加热装置的制作方法

本揭露是有关一种加热装置，且特别是提供一种多通道气体加热器。

背景技术：

半导体材料的发展驱使半导体晶体管的大幅成长。为了提升半导体晶体管的装置密度与效能，并降低其成本，半导体晶体管中各层薄膜的堆叠、表面性质与结构设计均是被积极地研究发展。为了提升薄膜性质，一般可通过化学汽相沉积制程(chemicalvapordeposition；cvd)沉积薄膜。其中，为了获得较佳的阶梯覆盖性质，薄膜可通过等离子辅助化学汽相沉积制程(plasmaenhancedchemicalvapordeposition；pecvd)形成。因此，通过施加电压，使反应气体形成等离子，而可于晶圆表面形成具有良好薄膜性质的沉积薄膜，进而提升半导体装置的效能。

技术实现要素：

根据本揭露的一方面，提出一种加热装置。此加热装置包含承载平台及复合加热环。承载平台具有承载面，且承载平台是用以承载晶圆。复合加热环设置于承载平台及晶圆之间，且复合加热环沿着晶圆的边缘延伸。此复合加热环包含第一加热环及第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载面，且第一加热环具有阶梯状结构。其中，阶梯状结构的开口朝向晶圆的边缘。第一加热环具有第一熔点。第二加热环设置于阶梯状结构的开口中，且第二加热环的顶面直接接触晶圆的晶圆底面。第二加热环具有第二熔点，且第二熔点大于第一熔点。

根据本揭露的另一方面，提出一种加热装置。此加热装置包含承载平台、多个支撑件及复合加热环。承载平台具有承载面及加热气体通道。此承载平台是用以承载晶圆。加热气体通道包含输入通道及至少一气体沟槽。输入通道设置于承载平台中，且至少一气体沟槽设置于承载面上。其中，每一个气体沟槽连通输入通道。前述的支撑件设置于承载面上。复合加热环设置于承载面上，且此复合加热环沿着晶圆的边缘延伸。复合加热环包含第一加热环及第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载面，且第一加热环具有阶梯状结构。此阶梯状结构的开口朝向晶圆的边缘。第一加热环具有第一熔点。前述的第二加热环设置于阶梯状结构的开口中，且第二加热环的顶面直接接触晶圆的晶圆底面。第二加热环具有第二熔点，且第二熔点大于第一熔点。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸可任意地增加或减少。

图1a、图2a、图3a及图4a是绘示根据本揭露的一些实施例的加热装置的垂直剖面示意图；

图1b、图2b、图3b及图4b是绘示根据本揭露的一些实施例的利用加热装置加热晶圆时的垂直剖面示意图。

具体实施方式

以下的揭露提供了许多不同的实施例或例子，以实施发明的不同特征。以下所描述的构件与安排的特定例子是用以简化本揭露。当然这些仅为例子，并非用以做为限制。举例而言，在描述中，第一特征形成于第二特征上方或上，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施例，而也可能包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施例，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。此外，本揭露可能会在各例子中重复参考数字及/或文字。这样的重复是基于简单与清楚的目的，以其本身而言并非用以指定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。

另外，在此可能会使用空间相对用语，例如“向下(beneath)”、“下方(below)”、“较低(lower)”、“上方(above)”、“较高(upper)”等等，以方便描述来说明如附图所绘示的一元件或一特征与另一(另一些)元件或特征的关系。除了在图中所绘示的方向外，这些空间相对用词意欲含括元件在使用或操作中的不同方位。设备可能以不同方式定位(旋转90度或在其他方位上)，因此可利用同样的方式来解释在此所使用的空间相对描述符号。此外，“所制成(madeof)”的用语可指为“包含(comprising)”或“所组成(consistingof)”等用语。

于晶圆的化学汽相沉积制程中，晶圆是通过腔体中的加热装置加热晶圆，并通入反应气体至腔体中。然后，对反应气体施加电压，以形成反应气体等离子，而可于晶圆表面沉积薄膜。其中，加热装置是透过加热环加热晶圆底面，以使晶圆达至反应温度，而使反应气体等离子沉积至晶圆表面。然而，加热装置的加热环一般是以金属材料所制作，当进行化学汽相沉积制程时，由于高温环境的缘故，加热环中的金属原子易渗进与加热环直接接触的晶圆底面中，进而产生表面缺陷。故，于后续的处理制程[例如：化学机械研磨(chemicalmechanicalpolish；cmp)]时，所施加的应力易造成晶圆沿着表面缺陷破损。其中，若加热装置的加热环是由不锈钢材料制作，且晶圆底面直接接触加热环的顶面时，由于施加等离子，加以加热装置的高温影响，不锈钢材料中的铁原子及铬原子易渗进晶圆底面，而形成不锈钢缺陷(stainlessdefects)，进而于后续处理造成晶圆毁损。一般而言，不锈钢缺陷的形成温度实质为400℃至1000℃。

本揭露揭示一种具有复合加热环的加热装置。通过本揭露的加热装置，此复合加热环可避免金属原子渗进晶圆底面，而可消除因晶圆底面接触加热环所产生的表面缺陷。据此，本揭露的加热装置可解决前述的表面缺陷，并同时兼顾加热装置对晶圆的加热效益。

参照图1a及图1b，其中图1a是绘示根据本揭露的一些实施例的加热装置的垂直剖面示意图，且图1b是绘示根据本揭露的一些实施例的利用加热装置加热晶圆时的垂直剖面示意图。加热装置100包含承载平台110及复合加热环120。承载平台110具有承载面110a，且此承载平台110是用以承载晶圆130。在一些实施例中，承载平台110可由金属材料所制作。在一些实施例中，承载平台110可由不锈钢材料所制作。在一些实施例中，晶圆130可包含硅基材或其他具有材料层形成于其上的适当基材。其他适当的基材材料可包含其他适当的元素半导体，例如：钻石或锗；适当的化合物半导体，例如：碳化硅、砷化铟或磷化铟；或者适当的合金半导体，例如：碳锗硅，磷砷化镓或磷铟化镓。在其他实施例中，晶圆130可进一步包含各种掺杂区域、介电特征与/或多层内连结。

复合加热环120设置于承载平台110及晶圆130之间。在一些实施例中，复合加热环120是沿着晶圆130的边缘131延伸。在其他实施例中，复合加热环120是等距离地沿着晶圆130的边缘131延伸。在一些实施例中，复合加热环120是沿着承载平台110的边缘延伸。举例而言，承载平台110的半径可为147毫米，且晶圆130的半径可为150毫米。其中，复合加热环120的外侧面(亦即第二加热环123的外侧面123c)与晶圆130的边缘131的距离为3毫米。

复合加热环120包含第一加热环121及第二加热环123。其中，第一加热环121的底面121b是直接接触承载面110a。第一加热环121具有阶梯状结构，且此阶梯状结构的开口朝向晶圆130的边缘131。在一些实施例中，第一加热环121具有l型垂直剖面。第一加热环121是由金属材料所制作。在一些实施例中，第一加热环121是由不锈钢材料所制作。在其他实施例中，第一加热环121的材料是相同于承载平台110的材料。在一些实施例中，第一加热环121的第一熔点实质为从1400℃至1600℃。第二加热环123是设置于前述第一加热环121的阶梯状结构的开口中。第二加热环123是由陶瓷材料所制作。在一实施例中，第二加热环123的第二熔点大于第一加热环121的第一熔点。在一些实施例中，第二加热环123的第二熔点实质是大于2000℃。在其他实施例中，第二加热环123的第二熔点实质为从1400℃至3000℃。第一加热环121与第二加热环123是紧密结合。在一些实施例中，第一加热环121与第二加热环123可通过镶嵌、锁固、紧配合、卡固、粘合、其他适当的固定方法或上述方法的任意组合来结合。在一些实施例中，复合加热环120可通过镶嵌、锁固、紧配合、卡固、粘合、其他适当的固定方法或上述方法的任意组合固定于承载面110a上。

在其他实施例中，第一加热环121与承载平台110是一体成形的。在此实施例中，第一加热环121和承载平台110可先通过铸造及/或其他适当的机械制造方法形成。然后，第二加热环123通过前述适当的方法与第一加热环121紧密结合。

在一些实施例中，复合加热环120可直接或间接连接加热器(未绘示)，以传递加热器产生的热能，并加热晶圆130。在一具体例中，加热装置100可通过通入加热气体加热晶圆130。当利用加热装置100加热晶圆130时，由于受到应力(例如：反应气体等离子的轰击、热应力及/或通入加热气体的作用力等)的缘故，晶圆130形成中央稍微隆起且周围低降的弯曲型态，故第二加热环123的顶面123a可直接接触晶圆底面133，但第一加热环121的顶面121a不接触晶圆底面133。其中，虽然第一加热环121的顶面121a不接触晶圆底面133，而无法直接加热晶圆130，但通过第一加热环121所产生的辐射热，第一加热环121亦可间接地加热晶圆130。

在一些实施例中，第二加热环123的顶面123a的宽度对于复合加热环120的顶面的宽度的比值实质是大于0且小于或等于0.6。若此比值大于0.6时，第一加热环121的顶面121a的宽度过小，而降低第一加热环121间接加热晶圆130的效益。在其他实施例中，第二加热环123的顶面123a的宽度对于复合加热环120的顶面的宽度的比值实质是大于0.25且小于或等于0.6。举例而言，当承载平台110的半径为147毫米时，复合加热环120的宽度可为6毫米，且第二加热环的宽度实质可为大于0毫米且小于或等于4毫米。在一些实施例中，当第一加热环121的顶面121a与第二加热环123的顶面123a共平面时，第二加热环123的高度对复合加热环120的高度的比值实质是大于0且小于1。在一些实施例中，当第一加热环121的顶面121a与第二加热环123的顶面123a共平面时，第二加热环123的高度对复合加热环120的高度的比值实质是大于0且小于或等于0.3。

当加热装置100加热晶圆130时，由于利用金属材料所制作的第一加热环121未直接接触晶圆底面133，故金属材料的金属原子不会渗进晶圆底面133，而可避免晶圆底面133产生表面缺陷，进而避免晶圆133沿着表面缺陷毁损。

在一些实施例中，当第二加热环123是由陶瓷材料所制作时，相较于金属材料，由于陶瓷材料具有较高的熔点，故陶瓷材料不会有熔融渗进晶圆底面133的情形，故加热处理后的晶圆130不具有前述的缺陷。

在一些实施例中，第一加热环121的顶面121a与第二加热环123的顶面123a共平面，且第一加热环121的外侧面121c是切齐第二加热环123的外侧面123c。在此实施例中，复合加热环120可具有矩形垂直剖面。在一些实施例中，第二加热环123的顶面123a可高于第一加热环121的顶面121a。

在一些实施例中，加热装置100还包含多个升降顶杆(未绘示)。这些升降顶杆是设置于承载平台110中。这些升降顶杆可垂直地由被复合加热环120所包围的承载面110a的范围内升起，以从机器手臂承接待加热的晶圆，并垂直地下降，以使此待加热的晶圆置于复合加热环120上；或者这些升降顶杆可垂直地由被复合加热环120所包围的承载面110a的范围内升起，以将加热处理后的晶圆托起，而利于机器手臂夹持此晶圆。

参照图2a及图2b，其中图2a是绘示根据本揭露的一些实施例的加热装置的垂直剖面示意图，且图2b是绘示根据本揭露的一些实施例的利用加热装置加热晶圆时的垂直剖面示意图。加热装置200包含承载平台210、复合加热环220及多个支撑件240。其中，承载平台210是用以承载待加热晶圆230。

复合加热环220设置于承载平台210及晶圆230之间。在一实施例中，复合加热环220是沿着晶圆230的边缘231延伸。在一些实施例中，复合加热环220是等距离地沿着晶圆230的边缘231延伸。在其他实施例中，复合加热环220是沿着承载平台210的边缘延伸。复合加热环220包含第一加热环221及第二加热环223。第一加热环221的底面221b是直接接触承载平台210的承载面210a。第一加热环221具有阶梯状结构，且阶梯状结构的开口是朝向晶圆230的边缘231。在一些实施例中，第一加热环221具有l型垂直剖面。第二加热环223设置于此阶梯状结构的开口中。在一些实施例中。第一加热环221与第二加热环223是紧密结合。在一些实施例中，第一加热环221与第二加热环223可通过镶嵌、锁固、紧配合、卡固、粘合、其他适当的固定方法或上述方法的任意组合来结合。第一加热环221是由金属材料所制作。在一些实施例中，第一加热环221是由不锈钢材料所制作。第二加热环223是由陶瓷材料所制作。在一些实施例中，第二加热环223的第二熔点大于第一加热环221的第一熔点。在一些实施例中，第一加热环221的第一熔点实质为从1400℃至1600℃。在一些实施例中，第二加热环223的第二熔点实质是大于2000℃。在一些实施例中，第二加热环223的第二熔点实质为从1400℃至3000℃。

在一些实施例中，第二加热环223的顶面223a的宽度对复合加热环220的顶面的比值实质是大于0且小于或等于0.6。在其他实施例中，第二加热环223的顶面223a的宽度对复合加热环220的顶面的比值实质是大于或等于0.25且小于或等于0.6。在一些实施例中，第二加热环223的高度对复合加热环220的高度的比值实质是大于0且小于1。

支撑件240是设置于承载平台210的承载面210a上，且支撑件240是被复合加热环220包围。在一些实施例中，支撑件240是均匀地设置于承载面210a上。在一些实施例中，支撑件240的顶面240a与第一加热环221的顶面221a不高于第二加热环223的顶面223a。在一些实施例中，第一加热环221的顶面221a、第二加热环223的顶面223a与支撑件240的顶面240a是共平面。在一些实施例中，支撑件240是由金属材料所制作。在其他实施例中，支撑件240的材料相同于或不同于第一加热环221的材料。在一些实施例中，支撑件240与/或复合加热环220可通过镶嵌、锁固、紧配合、卡固、粘合、其他适当的固定方法或上述方法的任意组合固定于承载面210a上。

加热装置200的复合加热环220可直接或间接连接加热器(未绘示)，以传递加热器所产生的热能，并加热晶圆230。在一些实施例中，加热装置200可通过通入加热气体加热晶圆230。当利用加热装置200加热晶圆230时，由于受到应力(例如：反应气体等离子的轰击、热应力及/或通入加热气体的作用力等)的缘故，晶圆230形成中央隆起且周围低降的弯曲型态。因此，晶圆底面233可直接接触第二加热环223的顶面223a，但晶圆底面233不接触第一加热环221的顶面221a。在此实施例中，虽然第一加热环221的顶面221a无法直接接触晶圆底面233，但通过第一加热环221所产生的辐射热，第一加热环221亦可间接地加热晶圆230。

据此，第二加热环123的顶面123a的宽度对复合加热环220的宽度的比值实质是大于0且小于或等于0.6。若前述的比值大于0.6时，第一加热环221的顶面221a的宽度过小，而降低第一加热环221间接加热晶圆230的效益。

在一具体例中，支撑件240可直接或间接连接前述的加热器，以传递加热器所产生的热能，并更加均匀地加热晶圆230。由于晶圆230的中央是隆起的，故晶圆底面233不直接接触支撑件240的顶面240a。相同地，虽然支撑件240不直接接触晶圆底面233，但通过支撑件240的顶面240a所产生的辐射热，加以支撑件240是设置于复合加热环220内(亦即支撑件240是被复合加热环220所包围)，晶圆底面233可更均匀地被加热。

在其他实施例中，第二加热环223的顶面223a是高于第一加热环221的顶面221a与支撑件240的顶面240a，以避免晶圆底面233接触第一加热环221的顶面221a与支撑件240的顶面240a，而可避免金属原子渗进晶圆底面233。

参照图3a及图3b，其中图3a是绘示根据本揭露的一些实施例的加热装置的垂直剖面示意图，且图3b是绘示根据本揭露的一些实施例的利用加热装置加热晶圆时的垂直剖面示意图。加热装置300包含承载平台310及复合加热环320。承载平台310是用以承载晶圆330，且承载平台310可包含加热气体通道311。其中，加热气体通道311设置于承载平台310中，且加热气体通道311包含输入通道311a及至少一气体沟槽311b。气体沟槽311b是设置于承载平台310的承载面310a上，且每一个气体沟槽311b连通输入通道311a。在一些实施例中，每一个气体沟槽311b是彼此连通。

复合加热环320设置于承载面310a上，且复合加热环320是沿着晶圆330的边缘331延伸。在一些实施例中，复合加热环320是等距离地沿着晶圆330的边缘331延伸。在其他实施例中，复合加热环320是沿着承载平台310的边缘延伸。在一些实施例中，复合加热环320可通过镶嵌、锁固、紧配合、卡固、粘合、其他适当的固定方法或上述方法的任意组合固定于承载面310a上。在一些实施例中，复合加热环320不覆盖承载面310a上的气体沟槽311b。复合加热环320包含第一加热环321及第二加热环323。第一加热环321的底面321b直接接触承载面310a。第一加热环321具有阶梯状结构，且此阶梯状结构的开口朝向晶圆330的边缘331。在一些实施例中，第一加热环321具有l型垂直剖面。第二加热环323是设置于阶梯状结构的开口中，且第二加热环323的顶面323a与第一加热环321的顶面321a共平面。第一加热环321与第二加热环323是紧密结合。在一些实施例中，第一加热环321与第二加热环323可通过镶嵌、锁固、紧配合、卡固、粘合、其他适当的固定方法或上述方法的任意组合来结合。第一加热环321是由金属材料所制作。在一些实施例中，第一加热环321是由不锈钢材料所制作。在一些实施例中，第一加热环321的第一熔点实质为从1400℃至1600℃。第二加热环323是由陶瓷材料所制作。第二加热环323的第二熔点是大于第一加热环321的第一熔点。在一些实施例中，第二加热环323的第二熔点实质是大于2000℃。在一些实施例中，第二加热环323的第二熔点实质为从1400℃至3000℃。

当利用加热装置300加热晶圆330时，复合加热环320可直接或间接连接加热器(未绘示)，以传递加热器产生的热能，并间接地加热晶圆330。再者，晶圆330是覆盖于复合加热环320上，且晶圆底面333、复合加热环320及承载平台310的承载面310a可形成一空间。经由加热气体通道311，加热气体可被通入加热装置300中，以加热晶圆330。其中，加热气体是先导引至输入通道311a中，并通过气体沟槽311b的引导，充斥于前述由晶圆底面333、复合加热环320及承载面310a所形成的空间中，而可利用加热气体加热晶圆330。当加热气体通入前述的空间时，由于加热气体通入的作用力，及其他应力(例如：反应气体等离子的轰击与/或热应力等)，晶圆330会形成中央隆起且周围低降的弯曲型态，故第二加热环323的顶面323a可直接接触晶圆底面333，但第一加热环321的顶面321a不接触晶圆底面333。虽然第一加热环321的顶面321a不接触晶圆底面333，但通过第一加热环321所产生的辐射热与通入加热气体所形成的热对流，第一加热环321亦可间接地加热晶圆330。在一些实施例中，为了避免金属材料所制作的第一加热环321直接接触晶圆底面333，第一加热环321的顶面321a是低于第二加热环323的顶面323a。

参照图4a及图4b，其中图4a是绘示根据本揭露的一些实施例的加热装置的垂直剖面示意图，且图4b是绘示根据本揭露的一些实施例的利用加热装置加热晶圆时的垂直剖面示意图。加热装置400包含承载平台410、复合加热环420及多个支撑件440。承载平台410具有承载面410a及加热气体通道411，其中加热气体通道411包含输入通道411a及至少一气体沟槽411b。输入通道411a设置于承载平台410a中，且气体沟槽411b设置于承载面410a上。每一个气体沟槽411b连通输入通道411a。

复合加热环420及支撑件440设置于承载面410a上，且支撑件440是被复合加热环420所包围。在一些实施例中，支撑件440是均匀地设置于承载面410a上。在一些实施例中，支撑件440不设置于气体沟槽411b上。晶圆430是覆盖于复合加热环420上，且晶圆底面430、复合加热环420及承载面410a可形成一空间。

复合加热环420是沿着晶圆430的边缘431延伸。复合加热环420包含第一加热环421及第二加热环423。第一加热环421具有阶梯状结构，且阶梯状结构的开口朝向晶圆430的边缘431。在一些实施例中，第一加热环421具有l型垂直剖面。第二加热环423设置于第一加热环421的阶梯状结构的开口中。第一加热环421及第二加热环423是紧密结合。在一些实施例中，第一加热环421与第二加热环423可通过镶嵌、锁固、紧配合、卡固、粘合、其他适当的固定方法或上述方法的任意组合来结合。第一加热环421是由金属材料所制作。在一些实施例中，第一加热环421是由不锈钢材料所制作。在一些实施例中，第一加热环421的第一熔点实质为从1400℃至1600℃。第二加热环423是由陶瓷材料所制作。第二加热环423的第二熔点高于第一加热环421的第一熔点。在一实施例中，第二加热环423的第二熔点是大于2000℃。在一些实施例中，第二加热环423的第二熔点实质为从1400℃至3000℃。在一些实施例中，复合加热环420可通过镶嵌、锁固、紧配合、卡固、粘合、其他适当的固定方法或上述方法的任意组合固定于承载面410a上。

在一些实施例中，第一加热环421的顶面421a与支撑件440的顶面440a共平面。在一些实施例中，第一加热环421的顶面421a、第二加热环423的顶面423a及支撑件440的顶面440a是共平面的。

当利用加热装置400加热晶圆430时，加热气体是经由加热气体通道411输入至前述由晶圆430、复合加热环420及承载平台410所构成的空间中，以与晶圆底面433接触，并加热晶圆430。其中，当加热气体通入前述的空间时，由于加热气体通入的作用力，晶圆430会形成中央隆起且周围低降的弯曲型态，而使得第二加热环423的顶面423a可直接接触晶圆底面433，但第一加热环421的顶面421a不接触晶圆底面433。虽然第一加热环421的顶面421a未接触晶圆底面433，但通过第一加热环421所产生的辐射热与加热气体所造成的热对流，第一加热环421亦可间接加热晶圆430。在一些实施例中，为了避免金属材料所制作的第一加热环421及支撑件440直接接触晶圆底面433，第一加热环421的顶面421a及支撑件440的顶面440a均低于第二加热环423的顶面423a。

熟悉此技艺者应了解到，并非所有优点须已于此讨论，对于所有实施例或例子，没有特定的优点是必须的，且其他实施例或例子可提供不同的优点。

根据本揭露的一方面，本揭露提出一种加热装置。此加热装置包含承载平台与复合加热环。承载平台具有承载面，且此承载平台是用以承载晶圆。复合加热环设置于承载平台与晶圆之间，且复合加热环沿着晶圆的边缘延伸。此复合加热环包含第一加热环和第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载面。此第一加热环具有阶梯状结构，且阶梯状结构的开口是朝向晶圆的边缘。第一加热环具有第一熔点。第二加热环设置于阶梯状结构的开口中。其中，第二加热环的顶面直接接触晶圆的晶圆底面。第二加热环具有第二熔点，且第二熔点大于第一熔点。

依据本揭露的一实施例，第二加热环的顶面实质共平面于第一加热环的顶面。

依据本揭露的另一实施例，沿着垂直剖面的方向，第二加热环的顶面的宽度对复合加热环的顶面的宽度的比值实质是大于0且小于或等于0.6，且第二加热环的高度对复合加热环的高度的比值实质是大于0且小于1。

依据本揭露的又一实施例，第二加热环是由陶瓷材料所制作。

依据本揭露的再一实施例，加热装置还包含多个支撑件，且这些支撑件设于承载面上。

依据本揭露的又另一实施例，这些支撑件均匀设置于承载面上。

根据本揭露的另一方面，本揭露提出一种加热装置。此加热装置包含承载平台、多个支撑件和复合加热环。承载平台具有承载面与加热气体通道，且承载平台是用以承载晶圆。加热器体通道包含输入通道与至少一气体沟槽。输入通道设置于承载平台中。气体沟槽设置于承载面上，且每一个气体沟槽连通输入通道。支撑件设置于承载面上。复合加热环设置于承载面上，且复合加热环沿着晶圆的边缘延伸。此复合加热环包含第一加热环与第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载面。第一加热环具有阶梯状结构，且阶梯状结构的开口朝向晶圆的边缘。第一加热环具有第一熔点。第二加热环设置于阶梯状结构的开口中。其中，第二加热环的顶面直接接触晶圆的晶圆底面。第二加热环具有第二熔点，且第二熔点大于第一熔点。

依据本揭露的一实施例，第二加热环的顶面实质共平面于第一加热环的顶面。

依据本揭露的另一实施例，沿着垂直剖面的方向，第二加热环的顶面的宽度对复合加热环的顶面的宽度的比值实质是大于0且小于或等于0.6，且第二加热环的高度对复合加热环的高度的比值实质是大于0且小于1。

依据本揭露的又一实施例，第二加热环是由陶瓷材料所制作。

上述已概述数个实施例的特征，因此熟悉此技艺者可更了解本揭露的态样。熟悉此技艺者应了解到，其可轻易地利用本揭露做为基础，来设计或润饰其他制程与结构，以实现与在此所介绍的实施例相同的目的及/或达到相同的优点。熟悉此技艺者也应了解到，这类对等架构并未脱离本揭露的精神和范围，且熟悉此技艺者可在不脱离本揭露的精神和范围下，在此进行各种的更动、取代与修改。