技术特征：
技术总结
本发明公开了一种探测基板，其形成有TFT器件和PIN器件，探测基板包括：基板；源漏极金属层，其形成在基板上方，源漏极金属层包括TFT电极区和PIN电极区，TFT电极区用作TFT器件的源漏电极，PIN电极区用作PIN器件的下部电极，其中，TFT电极区上形成有钝化层，钝化层的邻近PIN电极区的部分的表面与PIN电极区的表面相接并齐平。本发明还公开了制备探测基板的方法和包括探测基板的x射线探测器。通过本发明的技术方案，能够减小PIN器件的内部应力，提高PIN器件的探测灵敏度。
技术研发人员：卜倩倩
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2017.05.27
技术公布日：2017.09.15