技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器，包括：自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收、分离层、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层、p型AlGaN层，在p型AlGaN层上设置的p型欧姆电极，在n型AlGaN层上设置的n型欧姆电极，其中0<x<y<z<1。本发明的有益效果为：从根本上避免吸收层内的极化电场对p‑n结内建电场的补偿作用，提高紫外探测器的光生电流；此外，采用非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱作为紫外探测器的吸收层，由于量子效应的作用，因此可以进一步提高紫外探测器对紫外光的吸收系数和横向载流子迁移率，对提高紫外探测器的量子效率和灵敏度具有重大意义。
技术研发人员：张雄;代倩;吴自力;崔一平
受保护的技术使用者：东南大学
技术研发日：2017.05.15
技术公布日：2017.10.10