显示装置的制作方法

本发明构思的示例性实施例涉及一种显示装置。

背景技术：

有机发光装置可以包括两个电极和位于两个电极之间的有机发光层。从两个电极之一注入的电子和从另一个电极注入的空穴可以在有机发光层中结合以形成激子。当激子发射能量时，有机发光装置可以发光。

有机发光装置可以包括包含有机发光器件的多个像素。可以向每个像素提供布线以向其提供各种信号。这些布线可以以各种方式设置以向每个像素提供信号。

技术实现要素：

根据发明构思的示例性实施例，显示装置包括包含像素区和外围区的基底、设置在像素区中的基底上的多个像素、向像素提供多个数据信号的多条数据线、向像素提供多个扫描信号的多条扫描线、向像素提供第一电压的多条电源线以及第一绝缘层至第三绝缘层。第一绝缘层设置在基底上，第二绝缘层设置在第一绝缘层上，第三绝缘层设置在第二绝缘层上。扫描线在像素区中设置在基底上并在第三绝缘层下方，并且在外围区中设置在第三绝缘层上。

在示例性实施例中，电源线包括设置在像素区中的多条第一电源线以及连接到第一电源线并设置在外围区中的第二电源线。第二电源线沿着像素区的边缘延伸，第二电源线的宽度大于每条第一电源线的宽度。

在示例性实施例中，第二电源线与数据线的一部分叠置。

在示例性实施例中，在像素区中，扫描线基本上在第一方向上延伸，数据线和第一电源线基本上在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

在示例性实施例中，在外围区中，扫描线的一部分在相对于第一方向倾斜的方向上延伸。

在示例性实施例中，在外围区中，数据线的一部分在相对于第二方向倾斜的方向上延伸。

在示例性实施例中，扫描线包括设置在第二绝缘层上的第一桥接件。第一桥接件将设置在基底上并在第三绝缘层下方的扫描线连接到设置在第三绝缘层上的扫描线。

在示例性实施例中，第一桥接件通过穿过第一绝缘层和第二绝缘层的第一接触孔连接到设置在基底上并在第三绝缘层下方的扫描线，并且通过穿过第三绝缘层的第二接触孔连接到设置在第三绝缘层上的扫描线。

在示例性实施例中，数据线在像素区中设置在第二绝缘层上。

在示例性实施例中，数据线在外围区中包括设置在第一绝缘层上的第一数据线和设置在基底上并在第一数据线下方的第二数据线。

在示例性实施例中，第一数据线的至少一部分和第二数据线的至少一部分基本上彼此平行地延伸。

在示例性实施例中，第一数据线和第二数据线彼此交替地布置。

在示例性实施例中，第一数据线通过穿过第二绝缘层的接触孔连接到设置在像素区中的第二绝缘层上的其它数据线。

在示例性实施例中，第二数据线通过穿过第一绝缘层和第二绝缘层的接触孔连接到设置在像素区中的第二绝缘层上的其它数据线。

在示例性实施例中，电源线设置在第二绝缘层上。

在示例性实施例中，显示装置还包括向像素提供多个发射控制信号的多条发射控制线。发射控制线在像素区中设置在基底上并在第三绝缘层下方，并且在外围区中设置在第三绝缘层上。

在示例性实施例中，显示装置还包括设置在外围区中并连接到扫描线的端部的扫描驱动器以及设置在外围区中并连接到发射控制线的端部的发射驱动器。

在示例性实施例中，扫描驱动器设置在发射驱动器与像素区之间。

在示例性实施例中，电源线包括第一电源线和第二电源线，第二电源线设置在像素区的边缘与发射驱动器之间。

在示例性实施例中，显示装置还包括设置在像素区中的第三绝缘层上并连接到电源线的多条附加电源线。

在示例性实施例中，附加电源线通过穿过第三绝缘层的多个接触孔连接到电源线。

根据发明构思的示例性实施例，显示装置包括包含显示区和非显示区的基底、设置在显示区中的基底上的像素、向像素提供数据信号的数据线、向像素提供扫描信号的扫描线、向像素提供第一电压的第一电源线以及第一绝缘层至第三绝缘层。第一绝缘层设置在基底上，第二绝缘层设置在第一绝缘层上，第三绝缘层设置在第二绝缘层上。所述数据线是多条数据线中的一条，并且所述多条数据线中的至少一条数据线设置在非显示区中的基底上。除了所述至少一条数据线之外的数据线设置在第一绝缘层上并在设置在非显示区中的基底上的所述至少一条数据线上方。第一电源线设置在第二绝缘层上，扫描线设置在第三绝缘层上。

根据发明构思的示例性实施例，显示装置包括包含像素区和外围区的基底、设置在像素区中的基底上的多个像素、向像素提供多个数据信号的多条数据线、向像素提供多个扫描信号的多条扫描线、向像素提供第一电压的多条电源线以及第一绝缘层至第三绝缘层。第一绝缘层设置在基底上，第二绝缘层设置在第一绝缘层上，第三绝缘层设置在第二绝缘层上。显示装置还包括向像素提供多个发射控制信号的多条发射控制线。发射控制线在像素区中设置在基底上并在第三绝缘层下方，并且在外围区中设置在第三绝缘层上。

在示例性实施例中，数据线在像素区中设置在第二绝缘层上。

在示例性实施例中，数据线在外围区中包括设置在第一绝缘层上的第一数据线和设置在基底上并在第一数据线下方的第二数据线。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其它特征将变得更加明显，在附图中：

图1是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。

图2是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。

图3是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的组件的框图。

图4是示出根据发明构思的示例性实施例的图1的部分p1的概念性平面图。

图5是示出图4中所示的像素的示例性实施例的示意图。

图6是示出根据发明构思的示例性实施例的图4中所示的像素的平面图。

图7a是根据发明构思的示例性实施例的沿图6的线i-i’截取的剖视图。

图7b是根据发明构思的示例性实施例的沿图6的线ii-ii’截取的剖视图。

图8是示出根据发明构思的示例性实施例的图4的部分p2的平面图。

图9a是根据发明构思的示例性实施例的沿图8的线iii-iii’截取的剖视图。

图9b是根据发明构思的示例性实施例的沿图8的线iv-iv’截取的剖视图。

图9c是根据发明构思的示例性实施例的沿图8的线v-v’截取的剖视图。

具体实施方式

在下文中将参照附图更加充分地描述本发明构思的示例性实施例。在整个附图中，同样的附图标记可以指同样的元件。

将理解的是，这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来将一个元件与另一个元件区分开，但是所述元件不受这些术语的限制。因此，示例性实施例中的“第一”元件可以在另一个示例性实施例中被描述为“第二”元件。除非上下文另外明确地指出，否则这里使用的单数表达包括复数表达。

将理解的是，当诸如膜、区域、层或元件的组件被称作“在”另一个组件“上”、“连接到”另一个组件、“结合到”另一个组件或“邻近于”另一个组件时，该组件能够直接在另一个组件上、直接连接到另一个组件、直接结合到另一个组件或直接邻近于另一个组件，或者可以存在中间组件。还将理解的是，当组件被称作“在”两个组件“之间”时，该组件可以是两个组件之间的唯一组件，或者还可以存在一个或更多个中间组件。

为了便于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……下面”、“在……上方”、“上面的”等的空间相对术语来描述如图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包括除了图中描绘的方位之外装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，那么被描述为“在”其它元件或特征“下方/之下/下面”的元件或特征随后将被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”和“在……下面”可以包括上方和下方两个方位。

将理解的是，当两个组件或方向被描述为基本上彼此平行地或垂直地延伸时，所述两个组件或方向精确地彼此平行地或垂直地延伸，或者如本领域普通技术人员将理解的大致彼此平行地或垂直地延伸。此外，当工艺被描述为基本上同时执行时，将理解的是，所述工艺可以精确地同时执行或者如本领域普通技术人员将理解的大致同时执行。

图1是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。

参照图1，根据示例性实施例的显示装置可以包括基底sub、设置在基底sub上的多个像素pxl、设置在基底sub上的驱动像素pxl的驱动单元以及将像素pxl和驱动单元彼此连接的布线单元。

基底sub可以包括具有基本矩形形状的单个区域。然而，发明构思的示例性实施例不限于此，基底sub中包括的区域的数量可以变化。此外，基底sub的形状可以根据基底sub中包括的区域而变化。根据示例性实施例，基底sub可以包括多个区域。当基底sub上包括多个区域时，多个区域中的至少两个可以具有不同的面积(例如，不同的尺寸)。例如，基底sub可以具有面积不同的两个区域。在示例性实施例中，基底sub可以具有三个不同的区域。在该示例性实施例中，所有三个区域可以具有不同的面积，或者三个区域中的仅两个区域可以具有不同的面积。在示例性实施例中，基底sub可以具有四个或更多个区域。

基底sub可以包括像素区pxa和外围区ppa。像素区pxa在此也可以被称作显示区，外围区ppa在此也可以被称作非显示区。显示图像的像素pxl设置在像素区pxa中。下面将描述每个像素pxl。由于像素pxl不设置在外围区ppa中，所以外围区ppa中不显示图像。驱动像素pxl的驱动单元以及将像素pxl连接到驱动单元的一些布线可以设置在外围区ppa中。外围区ppa可以对应于显示装置的边框，边框的宽度可以由外围区的宽度确定。

基底sub可以具有诸如以具有包括直边的闭合形状的多边形、包括曲边的圆形或椭圆形以及包括直线和曲线的半圆形或半椭圆形为例的各种形状。当基底sub包括多个区域时，每个区域还可以具有诸如以具有包括直边的闭合形状的多边形、包括曲边的圆形或椭圆形以及包括直线和曲线的半圆形或半椭圆形为例的各种形状。将理解的是，上面描述的基底sub和多个区域的形状是示例性的，发明构思不限于此。

当以各种形状设置基底sub时，基底sub的每种形状的角的至少一部分可以具有曲线。例如，相邻直边交汇的部分可以是具有预定曲率的曲线。例如，在示例性实施例中，矩形形状的顶点可以包括具有连接到两个相邻直边的两端并且具有预定曲率的曲边。曲线的曲率可以根据位置而变化。例如，曲率可以根据曲线开始的位置和/或曲线的长度而变化。在下文中，当参照基底sub时，包括曲线的角被称作角部。

像素区pxa可以具有对应于基底sub的形状。

外围区ppa可以靠近像素区pxa设置。根据示例性实施例，如图1中所示，外围区ppa可以围绕像素区pxa。根据示例性实施例，外围区ppa可以包括基本上在宽度方向(例如，方向dr1)上延伸的水平部和基本上在长度方向(例如，方向dr2)上延伸的竖直部。外围区ppa的一对竖直部可以在像素区pxa的宽度方向(例如，方向dr1)上彼此分隔开，外围区ppa的一对水平部可以在像素区pxa的长度方向(例如，方向dr2)上彼此分隔开。

如上所述，像素pxl设置在基底sub的像素区pxa中。每个像素pxl是显示图像的单元。每个像素pxl可以包括例如发射白光和/或具有白色之外的颜色(例如，红色、绿色、蓝色、青色、品红色、黄色等)的光的有机发光器件(oled，或称为有机发光二极管)。

像素pxl可以以包括在第一方向dr1上延伸的行和在第二方向dr2上延伸的列的矩阵形式布置。然而，像素pxl的布置不限于此。例如，在示例性实施例中，一些像素pxl可以在作为行方向的第一方向dr1上布置，其它像素pxl可以在与第一方向dr1不同的方向(例如，倾斜于第一方向dr1的方向)上布置。

驱动单元可以经由布线单元向每个像素pxl提供信号，以控制每个像素pxl的驱动操作。下面描述驱动单元。

驱动单元可以包括经由扫描线向每个像素pxl提供扫描信号的扫描驱动器sdv、经由发射控制线向每个像素pxl提供发射控制信号的发射驱动器edv、经由数据线向每个像素pxl提供数据信号的数据驱动器ddv以及时序控制器。时序控制器可以控制扫描驱动器sdv、发射驱动器edv和数据驱动器ddv。

扫描驱动器sdv可以设置在外围区ppa的上部和下部。例如，扫描驱动器sdv可以设置在外围区ppa的在宽度方向(例如，第一方向dr1)上彼此分隔开的一对竖直部上。扫描驱动器sdv可以设置在外围区ppa的上部和下部中的至少一个中。如图1中所示，扫描驱动器sdv可以在外围区ppa的长度方向上延伸。

根据示例性实施例，扫描驱动器sdv可以直接安装在基底sub上。在示例性实施例中，当扫描驱动器sdv直接安装到基底sub上时，可以在形成像素pxl的同一步骤期间形成扫描驱动器sdv。然而，形成扫描驱动器sdv的位置和方法不限于此。例如，在示例性实施例中，扫描驱动器sdv可以形成在单独的芯片上，并使用玻璃覆晶(cog)安装技术安装在基底sub上。在示例性实施例中，扫描驱动器sdv可以安装在印刷电路板(pcb)上，并通过连接构件连接到基底sub。

如图1中所示，类似于扫描驱动器sdv，发射驱动器edv也可以设置在外围区ppa的竖直部上。发射驱动器edv可以设置在外围区ppa的竖直部中的至少一个中。如图1中所示，发射驱动器edv可以在外围区ppa的长度方向上延伸。

根据示例性实施例，发射驱动器edv可以直接安装在基底sub上。在示例性实施例中，当发射驱动器edv直接安装在基底sub上时，可以在形成像素pxl的同时形成发射驱动器edv。然而，形成发射驱动器edv的位置和方法不限于此。例如，在示例性实施例中，发射驱动器edv可以形成在单独的芯片上，并使用玻璃覆晶(cog)安装技术安装在基底sub上。在示例性实施例中，发射驱动器edv可以安装在印刷电路板(pcb)上并通过连接构件连接到基底sub。

根据图1中示出的示例性实施例，扫描驱动器sdv和发射驱动器edv彼此相邻，并设置在外围区ppa的一对竖直部中的一个竖直部处。然而，发明构思不限于此。例如，扫描驱动器sdv和发射驱动器edv的布置可以变化。例如，在示例性实施例中，扫描驱动器sdv可以设置在外围区ppa的竖直部中的一个竖直部处，发射驱动器edv可以设置在外围区ppa的另一个竖直部处。在示例性实施例中，扫描驱动器sdv可以设置在外围区ppa的两个竖直部处，发射驱动器edv可以设置在外围区ppa的竖直部中的一个竖直部处。

数据驱动器ddv可以设置在外围区ppa中。数据驱动器ddv可以设置在外围区ppa的水平部中。数据驱动器ddv可以在外围区ppa的宽度方向(例如，第一方向dr1)上延伸。

根据示例性实施例，扫描驱动器sdv、发射驱动器edv和/或数据驱动器ddv的位置是可互换的。

时序控制器可以经由各种方法通过布线连接到扫描驱动器sdv、发射驱动器edv和数据驱动器ddv。时序控制器的位置可以变化。例如，在示例性实施例中，时序控制器可以安装在印刷电路板(pcb)上，并通过柔性印刷电路板(pcb)连接到扫描驱动器sdv、发射驱动器edv和数据驱动器ddv。印刷电路板(pcb)可以设置在诸如以基底sub的一侧或基底sub的后表面为例的各种位置处。

根据示例性实施例，基底sub可以根据各个组件的布置而具有不同的形状。

图2是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。

参照图2，基底sub的形状与图1中示出的基底sub的形状不同。例如，图2中示出的基底sub包括从基底sub的一侧突出的附加区ada。

根据示例性实施例，附加区ada可以从外围区ppa的水平部突出。虽然在图2中附加区ada示出为从外围区ppa的底水平部突出，但是发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，附加区ada可以从外围区ppa的上水平部突出。附加区ada可以沿着与附加区ada和水平部之间的边界对应的弯曲线bdl弯曲。在该示例中，当附加区ada被弯曲时，可以减小边框在外围区ppa的水平部处的宽度。

各种组件可以布置在附加区ada中。例如，数据驱动器ddv可以设置在附加区ada中。然而，设置在附加区ada中的组件不限于此。在示例性实施例中，附加区ada可以设置在外围区ppa的与如图2中示出的底水平部不同的部分中，也可以通过使附加区ada弯曲来减小边框的宽度。

图3是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的组件的框图。

参照图3，根据示例性实施例的显示装置可以包括多个像素pxl、驱动单元和布线单元。

如上所述，驱动单元可以包括扫描驱动器sdv、发射驱动器edv、数据驱动器ddv和时序控制器tc。图3中示出的扫描驱动器sdv、发射驱动器edv、数据驱动器ddv和时序控制器tc的位置是示例性的，它们的位置不限于此。当实施实际的显示装置时，可以改变显示装置中的这些位置。

布线单元可以从驱动单元向每个像素pxl提供信号。布线单元可以包括扫描线、数据线、发射控制线、电源线pl和初始化电源线。扫描线可以包括多条扫描线s1至sn，发射控制线可以包括多条发射控制线e1至en。数据线d1至dm和电源线pl可以结合到每个像素pxl。

如上所述，像素pxl设置在像素区pxa中。像素pxl可以结合到扫描线s1至sn、发射控制线e1至en和数据线d1至dm。当从扫描线s1至sn提供扫描信号时，像素pxl可以从数据线d1至dm接收数据信号。接收数据信号的像素pxl可以控制从第一电源elvdd经由例如有机发光器件(oled)流到第二电源elvss的电流的量。

扫描驱动器sdv可以响应于从时序控制器tc接收的第一栅极控制信号gcs1，向扫描线s1至sn提供扫描信号。例如，扫描驱动器sdv可以向扫描线s1至sn顺序地提供扫描信号。当向扫描线s1至sn顺序地提供扫描信号时，可以以水平线为单位顺序地选择像素pxl。

发射驱动器edv可以响应于从时序控制器tc接收的第二栅极控制信号gcs2，向发射控制线e1至en提供发射控制信号。例如，发射驱动器edv可以向发射控制线e1至en顺序地提供发射控制信号。

发射控制信号可以设置为具有比扫描信号更大的宽度。例如，可以将向第i发射控制线ei提供的发射控制信号提供为与向第i-1扫描线si-1提供的扫描信号和向第i扫描线si提供的扫描信号的周期至少部分地重叠。

另外，发射控制信号可以设置为使得包括在像素pxl中的晶体管截止的栅极截止电压(例如，高电压)，扫描信号可以设置为使得包括在像素pxl中的晶体管导通的栅极导通电压(例如，低电压)。

响应于从时序控制器tc接收数据控制信号dcs，数据驱动器ddv可以向数据线d1至dm提供数据信号。提供给数据线d1至dm的数据信号可以被提供给通过扫描信号选择的像素pxl。

时序控制器tc可以将可基于外部提供的时序信号产生的栅极控制信号gcs1和gcs2提供给扫描驱动器sdv和发射驱动器edv，并可以将数据控制信号dcs提供给数据驱动器ddv。

栅极控制信号gcs1和gcs2中的每个可以包括启动脉冲和时钟信号。启动脉冲可以控制第一扫描信号或第一发射控制信号的时序。时钟信号可以用于改变启动脉冲。

数据控制信号dcs可以包括源启动脉冲和时钟信号。源启动脉冲可以控制数据的采样起始点。时钟信号可以用于控制采样操作。

图4是示出根据发明构思的示例性实施例的图1的部分p1的概念性平面图。图4示出了根据发明构思的示例性实施例的像素、布线单元和驱动单元之间的连接关系。图1中由p1表示的区域可以包括像素区pxa的下部的一部分和外围区ppa的下部的一部分。根据示例性实施例，图1中对应于p1的部分也适用于图2。

为了便于解释，图4示出了包括在根据发明构思的示例性实施例的显示装置中的布线单元、扫描线、发射控制线、数据线和电源线的一些但不是全部。在图4中，连接到一个像素pxl的一条扫描线和一条发射控制线分别被称作扫描线s和发射控制线e。另外，数据线和电源线中的一些分别被称作数据线d和电源线pl。

参照图4，基底sub可以被划分为像素区pxa和外围区ppa。像素pxl设置在像素区pxa中。

多个像素行可以设置在像素区pxa中。像素pxl沿第一方向dr1布置在每个像素行中，像素行在第二方向dr2上布置。多个像素列可以设置在像素区pxa中。像素pxl沿第二方向dr2布置在每个像素列中，像素列在第一方向dr1上布置。因此，在示例性实施例中，像素pxl以矩阵形式布置。

像素区pxa可以包括直边和曲边。像素区pxa的角部可以具有曲边。

当与第一方向dr1平行的轴是x轴时，在像素区pxa的除了角部之外的另一个区域中，像素区pxa可以具有每个像素行中的最外侧像素的相同x轴位置，每个像素行中的相同数量的像素以及每个像素行在第一方向dr1上的相同长度。

在像素区pxa的角部中，相对于像素区pxa的其余部分，每个像素行可以包括较少数量的像素。因此，当将像素行的除了角部之外的另一部分处的最外侧像素的x轴位置确定为参考位置时，像素行中的最外侧像素的x轴位置可以在第二方向dr2上远离参考位置。例如，由于像素行在第一方向dr1上的长度l沿第二方向dr2逐渐减小，所以像素区pxa的角部可以具有弯曲的形状。因此，在像素区pxa的角部中，一个像素行中的像素pxl的数量可以变化。在像素区pxa的角部中，更靠近除了角部之外的另一区域的像素行可以包括更多的像素pxl。

虽然为了便于解释在图4中仅示出了像素区pxa的一部分，但是可以以基本上相同的方式形成像素区pxa的其它部分，使得像素区pxa可以具有双侧对称性。布置在每个像素区中的像素行的长度可以沿第二方向dr2逐渐减小。然而，在示例性实施例中，长度可以不以相同的比率减小(或者布置在像素行中的像素pxl的数量以相同的比率减少)。布置在每个像素行中的像素pxl的数量可以根据形成每个像素区的角部的曲线的曲率而变化。

驱动单元可以设置在外围区ppa中，布线单元可以将像素pxl连接到驱动单元。

驱动单元可以包括通过扫描线s连接到像素pxl的扫描驱动器sdv。扫描驱动器sdv可以与像素区pxa相邻设置。

根据示例性实施例，扫描驱动器sdv可以包括多个扫描级sst。每个扫描级sst可以结合到扫描线s中的一条扫描线s。每条扫描线s可以将扫描级sst的输出端子连接到像素行的最外侧像素的扫描信号输入端子。可以响应于时钟信号来驱动扫描级sst。扫描级sst可以具有基本上相同的电路。

扫描驱动器sdv可以是弯曲的以对应于像素区pxa的角部。例如，可以沿着像素区pxa的边缘布置扫描级sst。因此，连接每个扫描级sst的端部的假想线可以是具有预定曲率的曲线。

每个扫描级sst可以对应于设置在像素区pxa中的每个像素行，并且可以向布置在相应像素行中的像素pxl提供扫描信号。

设置在像素区pxa中的扫描线s可以与第一方向dr1基本上平行。例如，扫描级sst的输出端子的位置与像素行的最外侧像素的扫描信号输入端子的位置在第二方向dr2上可以彼此一致。

设置在外围区ppa中的扫描线s可以相对于第一方向dr1基本上平行或倾斜。由于角部的外围区ppa是弯曲的，所以扫描级sst也可以沿着外围区ppa的弯曲部布置。结果，设置在外围区ppa中的扫描线s可以在一个部分处弯曲并相对于第一方向dr1以预定角度倾斜。扫描级sst的输出端子的位置和像素行的最外侧像素的扫描信号输入端子的位置可以彼此不同。

驱动单元还可以包括连接到像素pxl的发射驱动器edv。发射驱动器edv可以与扫描驱动器sdv相邻设置。扫描驱动器sdv可以设置在发射驱动器edv和像素区pxa之间，使得发射驱动器edv比扫描驱动器sdv靠近外边缘设置。

根据示例性实施例，发射驱动器edv可以包括多个发光级est。发射控制线e可以将发光级est的输出端子连接到像素行的最外侧像素的发光信号输入端子。可以响应于时钟信号驱动发光级est。发光级est可以具有基本上相同的电路。

发射驱动器edv可以是弯曲的以对应于像素区pxa的角部。例如，连接每个发光级est的端部的假想线可以是具有预定曲率的曲线。

每个发光级est可以对应于设置在像素区pxa中的每个像素行，并可以向布置在相应像素行中的像素pxl提供发射控制信号。

设置在像素区pxa中的发射控制线e可以与第一方向dr1基本上平行地延伸。例如，发光级est的输出端子的位置与像素行的最外侧像素的发光信号输入端子的位置在第二方向dr2上可以彼此一致。

设置在外围区ppa中的发射控制线e可以相对于第一方向dr1基本上平行或倾斜。设置在外围区ppa中的发射控制线e的一组端部可以连接到像素pxl，发射控制线e的另一组端部可以连接到发光级est。由于对应于角部的外围区ppa是弯曲的，所以发光级est也可以沿着外围区ppa的弯曲部弯曲。结果，设置在外围区ppa中的发射控制线e可以在一个部分处弯曲并相对于第一方向dr1以预定角度倾斜。发光级est的输出端子的位置和像素行的最外侧像素的发光信号输入端子的位置可以彼此不同。

为了便于解释，在图4中扫描线s仅连接到每个像素行的最外侧像素。然而发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，扫描线s可以连接到设置在每个像素行中的所有像素pxl。另外，发射控制线e可以连接到设置在每个像素行中的所有像素pxl。

图1中示出的数据驱动器ddv可以设置在外围区ppa中。每个像素列可以连接到与其对应的数据线d。数据线d可以连接到数据驱动器ddv。为了便于解释，在图4中每条数据线d仅结合到每个像素列的最外侧像素。然而，发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，每条数据线d可以连接到设置在每个像素列中的所有像素pxl。同一列中的像素可以共享同一数据线。在像素区pxa中，数据线d可以沿第二方向dr2延伸。在外围区ppa中，数据线d可以基本上沿第二方向dr2延伸。然而，数据线d可以在一个部分处弯曲并在相对于第二方向dr2倾斜的方向上延伸。数据线d可以沿数据驱动器ddv的方向延伸和聚集，并可以在像素方向上形成从数据驱动器ddv扩展的数据线扇出单元。

每个像素列可以连接到与其对应的电源线pl。电源线pl可以包括设置在像素区pxa中的第一电源线pl1和连接到第一电源线pl1并设置在外围区ppa中的第二电源线pl2。

如图4中所示，在示例性实施例中，第二电源线pl2可以具有比第一电源线pl1大的宽度，并可以沿着像素区pxa的边缘延伸。第一电源线pl1可以从第二电源线pl2分支并连接到相应的像素列。电源线pl可以从第一电源elvdd(见图3)向像素pxl提供第一电压。为了便于解释，在图4中第一电源线pl1仅连接到各个像素列的最外侧像素。然而，发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，每条第一电源线pl1可以连接到设置在每个像素列中的所有像素pxl。同一列中的像素可以共享同一第一电源线pl1。

根据示例性实施例，可以设置将由第二电源elvss(见图3)提供的第二电压施加到发射驱动器edv的边缘的布线。

图5是示出图4中所示的像素pxl的示例性实施例的示意图。为了便于解释，图5示出了连接到第m数据线dm和第i扫描线si的像素pxl。

参照图5，根据示例性实施例，像素pxl可以包括有机发光二极管oled、第一晶体管t1至第七晶体管t7和存储电容器cst。

有机发光二极管oled的阳极可以经由第六晶体管t6连接到第一晶体管t1，其阴极可以连接到第二电源elvss。有机发光二极管oled可以产生具有与从第一晶体管t1提供的电流量相对应的预定亮度的光。

由第一电源elvdd提供的第一电压可以设置为比由第二电源elvss提供的第二电压大的电压，使电流流过有机发光二极管oled。

第七晶体管t7可以结合在初始化电源vint与有机发光二极管oled的阳极之间。另外，第七晶体管t7的栅电极可以结合到第i+1扫描线si+1。当向第i+1扫描线si+1提供扫描信号时，第七晶体管t7可以导通，以向有机发光二极管oled的阳极提供初始化电源vint的电压。初始化电源vint可以设置为比数据信号低的电压。

第六晶体管t6可以连接在第一晶体管t1与有机发光二极管oled之间。另外，第六晶体管t6的栅电极可以连接到第i发射控制线ei。当向第i发射控制线ei提供发射控制信号时，第六晶体管t6可以截止，并在其余时间段期间导通。

第五晶体管t5可以结合在第一电源elvdd与第一晶体管t1之间。另外，第五晶体管t5的栅电极可以结合到第i发射控制线ei。当向第i发射控制线ei提供发射控制信号时，第五晶体管t5可以截止，并且在其余时间段期间导通。

第一晶体管t1(例如，驱动晶体管)的第一电极可以经由第五晶体管t5连接到第一电源elvdd，其第二电极可以通过第六晶体管t6结合到有机发光二极管oled的阳极。另外，第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以响应于第一节点n1处的电压控制从第一电源elvdd通过有机发光二极管oled流向第二电源elvss的电流量。

第三晶体管t3可以结合在第一晶体管t1的第二电极与第一节点n1之间。另外，第三晶体管t3的栅电极可以连接到第i扫描线si。当向第i扫描线si提供扫描信号时，第三晶体管t3可以导通，以将第一晶体管t1的第二电极电连接到第一节点n1。因此，当第三晶体管t3导通时，第一晶体管t1可以以二极管方式连接。

第四晶体管t4可以连接在第一节点n1与初始化电源vint之间。另外，第四晶体管t4的栅电极可以结合到第i-1扫描线si-1。当向第i-1扫描线si-1提供扫描信号时，第四晶体管t4可以导通，并可以向第一节点n1提供初始化电源vint的电压。

第二晶体管t2可以结合在第m数据线dm和第一晶体管t1的第一电极之间。另外，第二晶体管t2的栅电极可以结合到第i扫描线si。当向第i扫描线si提供扫描信号时，第二晶体管t2可以导通，以将第m数据线dm电连接到第一晶体管t1的第一电极。

存储电容器cst可以结合在第一电源elvdd和第一节点n1之间。存储电容器cst可以存储数据信号和第一晶体管t1的阈值电压。

图6是示出根据发明构思的示例性实施例的图4中所示的像素pxl的详细平面图。图7a是根据发明构思的示例性实施例的沿图6的线i-i’截取的剖视图。图7b是根据发明构思的示例性实施例的沿图6的线ii-ii’截取的剖视图。

如图6、图7a和图7b中所示，当将像素pxl中的布置在像素区pxa中的第i行和第j列中的一个像素pxl确定为参考像素时，示出了结合到所述一个像素pxl的三条扫描线si-1、si和si+1、发射控制线ei、电源线pl、附加电源线pl’以及数据线dj。为了便于解释，在图7a和图7b中，第i-1行中的扫描线被称作第i-1扫描线si-1，第i行中的扫描线被称作第i扫描线si，第i+1行中的扫描线被称作第i+1扫描线si+1，第i行中的发射控制线被称作发射控制线ei，第j列中的数据线被称作数据线dj，第j电源线和附加电源线分别被称作电源线pl和附加电源线pl’。

参照图4至图6、图7a和图7b，显示装置可以包括基底sub、布线单元和像素pxl。

基底sub可以包括诸如以玻璃或树脂为例的绝缘材料。另外，如上所述，基底sub可以包括具有柔性的材料，使得基底sub的一部分可以弯曲或折叠。基底sub可以具有例如单层结构或多层结构。

例如，基底sub可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和醋酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，发明构思不限于此，除了上述材料之外，基底sub可以包括各种其它材料。例如，基底sub可以包括玻璃纤维增强塑料(frp)。

布线单元可以向每个像素pxl提供信号，并且可以包括扫描线si-1、si和si+1、数据线dj、发射控制线ei、电源线pl、附加电源线pl’以及初始化电源线ipl。

扫描线si-1、si和si+1可以沿第一方向dr1延伸，并且可以包括在第二方向dr2上顺序地布置的第i-1扫描线si-1、第i扫描线si和第i+1扫描线si+1。可以将扫描信号施加到扫描线si-1、si和si+1。例如，可以将第i-1扫描信号施加到第i-1扫描线si-1，可以将第i扫描信号施加到第i扫描线si，可以将第i+1扫描信号施加到第i+1扫描线si+1。

发射控制线ei可以在第一方向dr1上延伸，并且可以在第i扫描线si和第i+1扫描线si+1之间与第i扫描线si和第i+1扫描线si+1分开。可以将发射控制信号施加到发射控制线ei。

数据线dj可以沿第二方向dr2延伸，并且可以在第一方向dr1上顺序地布置。可以将数据信号施加到数据线dj。

电源线pl可以在第二方向dr2上延伸，并且可以与数据线dj分开。可以将由第一电源elvdd提供的第一电压施加到电源线pl。

附加电源线pl’可以与电源线pl叠置，并且可以连接到电源线pl。结果，可以将由第一电源elvdd提供的相同的第一电压通过第十一接触孔ch11施加到附加电源线pl’。

初始化电源线ipl可以在第一方向dr1上延伸，并且可以设置在第i+1扫描线si+1与下一行中的像素的第i-1扫描线si-1之间。可以将初始化电源vint施加到初始化电源线ipl。

每个像素pxl可以包括第一晶体管t1至第七晶体管t7、存储电容器cst和有机发光器件oled。

第一晶体管t1可以包括第一栅电极ge1、第一有源图案act1、第一源电极se1、第一漏电极de1和连接线cnl。

第一栅电极ge1可以结合到第三晶体管t3(例如，t3a/t3b)的第三漏电极de3(例如，de3a/de3b)和第四晶体管t4(例如，t4a/t4b)的第四漏电极de4(例如，de4a/de4b)。连接线cnl可以将第一栅电极ge1、第三漏电极de3和第四漏电极de4彼此连接。连接线cnl的一端可以通过第一接触孔ch1连接到第一栅电极ge1。连接线cnl的另一端可以通过第二接触孔ch2连接到第三漏电极de3和第四漏电极de4。

根据示例性实施例，第一有源图案act1、第一源电极se1和第一漏电极de1中的每个可以包括掺杂或未掺杂有杂质的半导体层。第一源电极se1和第一漏电极de1中的每个可以包括掺杂有杂质的半导体层。第一有源图案act1可以包括未掺杂有杂质的半导体层。

第一有源图案act1可以具有例如沿预定方向延伸的条形状，并且可以在长度方向上弯曲若干次。当在平面上观察时，第一有源图案act1可以与第一栅电极ge1叠置。由于第一有源图案act1形成为具有相对大的长度，所以第一晶体管t1的沟道区可以具有相对大的长度。因此，可以加宽施加到第一晶体管t1的栅极电压的驱动范围。结果，可以精细地控制从有机发光器件oled发射的光的灰度级。

第一源电极se1可以连接到第一有源图案act1的一端、第二晶体管t2的第二漏电极de2和第五晶体管t5的第五漏电极de5。第一漏电极de1可以连接到第一有源图案act1的另一端、第三晶体管t3(例如，t3a/t3b)的第三源电极se3(例如，se3a/se3b)和第六晶体管t6的第六源电极se6。

第二晶体管t2可以包括第二栅电极ge2、第二有源图案act2、第二源电极se2和第二漏电极de2。

第二栅电极ge2可以连接到第i扫描线si。第二栅电极ge2可以设置为第i扫描线si的一部分，或者可以从第i扫描线si突出。根据示例性实施例，第二有源图案act2、第二源电极se2和第二漏电极de2中的每个可以包括掺杂或未掺杂有杂质的半导体层。第二源电极se2和第二漏电极de2中的每个可以包括掺杂有杂质的半导体层。第二有源图案act2可以包括未掺杂有杂质的半导体层。第二有源图案act2可以与第二栅电极ge2对应于叠置部分。第二源电极se2的一端可以连接到第二有源图案act2，第二源电极se2的另一端可以通过第六接触孔ch6连接到数据线dj。第二漏电极de2的一端可以连接到第二有源图案act2，第二漏电极de2的另一端可以连接到第一晶体管t1的第一源电极se1和第五晶体管t5的第五漏电极de5。

第三晶体管t3可以具有双栅结构。结果，可以防止或减少漏电流。例如，第三晶体管t3可以包括第3a晶体管t3a和第3b晶体管t3b。第3a晶体管t3a可以包括第3a栅电极ge3a、第3a有源图案act3a、第3a源电极se3a和第3a漏电极de3a。第3b晶体管t3b可以包括第3b栅电极ge3b、第3b有源图案act3b、第3b源电极se3b和第3b漏电极de3b。这里，第3a栅电极ge3a和第3b栅电极ge3b可以被称作第三栅电极ge3，第3a有源图案act3a和第3b有源图案act3b可以被称作第三有源图案act3，第3a源电极se3a和第3b源电极se3b可以被称作第三源电极se3，第3a漏电极de3a和第3b漏电极de3b可以被称作第三漏电极de3。

第三栅电极ge3可以连接到第i扫描线si。第三栅电极ge3可以设置为第i扫描线si的一部分，或者可以从第i扫描线si突出。根据示例性实施例，第三有源图案act3、第三源电极se3和第三漏电极de3中的每个可以包括掺杂或未掺杂有杂质的半导体层。第三源电极se3和第三漏电极de3中的每个可以包括掺杂有杂质的半导体层，第三有源图案act3可以包括未掺杂有杂质的半导体层。第三有源图案act3可以与第三栅电极ge3对应于叠置部分。第三源电极se3的一端可以连接到第三有源图案act3，第三源电极se3的另一端可以连接到第一晶体管t1的第一漏电极de1和第六晶体管t6的第六源电极se6。第三漏电极de3的一端可以连接到第三有源图案act3，第三漏电极de3的另一端可以连接到第四晶体管t4的第四漏电极de4。第三漏电极de3还可以通过第一接触孔ch1和第二接触孔ch2连接到连接线cnl和第一晶体管t1的第一栅电极ge1。

第四晶体管t4可以具有双栅结构。结果，可以防止或减少漏电流。例如，第四晶体管t4可以包括第4a晶体管t4a和第4b晶体管t4b。第4a晶体管t4a可以包括第4a栅电极ge4a、第4a有源图案act4a、第4a源电极se4a和第4a漏电极de4a。第4b晶体管t4b可以包括第4b栅电极ge4b、第4b有源图案act4b、第4b源电极se4b和第4b漏电极de4b。这里，第4a栅电极ge4a和第4b栅电极ge4b可以被称作第四栅电极ge4，第4a有源图案act4a和第4b有源图案act4b可以被称作第四有源图案act4，第4a源电极se4a和第4b源电极se4b可以被称作第四源电极se4，第4a漏电极de4a和第4b漏电极de4b可以被称作第四漏电极de4。

第四栅电极ge4可以连接到第i-1扫描线si-1。第四栅电极ge4可以设置为第i-1扫描线si-1的一部分，或者可以从第i-1扫描线si-1突出。第四有源图案act4、第四源电极se4和第四漏电极de4中的每个可以包括掺杂或未掺杂有杂质的半导体层。第四源电极se4和第四漏电极de4中的每个可以包括掺杂有杂质的半导体层。第四有源图案act4可以包括未掺杂有杂质的半导体层。第四有源图案act4可以与第四栅电极ge4对应于叠置部分。第四源电极se4的一端可以连接到第四有源图案act4，第四源电极se4的另一端可以连接到前一行中的像素的初始化电源线ipl和第七晶体管t7的第七漏电极de7。辅助连接线aux可以设置在第四源电极se4与初始化电源线ipl之间。辅助连接线aux的一端可以通过第九接触孔ch9连接到第四源电极se4。辅助连接线aux的另一端可以通过前一行中的第八接触孔ch8连接到前一行中的初始化电源线ipl。第四漏电极de4的一端可以连接到第四有源图案act4，第四漏电极de4的另一端可以连接到第三晶体管t3的第三漏电极de3。第四漏电极de4可以通过第二接触孔ch2和第一接触孔ch1连接到连接线cnl和第一晶体管t1的第一栅电极ge1。

第五晶体管t5可以包括第五栅电极ge5、第五有源图案act5、第五源电极se5和第五漏电极de5。

第五栅电极ge5可以连接到发射控制线ei。第五栅电极ge5可以设置为发射控制线ei的一部分，或者可以从发射控制线ei突出。第五有源图案act5、第五源电极se5和第五漏电极de5中的每个可以包括掺杂或未掺杂有杂质的半导体层。第五源电极se5和第五漏电极de5中的每个可以包括掺杂有杂质的半导体层。第五有源图案act5可以包括未掺杂有杂质的半导体层。第五有源图案act5可以与第五栅电极ge5对应于叠置部分。第五源电极se5的一端可以连接到第五有源图案act5，第五源电极se5的另一端可以通过第五接触孔ch5连接到电源线pl。第五漏电极de5的一端可以连接到第五有源图案act5，第五漏电极de5的另一端可以连接到第一晶体管t1的第一源电极se1和第二晶体管t2的第二漏电极de2。

第六晶体管t6可以包括第六栅电极ge6、第六有源图案act6、第六源电极se6和第六漏电极de6。

第六栅电极ge6可以连接到发射控制线ei。第六栅电极ge6可以设置为发射控制线ei的一部分，或者可以从发射控制线ei突出。第六有源图案act6、第六源电极se6和第六漏电极de6中的每个可以包括掺杂或未掺杂有杂质的半导体层。第六源电极se6和第六漏电极de6中的每个可以包括掺杂有杂质的半导体层。第六有源图案act6可以包括未掺杂有杂质的半导体层。第六有源图案act6可以与第六栅电极ge6对应于叠置部分。第六源电极se6的一端可以连接到第六有源图案act6，第六源电极se6的另一端可以连接到第一晶体管t1的第一漏电极de1和第三晶体管t3的第三源电极se3。第六漏电极de6的一端可以连接到第六有源图案act6，第六漏电极de6的另一端可以连接到第七晶体管t7的第七源电极se7。

第七晶体管t7可以包括第七栅电极ge7、第七有源图案act7、第七源电极se7和第七漏电极de7。

第七栅电极ge7可以结合到第i+1扫描线si+1。第七栅电极ge7可以设置为第i+1扫描线si+1的一部分，或者可以从第i+1扫描线si+1突出。第七有源图案act7、第七源电极se7和第七漏电极de7中的每个可以包括掺杂或未掺杂有杂质的半导体层。第七源电极se7和第七漏电极de7中的每个可以包括掺杂有杂质的半导体层。第七有源图案act7可以包括未掺杂有杂质的半导体层。第七有源图案act7可以与第七栅电极ge7对应于叠置部分。第七源电极se7的一端可以连接到第七有源图案act7，第七源电极se7的另一端可以连接到第六晶体管t6的第六漏电极de6。第七漏电极de7的一端可以连接到第七有源图案act7，第七漏电极de7的另一端可以连接到初始化电源线ipl。第七漏电极de7还可以连接到下一行中的像素的第四晶体管t4的第四源电极se4。第七漏电极de7和初始化电源线ipl可以通过辅助连接线aux、第八接触孔ch8和第九接触孔ch9连接到下一行中的像素的第四晶体管t4的第四源电极se4。

存储电容器cst可以包括下电极le和上电极ue。下电极le可以包括第一晶体管t1的第一栅电极ge1。

上电极ue可以与第一栅电极ge1叠置，并且可以覆盖下电极le的至少一部分。通过增大上电极ue与下电极le之间的叠置面积，可以增大存储电容器cst的容量。上电极ue可以在第一方向dr1上延伸。根据示例性实施例，可以将具有与第一电源elvdd的电压电平相同的电压电平的电压施加到上电极ue。上电极ue可以具有开口opn，在开口opn中第一栅电极ge1和连接线cnl通过第一接触孔ch1彼此接触。

有机发光器件oled可以包括阳极ad、阴极cd以及设置在阳极ad和阴极cd之间的发射层eml。

阳极ad可以对应于每个像素pxl设置在像素区pxa中。阳极ad可以通过第十二接触孔ch12、第七接触孔ch7和第十接触孔ch10连接到第七晶体管t7的第七源电极se7和第六晶体管t6的第六漏电极de6。桥接图案brp可以设置在第七接触孔ch7与第十接触孔ch10之间。桥接图案brp可以将第六漏电极de6和第七源电极se7连接到阳极ad。

仍然参照图6、图7a和图7b，这里将根据堆叠顺序描述根据示例性实施例的显示装置的结构。

首先，有源图案act1至act7(在下文中被称作act)可以设置在基底sub之上。有源图案act可以包括第一有源图案act1至第七有源图案act7。第一有源图案act1至第七有源图案act7可以包括半导体材料。

缓冲层可以设置在基底sub与第一有源图案act1至第七有源图案act7之间。

栅极绝缘层gi可以设置在其上形成有第一有源图案act1至第七有源图案act7的基底sub上。因此，栅极绝缘层gi可以设置在第一有源图案act1至第七有源图案act7上。

第i-1扫描线si-1至第i+1扫描线si+1、发射控制线ei、第一栅电极ge1至第七栅电极ge7可以设置在栅极绝缘层gi上。第一栅电极ge1可以是存储电容器cst的下电极le。第二栅电极ge2和第三栅电极ge3可以与第i扫描线si一体地形成。第四栅电极ge4可以与第i-1扫描线si-1一体地形成。第五栅电极ge5和第六栅电极ge6可以与发射控制线ei一体地形成。第七栅电极ge7可以与第i+1扫描线si+1一体地形成。

第一绝缘层il1可以设置在其上形成有第i-1扫描线si-1的基底sub上。

存储电容器cst的上电极ue以及初始化电源线ipl可以设置在第一绝缘层il1上。上电极ue可以覆盖下电极le的至少一部分，并且可以与下电极le一起形成存储电容器cst。第一绝缘层il1可以设置在上电极ue与下电极le之间。

第二绝缘层il2可以设置在其上形成有上电极ue的基底sub上。因此，第二绝缘层il2可以设置在上电极ue上。

第j数据线dj、电源线pl、连接线cnl、辅助连接线aux和桥接图案brp可以设置在第二绝缘层il2上。

第j数据线dj可以通过穿过第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和栅极绝缘层gi的第六接触孔ch6连接到第二源电极se2。电源线pl可以通过穿过第二绝缘层il2的第三接触孔ch3和第四接触孔ch4连接到存储电容器cst的上电极ue。

电源线pl可以通过穿过第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和栅极绝缘层gi的第五接触孔ch5连接到第五源电极se5。

连接线cnl可以通过穿过第一绝缘层il1和第二绝缘层il2的第一接触孔ch1连接到第一栅电极ge1。连接线cnl可以通过穿过栅极绝缘层gi、第一绝缘层il1和第二绝缘层il2的第二接触孔ch2连接到第三漏电极de3和第四漏电极de4。

辅助连接线aux可以通过穿过第二绝缘层il2的第八接触孔ch8连接到初始化电源线ipl。辅助连接线aux可以通过穿过栅极绝缘层gi、第一绝缘层il1和第二绝缘层il2的第九接触孔ch9连接到第四源电极se4和前一行中的第七漏电极de7。

桥接图案brp可以是设置在第六漏电极de6和阳极ad之间的将第六漏电极de6电连接到阳极ad的介质。桥接图案brp可以通过穿过栅极绝缘层gi、第一绝缘层il1和第二绝缘层il2的第七接触孔ch7连接到第六漏电极de6和第七源电极se7。

第三绝缘层il3可以设置在其上形成有第j数据线dj的基底sub上。第三绝缘层il3可以设置在电源线pl、连接线cnl、桥接图案brp和辅助连接线aux上。

附加电源线pl’可以设置在第三绝缘层il3上。附加电源线pl’可以在没有延迟的情况下将由第一电源elvdd提供的第一电压稳定地提供给电源线pl，并且可以减小施加到电源线pl的电阻。附加电源线pl’可以在第二方向dr2上纵向地延伸，并可以与电源线pl叠置。附加电源线pl’可以通过穿过第三绝缘层il3的第十一接触孔ch11连接到电源线pl。

钝化层psv可以设置在第三绝缘层il3上。附加电源线pl’可以设置在钝化层psv与第三绝缘层il3之间。

阳极ad可以设置在钝化层psv上。阳极ad可以通过穿过钝化层psv的第十二接触孔ch12和穿过第三绝缘层il3的第十接触孔ch10连接到桥接图案brp。由于桥接图案brp通过第七接触孔ch7连接到第六漏电极de6和第七源电极se7，所以阳极ad可以电连接到第六漏电极de6和第七源电极se7。

划分像素区pxa以对应于每个像素pxl的像素限定层pdl可以设置在其上形成有阳极ad的基底sub上。像素限定层pdl可以暴露阳极ad的顶表面，并可以沿着像素pxl的周围从基底sub突出。

发射层eml可以设置在由像素限定层pdl围绕的像素区pxa中。阴极cd可以设置在发射层eml上。

包封层slm可以设置在阴极cd上。包封层slm可以覆盖阴极cd。

图8是示出根据发明构思的示例性实施例的图4的部分p2的平面图。图9a是根据发明构思的示例性实施例的沿图8的线iii-iii’截取的剖视图。图9b是根据发明构思的示例性实施例的沿图8的线iv-iv’截取的剖视图。图9c是根据发明构思的示例性实施例的沿图8的线v-v’截取的剖视图。

图8和图9a至图9c示出了根据发明构思的示例性实施例的显示装置的布线之间的连接关系。为了便于解释，示出了包括在根据发明构思的示例性实施例的显示装置中的布线单元、扫描线、发射控制线、数据线和电源线的一些但不是全部。连接到一个像素的一条扫描线以及发射控制线被示出，并分别被称作扫描线s和发射控制线e。另外，数据线和电源线中的一些被称作数据线d和电源线pl。

在下文中，将参照图8和图9a至图9c描述根据发明构思的示例性实施例的各个布线之间的连接关系。

如图8中所示，扫描线s可以基本上沿第一方向dr1从像素区pxa延伸到外围区ppa(中)。根据扫描线s在角部处的位置，扫描线s可以沿相对于第一方向dr1倾斜的方向弯曲然后进一步延伸。图8示出沿相对于第一方向dr1倾斜的方向弯曲的扫描线s。

扫描线s可以在像素区pxa中设置在栅极绝缘层gi上。例如，在示例性实施例中，扫描线s可以在像素区pxa中直接设置在栅极绝缘层gi上并且直接接触栅极绝缘层gi。每条扫描线s包括设置在栅极绝缘层gi上的第一部分sa、设置在第二绝缘层il2上的第一桥接件br1和设置在外围区ppa中的第三绝缘层il3上的第二部分sb。例如，在示例性实施例中，每条扫描线s包括直接设置在栅极绝缘层gi上的第一部分sa、直接设置在第二绝缘层il2上的第一桥接件br1和直接设置在外围区ppa中的第三绝缘层il3上的第二部分sb。因此，如图8和图9a中所示，在示例性实施例中，扫描线s在像素区pxa中设置在基底sub上并在第三绝缘层il3下方，并且在外围区ppa中设置在第三绝缘层il3上。

第一桥接件br1将扫描线s的第一部分sa连接到扫描线s的第二部分sb。第一桥接件br1通过穿过第一绝缘层il1和第二绝缘层il2的第12a接触孔ch12a连接到扫描线s的第一部分sa，并且通过穿过第三绝缘层il3的第12b接触孔ch12b连接到扫描线s的第二部分sb。如图9a中所示，在示例性实施例中，第一桥接件br1设置在扫描线s的第一部分sa与扫描线s的第二部分sb之间。

发射控制线e可以基本上沿第一方向dr1从像素区pxa延伸到外围区ppa中。发射控制线e可以与扫描线s分隔开预定距离。一些发射控制线e可以与扫描线s基本上平行地延伸。根据发射控制线e在角部处的位置，发射控制线e可以沿相对于第一方向dr1倾斜的方向弯曲，或者可以沿相对于第一方向dr1倾斜的方向延伸。图8示出了发射控制线e相对于第一方向dr1弯曲的示例性实施例。

发射控制线e可以与扫描线s设置在同一层上。根据示例性实施例，例如，如图7a中所示，发射控制线e在像素区pxa中设置在栅极绝缘层gi上。发射控制线e可以以与扫描线s基本上相同的方式连接。例如，发射控制线e可以包括设置在像素区pxa中的栅极绝缘层gi上的第一部分ea(例如，再参见图7a中的发射控制线ei)、设置在第二绝缘层il2上的第二桥接件br2以及设置在外围区ppa中的第三绝缘层il3上的第二部分eb。例如，在示例性实施例中，发射控制线e可以包括直接设置在像素区pxa中的栅极绝缘层gi上的第一部分ea(例如，再参见图7a中的发射控制线ei)、直接设置在第二绝缘层il2上的第二桥接件br2以及直接设置在外围区ppa中的第三绝缘层il3上的第二部分eb。

第二桥接件br2可以将发射控制线e的第一部分ea和发射控制线e的第二部分eb连接。第二桥接件br2可以通过穿过第一绝缘层il1和第二绝缘层il2的第13a接触孔ch13a连接到发射控制线e的第一部分ea，并且通过穿过第三绝缘层il3的第13b接触孔ch13b连接到发射控制线e的第二部分eb。

数据线d可以基本上沿第二方向dr2从像素区pxa延伸到外围区ppa中。根据在角部处的位置，数据线d可以沿相对于第二方向dr2倾斜的方向弯曲然后进一步延伸。图8示出了数据线d沿相对于第二方向dr2倾斜的方向弯曲并朝向右侧延伸的示例。

在示例性实施例中，数据线d在像素区pxa中设置在第二绝缘层il2上(例如见图7b中的dj)。在示例性实施例中，数据线d在外围区ppa中包括设置在第一绝缘层il1上的第一数据线da和设置在栅极绝缘层gi上的第二数据线db。

从像素区pxa延伸的一些数据线d可以通过穿过第二绝缘层il2的第14a接触孔ch14a和第14b接触孔ch14b(第14a接触孔ch14a和第14b接触孔ch14b可以被称作接触孔ch14)连接到第一数据线da。在示例性实施例中，单个接触孔可以代替接触孔ch14a和ch14b。从像素区pxa延伸的其它数据线d可以通过穿过第一绝缘层il1和第二绝缘层il2的第15a接触孔ch15a和第15b接触孔ch15b(第15a接触孔ch15a和第15b接触孔ch15b可以被称作接触孔ch15)连接到第二数据线db。在示例性实施例中，单个接触孔可以代替接触孔ch15a和ch15b。

第一数据线da和第二数据线db可以彼此分开并彼此交替。第一数据线da和第二数据线db中的至少一些可以延伸为彼此基本上平行。

电源线pl可以包括设置在像素区pxa中的第一电源线pl1和连接到第一电源线pl1并设置在外围区ppa中的第二电源线pl2。

第一电源线pl1可以在像素区pxa中基本上沿第二方向dr2延伸。第二电源线pl2可以沿着像素区pxa的边缘延伸。第一电源线pl1可以从第二电源线pl2分支出。

在像素区pxa和外围区ppa中，电源线pl可以设置在第二绝缘层il2上。

在下文中，将根据堆叠顺序描述外围区ppa的布线单元的结构。

首先，栅极绝缘层gi可以设置在基底sub上。

缓冲层可以设置在基底sub与栅极绝缘层gi之间。

扫描线s的第一部分sa、发射控制线e的第一部分ea以及从像素区pxa延伸的第二数据线db可以设置在栅极绝缘层gi上。在用于形成扫描线s的相同的工艺期间，可以使用与像素区pxa中的扫描线s相同的材料形成扫描线s的第一部分sa、发射控制线e的第一部分ea以及第二数据线db。因此，扫描线s的第一部分sa、发射控制线e的第一部分ea以及第二数据线db可以与像素区pxa中的扫描线s形成在同一层上。

第一绝缘层il1可以设置在其上形成有扫描线s的第一部分sa、发射控制线e的第一部分ea以及第二数据线db的基底sub上。

第一数据线da可以设置在第一绝缘层il1上。通过使用相同的材料执行相同的工艺，第一数据线da可以与形成在像素区pxa中的初始化电源线ipl和存储电容器cst的上电极ue基本上同时地形成。因此，第一数据线da可以与像素区pxa中的初始化电源线ipl和存储电容器cst的上电极ue形成在同一层上。

第二绝缘层il2可以设置在其上形成有第一数据线da的第一绝缘层il1上。

第一电源线pl1、第二电源线pl2以及第一桥接件br1和第二桥接件br2可以设置在第二绝缘层il2上。第一桥接件br1可以通过穿过第一绝缘层il1和第二绝缘层il2的第12a接触孔ch12a连接到扫描线s的第一部分sa。第二桥接件br2可以通过穿过第一绝缘层il1和第二绝缘层il2的第13a接触孔ch13a连接到发射控制线e的第一部分ea。

第二电源线pl2可以形成为在延伸方向上具有相对大的宽度，以在外围区ppa中至少部分地覆盖第一数据线da和第二数据线db。

通过使用相同的材料执行相同的工艺，第一电源线pl1、第二电源线pl2以及第一桥接件br1和第二桥接件br2可以与在像素区pxa中形成数据线d和电源线pl基本上同时地形成。因此，第一电源线pl、第二电源线pl2以及第一桥接件br1和第二桥接件br2可以与像素区pxa中的数据线d和电源线pl形成在同一层上。

第三绝缘层il3可以设置在其上形成有第一电源线pl1、第二电源线pl2以及第一桥接件br1和第二桥接件br2的第二绝缘层il2上。

扫描线s的第二部分sb和发射控制线e的第二部分eb可以设置在第三绝缘层il3上。扫描线s的第二部分sb可以通过穿过第三绝缘层il3的第12b接触孔ch12b连接到第一桥接件br1。发射控制线e的第二部分eb可以通过穿过第三绝缘层il3的第13b接触孔ch13b连接到第二桥接件br2。

通过使用相同的材料执行相同的工艺，扫描线s的第二部分sb和发射控制线e的第二部分eb可以与在像素区pxa中形成附加电源线pl’基本上同时地形成。因此，扫描线s的第二部分sb和发射控制线e的第二部分eb可以与像素区pxa中的附加电源线pl’形成在同一层上。

钝化层psv可以设置在其上形成有扫描线s的第二部分sb和发射控制线的第二部分eb的第三绝缘层il3上。包封层slm可以设置在钝化层psv上。根据示例性实施例，可以在第三绝缘层il3和钝化层psv之间以及在钝化层psv和包封层slm之间另外设置各种层。在示例性实施例中，可以省略包封层slm。

根据发明构思的示例性实施例，当外围区具有上述布线结构时，可以防止各个布线之间的短路。根据示例性实施例，由于扫描线形成在第三绝缘层上，而不形成在栅极绝缘层或第一绝缘层上，所以可以防止设置在第二绝缘层上的布线与设置在第三绝缘层上的布线之间的短路。

根据比较例，数据线可以与扫描线同时设置，发射控制线可以在外围区中设置在栅极绝缘层和/或第一绝缘层上。在比较例中，为了减小边框的宽度，会逐渐减小外围区的面积。结果，当上述布线在比较例中被布置在有限的外围区中时，相邻布线会彼此非常接近。在比较例中，相邻布线之间的窄的距离可能导致短路。

参照所述比较例，当布线形成在栅极绝缘层和/或第一绝缘层上并且第二绝缘层形成在布线上时，第二绝缘层可以具有距基底的表面根据布线的形状而改变的高度。栅极绝缘层和第一绝缘层至第三绝缘层可以根据是否形成有布线而具有不同的高度。例如，第二绝缘层的上表面可以具有与布线的厚度和第二绝缘层的形成布线的位置处的厚度对应的高度以及仅与第二绝缘层的形成布线的位置处的厚度对应的高度。因此，第二绝缘层的上表面会在未形成布线的位置处具有凹陷。然而，当两条相邻布线彼此非常接近时，凹陷可以相应地形成在第二绝缘层的上表面中，从而凹陷可以具有小的宽度。

随后，当形成导电层并通过光刻使导电层图案化以在第二绝缘层的上表面上形成其它布线(例如，用于提供第一电源电压或第二电源电压的布线)时，由于凹陷的窄的宽度，凹陷中的导电层不能被完全去除。剩余导电层会是随后导致其它布线之间的短路的残余。当第三绝缘层形成在第二绝缘层的上表面上并且其它布线形成在第三绝缘层上时，也可能发生短路。

根据发明构思的示例性实施例，通过在外围区中在第三绝缘层上形成扫描线，可以增大栅极绝缘层和/或第一绝缘层上的布线之间的距离。根据示例性实施例，由于相邻布线之间的距离增大，所以可以减少当堆叠第二绝缘层和/或第三绝缘层且在每层上形成布线时的短路。

另外，根据示例性实施例，可以使用与像素区中的布线的工艺和材料基本上相同的工艺和材料来形成外围区中的各个布线。

根据示例性实施例的显示装置可以被用于各种电子设备。例如，显示装置可以被用于电视机、膝上型电脑、蜂窝电话、智能电话、智能平板、个人媒体播放器(pmp)、个人数字助理(pda)、导航系统以及诸如智能手表的各种类型的可穿戴设备。

根据发明构思的示例性实施例的显示装置的外围区中的布线结构可以防止各个布线之间的短路。

另外，根据示例性实施例，在不执行附加的工艺的情况下，可以使用与像素区中的布线的工艺和材料基本上相同的工艺和材料来形成外围区中的各个布线。

虽然已经参照本发明构思的示例性实施例具体地示出和描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所限定的本发明构思的精神和范围的情况下，这里可以做出形式上和细节上的各种变化。