尺寸图案的制备。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：合肥智聚集成电路有限公司
技术研发日：2017.04.18
技术公布日：2017.08.18