半导体制程的方法与流程

本揭露实施例是有关于一种半导体制程(工艺)的方法。

背景技术

半导体集成电路(semiconductorintegratedcircuits；ics)藉由用于图案化、沉积、去除及改质的各种制程来制造。这些过程各种半导体制程工具中执行。典型半导体制程工具包括一或多个基板被制程材料处理的腔室。腔室通常连接至排气管以自腔室去除制程的多余制程材料及副产物。随时间推移，排气管会因多余制程材料及副产物而变的阻塞。举例而言，光阻剂镀膜机的多余光阻剂结晶会阻塞光阻剂镀膜机的排气管。排气管阻塞会导致由光阻剂镀膜机处理的基板上的光阻层的厚度变得不稳定并且会负面影响制程质量。另外，在排气管中阻塞的多余制程材料及副产物会引起排气管的腐蚀。

因此，需要解决上述不足。

技术实现要素：

根据本揭露的一些实施例，一种半导体制程的方法包含以下步骤：流动排气使其经过排气管；监控排气管中的积聚材料；启动设置在排气管截面中的残留物去除器以从排气管中去除积聚材料；以及流动排气使其经过连接在残留物去除器的下游的气液分离器。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

当结合附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭露的态样。应当注意，根据工业中标准实务，各特征未按比例绘制。事实上，为论述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或缩小。

图1为根据一些实施例的具有排气组件的半导体制程工具的示意截面图。

图2a为根据一些实施例的图示管清洗组件的排气组件的示意透视图。

图2b为图2a的管清洗组件的示意截面图。

图2c为根据一些实施例的感测器量测的示意曲线图。

图3a为根据一些实施例的图示气液分离器的排气组件的示意局部视图。

图3b为图3a的气液分离器的示意俯视图。

图4a为根据一些实施例的用于清洗排气管的方法的流程图。

图4b为根据一些实施例的图示清洗制程的示意曲线图。

其中，附图标记

100半导体制程工具

101中心轴

102处理腔室

104排气端口

105横截区域

106基板台

108基板

110运动机构

112分配喷嘴

114光阻剂

116收集机构

118通道

120排气组件

122管清洗组件

124气液分离器

126工厂排气装置

128真空泵

130排气流

130g气体部分

130l液体部分

132洗涤器

134横截区域

136残留物去除器

138致动器

140感测器

142分配器

144控制器

146致偏器

146a第一致偏器

146b第二致偏器

146c第三致偏器

148排泄口

150角度

150a角度

150b角度

150c角度

201中心轴

202管截面

202a内表面

204外表面

206楔

208内部开口

210材料

212光源

213光学视窗

214光检测器

215光学视窗

216光线

218端口

220斜表面

222a第一端

222b第二端

224环形主体

226曲线

228锐角

230直径

232槽

234磁性轨迹

301中心轴

302第一管截面

302a第一端

302b第二端

302c截面区域

302i内表面

303中心轴

304第二管截面

304c截面区域

310端口

312端口

316第一端

318第二端

400方法

410操作

420操作

430操作

440操作

450操作

460曲线

462曲线

464曲线

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同实施方式或范例，以用于实施所提供目标的不同特征结构。下文描述组件及排列的特定范例以简化本揭露。当然，此等范例仅为示例且并不意欲为限制性。举例而言，以下描述中在第二特征结构上方或第二特征结构上形成第一特征结构可包含以直接接触形成第一特征结构及第二特征结构的实施方式，且亦可包含可在第一特征结构与第二特征结构之间形成额外特征结构以使得第一特征结构及第二特征结构可不直接接触的实施方式。另外，本揭露可在各种范例中重复组件符号及/或字母。此重复是出于简明性及清晰的目的，且本身并不指示所论述的各实施方式及/或配置之间的关系。

另外，空间相对术语，诸如「之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及类似者，在此为便于描述可用于描述诸图中所图示一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除图形中描绘的方向外，空间相对术语意图是包含装置在使用或操作中的不同的方向。装置可为不同的朝向(旋转90度或在其他的方向)及在此使用的空间相关的描述词可因此同样地解释。

图1为根据一些实施例的半导体制程工具100的示意截面图。半导体制程工具100包括处理腔室102及排气组件120。排气组件120将处理腔室102连接至工厂排气装置126。排气组件120提供排气通道以自处理腔室102去除材料，诸如多余制程材料及副产物。排气组件120能够自动清洗以维持排气通道的容量。

处理腔室102可为任一适宜半导体处理腔室。在第1图中，处理腔室102为经设计以在基板108上涂覆光阻剂层的旋涂腔室。处理腔室102包括经设计以在处理期间夹持基板108的基板台106。基板台106包括一机构，诸如真空抽吸机构或其他适宜机构，以在操作期间紧固基板108。

基板台106可操作以围绕中心轴101旋转使得在其上紧固的基板108在操作期间旋转。运动机构110经连接至基板台106及可操作以驱动基板台106及在其上紧固的基板108。在一些实施例中，运动机构110包括马达以旋转基板台106及在其上紧固的基板108。在一些实施例中，运动机构110包括提升模组，用以沿垂直方向移动基板台106，以将基板108定位在较低或较高水平。

处理腔室102包括用于在基板108上分配光阻剂114的分配喷嘴112，基板108紧固在基板台106上。在操作期间，分配喷嘴112将光阻剂114分配在旋转基板108上，以使光阻剂层114涂覆基板108。

处理腔室102进一步包括收集机构116，以收集自基板108脱落的材料，诸如多余光阻剂114。在一些实施例中，收集机构116包括杯形座以保持自基板台106弹出的材料。收集机构116将诸如光阻剂114的收集的材料沿通道118引向处理腔室102的排气端口104。

排气组件120经连接至排气端口104以自处理腔室102去除材料，诸如多余光阻剂及副产物。排气组件120包括将诸如排气端口104的工具排气装置连接至工厂排气装置126的一或多个管截面，在工厂排气装置126中处理来自制造实验室中的半导体制程工具的排气。在一些实施例中，工厂排气装置126包括真空泵128，以经由排气组件120生成排气流130。工厂排气装置126包括洗涤器132以去除来自排气流130的有害材料。在一些实施例中，在排气组件120中的管截面的横截区域134至少与排气端口104的横截区域105一样大，以维持排气端口104的排气能力。

排气组件120包括管清洗组件122。管清洗组件122自动清洗排气组件120的内部，以在操作期间维持横截区域134打开。管清洗组件122包括经设计以去除积聚在排气组件120中的材料的残留物去除器136。致动器138驱动残留物去除器136以执行清洗操作。或者，管清洗组件122可经人工致动以清洗排气组件120。

在一些实施例中，致动器138驱动残留物去除器136以定期执行清洗操作。在一些实施例中，管清洗组件122当检测到在排气组件120中积聚的材料时执行清洗操作。

管清洗组件122包括感测器140。感测器140连接至控制器144。感测器140经定位以检测在排气组件120中积聚的材料。在操作期间，控制器144接收并分析来自感测器140的量测。当来自感测器140的量测指示积聚材料已达到某种程度时，例如，当积聚材料阻断感测器140时或当感测器140量测达到阈值位准时，控制器144会向致动器138发送命令以驱动残留物去除器136执行清洗操作。在一些实施例中，来自感测器140的量测可用以决定需要执行手动清洗还是其他定期维护。

在一些实施例中，管清洗组件122包括分配器142，此分配器142经设计以分配清洗剂，诸如在排气组件120中积聚材料的溶剂。在一些实施例中，分配器142包括一或多个雾化喷嘴。在一些实施例中，分配器142定期分配清洗剂以帮助积聚材料的去除。在一些实施例中，分配器142的定期分配与残留物去除器136的定期清洗操作同步，以允许残留物去除器136受益于清洗剂。

在一些实施例中，分配器142连接至控制器144。当需要清洗剂时，控制器144操作分配器142。例如，当感测器140的量测达到预定值时，控制器144向分配器142发送喷雾命令以分配清洗剂。控制器144亦可控制藉由分配器142分配的清洗剂的数量。在一些实施例中，分配器142与残留物去除器136及感测器140独立地操作。例如，分配器142经配置以定期分配清洗剂，同时残留物去除器136回应于感测器140的量测而操作。在一些实施例中，管清洗组件122包括在不同位置以覆盖管中的不同区域的一或多个额外分配器142。

尽管在图1的实施例中仅图示一个管清洗组件122，但可根据制程条件在排气系统中使用两个或两个以上管清洗组件122，例如，当排气通道为较长时。

在一些实施例中，排气组件120包括设置在管清洗组件122下游的气液分离器124。气液分离器124经配置以将排气流130中的气体与液体分离以阻止排气流130的液体部分流至工厂排气装置126。气液分离器124包括一或多个致偏器146。每个致偏器146相对于排气流130以一定角度定位，以排气流130偏转。在一些实施例中，致偏器146被定位成相对于气液分离器124中的管截面的轴向成角度150。

在操作期间，气液分离器124将排气流130的液体部分130l引向排泄口148，同时允许排气流130的气体部分130g流向工厂排气装置126。液体部分130l的分离去除对工厂排气装置126累赘或有害的大多数材料，因而，延长工厂排气装置126的排气能力并减少工厂排气装置126的维护频率。

在一些实施例中，管清洗组件122定位在排气通道的大体上水平部分中，此排气通道易于材料积聚。气液分离器124定位在排气通道的大体上垂直部分中，以便可使用重力来辅助气体与液体分离。

图2a为根据一些实施例的管清洗组件122的示意透视图。图2b为管清洗组件122的示意截面图。管清洗组件122设置在排气组件120的管截面202中。在一些实施例中，管截面202为圆柱形管并且示直线管。管截面202由与清洗剂及制程材料相容的材料形成，此等清洗剂及制程材料脱离连接至排气组件120的制程工具。在一些实施例中，管截面202由不锈钢组成。管截面202可由其他适宜材料组成。

残留物去除器136设置在管截面202内部。如图所示，残留物去除器136具设置在管截面202中有可移动的环形主体224。残留物去除器136具有内部开口208以允许排气流130通过。内部开口208的直径230可大于管截面202的内径的80％。在一些实施例中，直径230可在管截面202的内径的约85％至约95％之间。环形主体224的外表面204抵靠管截面202的内表面202a设置。残留物去除器136在管截面202内部沿平行于中心轴201的轴向移动。当残留物去除器136相对于管截面202移动时，环形主体224的外表面204刮擦管截面202的内表面202a以去除黏住管截面202的材料210。环形主体224具有第一端222a及第二端222b。在一些实施例中，环形主体224在一个或两个端222a、222b处具有斜表面220。斜表面220及外表面204在横截面中形成楔206。楔206使自内表面202a刮擦材料变得更容易。楔206具有锐角228。在一些实施例中，锐角228可小于45度。例如，锐角228可在约10度至约30度之间。

残留物去除器136由金属或与排气流130中的材料相容的任一适宜材料形成。在一些实施例中，残留物去除器136由铁磁材料形成，以便残留物去除器136可藉由磁驱动系统来驱动。在一些实施例中，残留物去除器136由铁素体不锈钢组成，诸如430ti型钢、434型钢、436型钢或444型钢。

磁驱动系统的致动器138为沿管截面202设置的磁性轨迹234。残留物去除器136经耦接至磁性轨迹234并沿磁性轨迹234来回移动。在一些实施例中，当管截面202为直线管截面时磁性轨迹234为直线的。磁性轨迹234可包括沿纵向的一或多个槽232，此等一或多个槽用于接收残留物去除器136并沿管截面202引导残留物去除器136。

在一些实施例中，当管截面202包括一或多个曲线段时磁性轨迹234为曲线。或者，致动器138可为其他适宜驱动器，诸如马达驱动、液压活塞、或适于在管截面202中来回移动残留物去除器136的其他致动器。

在一些实施例中，感测器140为包括光源212及位于光源212的视线中的光检测器214的光学感测器组件。光源212及光检测器214可附接至越过管截面202的内体积的管截面202。在一些实施例中，管截面202包括彼此相对的光学视窗213及光学视窗215。光源212设置在光学视窗213外面以经由光学视窗213传递光。光检测器214设置在光学视窗215外面以经由光学视窗215接收光。

在操作过程中，光源212经由光学视窗213穿过管截面202的内部空间照射一束光线216。当在光源212与光检测器214之间没有阻塞时，光检测器214可检测指示管截面202为干净的光线216。当光检测器214未能检测光线216，从而指示存在阻塞，诸如阻断来自光源212且行进至光检测器214的光线216的材料210。光线216阻断的持续时间可用以指示在管截面202中的材料210的数量或在管截面202中的阻塞程度。

图2c为光检测器214的输出的示意曲线图。图2c的x轴表示时间及图2c的y轴表示由光检测器214检测的标准化强度。曲线226示意地图示光检测器214随时间推移的量测。由光检测器214检测到的光强对应于在光源212与光检测器214之间积聚的材料数量。越高密度对应于越少积聚材料，因而，排气越清洁；同时越低密度对应于越多积聚材料，因而，排气越脏。

在一些实施例中，阈值强度i0用以指示光检测器214或是光源212是否被积聚材料阻断。当光检测器214的量测低于阈值强度i0时，光检测器214或光源212被认为被阻断，从而触发清洗操作。在一些实施例中，阈值强度i0可低于约50％。

在操作期间，光检测器214或光源212可能被通过的排气材料暂时阻断或被积聚材料阻断。在此两种情况下，光检测器214的量测可能低于阈值强度i0。阈值持续时间t0可用以区分通过材料或积聚材料，并用以触发清洗操作。例如，当光检测器214的量测低于阈值强度i0长于阈值时间周期t0时，触发清洗操作。在一个实施例中，阈值时间周期t0可在约5秒至10秒之间。

尽管在图2a的实施例中图示仅一对光源212及光检测器214，但可在适宜位置处沿管截面202设置两对或两对以上光源212及光检测器214。或者，感测器140可为其他适宜感测器，诸如重量感测器，例如压力感测器。在一些实施例中，感测器140包括不同类型感测器的组合，诸如光学感测器及重量感测器。

在一些实施例中，分配器142是一喷嘴，其是经由管截面202形成的端口218喷涂清洗剂。尽管在图2a中图示一个分配器142，但为满足制程需要，也可使用两个或两个以上的分配器142。例如，两个或两个以上分配器142沿管截面202的长度而设置。在其他实施例中，两个或两个以上分配器142在不同径向位置处围绕中心轴201设置以覆盖内表面202a的周边。

藉由分配器142喷涂的清洗剂可为用于去除穿过管截面202的排气材料的适宜液体清洁剂。在当排气材料包括光阻剂的情况下，清洗剂包括光阻剂的溶剂。例如，清洗剂为与水稀释的光阻剂的溶剂。在一些实施例中，清洗剂包括光阻剂的有机溶剂的溶液，例如nmp(n-甲基吡咯啶酮)、dmso(二甲基亚砜)、丙酮或任一适宜光阻剂除去剂。在一些实施例中，分配器142以约1:10至约1:0.5之间的体重比分配在水中稀释的光阻剂溶剂的溶液。在一个实施例中，分配器142以约1:2的体重比在水中分配nmp的溶液。

图3a为根据一些实施例的气液分离器124的示意局部视图。图3b为气液分离器124的示意俯视图。气液分离器124包括连接至第二管截面304的第一管截面302。第二管截面304经由端口310连接至第一管截面302。在一些实施例中，第一管截面302的截面区域302c及第二管截面304的截面区域304c在尺寸上类似。第一管截面302具有中心轴301，及第二管截面304具有中心轴303。中心轴303与中心轴301相交。在一些实施例中，中心轴303垂直于中心轴301。在一些实施例中，第一管截面302及第二管截面304合为一体，诸如t管。

第一管截面302包括用于连接至工具的第一端302a、来自工具的排气管、或具有管清洗组件的排气管及用于连接至排泄口148的第二端302b。第二管截面304连接至在第一端302a与第二端302b之间的第一管截面302。在一些实施例中，第一端302a在管清洗组件，诸如管清洗组件122下游连接。或者，第一端302a可连接至来自工具的共用排气管，或直接连接至工具，诸如处理腔室。在一些实施例中，第一管截面302的第二端302a为具有端口312的闭端，端口312用于连通至用于收集液体的排泄口，诸如排泄口148。

一或多个致偏器146邻近于端口310放置并成角度以阻止液体进入端口310。在一些实施例中，端口312位于端口310下方以便致偏器146将液体引向端口312。

每个致偏器146为具有第一端316及第二端318的实心板，此第一端316附接至第一管截面302的内表面302i，此第二端318悬挂在第一管截面302的内体积中。第一端316在端口310的相同侧面处附接至第一管截面302。每个致偏器146的尺寸占用第一管截面302的截面区域302c的部分以允许液体流过端口310。致偏器146可占用多于截面区域302c的50％。在一些实施例中，致偏器146可占用截面区域302c的约50％至约85％之间。每个致偏器146在相对于第一管截面302的轴向成角度150附接至第一管截面302。在操作过程中，排气流130沿轴向进入第一管截面302中。选择角度150以偏转排气流130，因而，将排气流130中的液体部分130l引向端口312。在一些实施例中，角度150小于90度，例如在约30度至约60度之间。在一些实施例中，一或多个致偏器146以相同角度附接至第一管截面302。在其他实施例中，一或多个致偏器146以不同角度附接至第一管截面302以实现目标效应。

在图3a及图3b的实施例中，气液分离器124包括三个致偏器146a、致偏器146b、致偏器146c。第一致偏器146a设置在端口310上方并相对于第一管截面302轴向成角度150a。第二致偏器146b邻近于端口310附接至第一管截面302并相对于第一管截面302的轴向成角度150b。第三致偏器146c设置在端口310下方并相对于第一管截面302的轴向成角度150c。在一些实施例中，角度150a、角度150b、角度150c为相同的。在其他实施例中，角度150a、角度150b、角度150c为不同的角度。

第一致偏器146a经定位以偏转排气流130使得排气流130的液体部分130l远离端口310偏转并在重力下流向端口312，同时允许排气流130的气体部分130g围绕致偏器146a流动并在真空泵128的抽吸下进入端口310。排气流130中的液体部分130l可由于负压力梯度或在重力下沿第一管截面302的内表面302i流动，尤其当第一管截面302经定位成大体上垂直时。第一致偏器146a可阻止液体沿内表面302i进入端口310。类似地，第二致偏器146b阻止排气流130中的液体部分130l进入端口310。

第三致偏器146c经定位以将排气流130中的液体部分130l引向端口312。在一些实施例中，第三致偏器146c自端口310下方至端口312递减并充当漏斗以将邻近于第二端302b的液体引向端口312。

图4a为根据一些实施例的用于清洗排气管的方法400的流程图。方法400可根据本揭露的实施例藉由排气组件而执行，诸如上文描述的排气组件120。方法400可藉由在控制器中操作程式来进行，诸如连接至排气组件120的控制器144。

在方法400的操作410中，藉由经由连接至半导体制程工具的排气组件生成排气流而自诸如旋涂工具的半导体制程工具，去除诸如多余制程材料及副产物的材料。排气组件包括诸如管清洗组件122的管清洗组件。材料的去除可使用真空泵而执行，诸如真空泵128，其连接至排气组件以生成排气流。在一些实施例中，连续地执行根据操作410经由排气流的材料的去除。

在一些实施例中，操作410进一步包括使用气液分离器，诸如气液分离器124将在穿过排气组件的排气流中的液体及气体分离。

在方法400的操作420中，量测排气组件中的诸如结晶光阻剂的积聚材料的数量。量测可藉由设置在排气组件中的一或多个感测器，例如，藉由管清洗组件122的感测器140而执行。积聚材料可使用光学感测器来量测，其中光检测器在光学感测器中的阻塞指示材料积聚在排气管中。在一些实施例中，在光学感测器中光检测器的阻塞的持续时间指示在排气组件中的积聚材料的数量。堵塞的时间周期越长，指示积聚材料的数量越大。

在方法400的操作430中，分析积聚材料的感测器量测以决定在排气组件中的积聚材料的数量是否达到预定位准。在一些实施例中，积聚材料的数量对应于光学感测器的光检测器阻塞的持续时间，及积聚材料的预定位准对应于光检测器堵塞的预定时间周期。预定时间周期可在5至10秒之间。

在排气流的执行期间定期执行在操作420中的量测积聚材料及在操作430中的决定积聚材料的数量，以根据操作410去除材料。

当积聚材料的数量低于预定位准时，可当材料去除在操作410中继续时进行及决定新量测。当积聚材料的数量达到预定位准时，触发自动清洗操作。

在方法400的操作440中，在排气组件120中喷涂清洗剂。使用分配器喷涂清洗剂，诸如排气组件120中的分配器142。清洗剂可为积聚材料或其他适宜制剂的溶剂。当积聚材料包括结晶光阻剂时，清洗剂可为光阻剂的有机溶剂，诸如nmp及dmso，或其他适宜制剂的溶液。

在一些实施例中，可在每个操作中喷涂定量清洗剂。在其他实施例中，积聚材料的量测数量用以决定要分配的清洗剂的数量。当检测越多积聚材料时，分配越多清洗剂。在一些实施例中，要分配的清洗剂的数量藉由启动分配器的持续时间来控制。在一些实施例中，分配器的活动时间可处于约10秒至约20秒之间。

在一些实施例中，在操作450中在使用残留物去除器去除积聚材料之前，清洗剂喷涂之后为浸渍时段。在一些实施例中，浸渍期可处于约10秒至约20秒之间。

在操作450中，诸如在排气组件120中的残留物去除器136的残留物去除器，经起动以自排气组件120去除积聚材料。残留物去除器在排气管的内表面上移动以去除积聚材料。在一些实施例中，残留物去除器沿排气管来回移动以去除积聚材料。在一些实施例中，在每个操作中起动残留物去除器历时固定时间。在其他实施例中，残留物去除器的活动时间藉由积聚材料的量测数量来决定。当检测到的积聚材料越多，选择的活动时间越长。在每个自动清洗操作之后，可进行及决定如在操作430中的新的量测。在一些实施例中，活动时间可处于约10秒至60秒之间。

方法400提供用于清洗半导体制程工具的排气管的自动清洗操作。在方法400中的操作可按需要以组合或独立地操作。在一些实施例中，可忽略在操作420、操作430、操作440及操作450中的一或多个操作。

在一些实施例中，排气组件可藉由如在操作450中的定期操作残留物去除器以在排气管去除积聚材料，同时如在操作410中的经由排气管生成排气流来清洗。

在一些实施例中，排气组件可藉由如在操作450中的定期操作残留物去除器以在排气管去除积聚材料及如在操作440中的喷涂清洗剂，同时如在操作410中的经由排气管生成排气流来清洗。

在一些实施例中，排气组件可藉由如在操作440中的定期喷涂清洗剂，同时如在操作410中的经由排气管生成排气流来清洗。

在一些实施例中，当积聚材料的量测达到如在操作430中预定的位准时触发自动清洗操作。自动清洗操作可包括如在操作440中的在排气管中喷涂清洗剂及如在操作450中的操作残留物去除器。在一些实施例中，自动清洗操作包括如在操作450的操作残留物去除器而不喷涂清洗剂。在一些实施例中，自动清洗操作包括如在操作440中的在排气管中喷涂清洗剂而不操作残留物去除器。

图4b为根据方法400的图示在时间段期间示范性清洗制程的示意曲线。曲线460表示感测器140随着时间推移的量测。曲线462表示分配器142随着时间推移的状态。曲线462中的数值1指示分配器142为活动的，而数值0指示分配器142不活动。曲线464表示残留物去除器136随着时间推移的状态。在曲线464中的数值1指示残留物去除器136为活动的，而数值0指示残留物去除器136为不活动的。

当排气流流过排气管时，在操作410及操作420期间监控感测器142的量测。当感测器140的量测大于阈值i0时，分配器142及残留物去除器136不活动。在时间t1处，充足材料已积聚以引起感测器140的量测降至阈值i0以下。在时间t2处，感测器140的量测保持在阈值i0以下历时阀值时间段δt0，其当在操作440中时引起分配器142的致动。在时间t3处，已致动分配器142历时时间段δt1，停用分配器142以允许清洗剂浸渍。在时间t4处，在经过浸渍期δt2之后，当在操作450中时起动残留物去除器136以去除积聚材料。在时间t5处，残留物去除器136已活动历时活动期δt3并停用。当停用残留物去除器136时，已完成一个清洗周期。因为在时间t5处，感测器140的量测仍然处于阈值i0以下，所以自时间t5至时间t8执行包括喷涂、浸渍及残留物去除的后续清洗周期。在时间t8处，感测器140的量测高于阈值i0，其导致分配器142及残留物去除器136保持不活动直到感测器140的量测再次降低到阈值i0以下历时阀值时间段δt0。

残留物去除器自动地清洗排气管，因而藉由减少或除去手动排气清洗来提高生产力。本揭露的实施例允许排气组件自检测材料积聚以维持稳定排气状态，因而改善制程质量及避免排气管腐蚀。使用来自分配器的清洗剂改良残留物去除器的效果。气液分离器阻止有害材料进入工厂排气装置，因而降低工厂排气装置的负担并由于排气警报器减少运行阻碍。本揭露的实施例保持半导体工具的排气通道打开，进而藉由除去或减少手动清洗来提高生产力，稳定排气管并减少排气管中的腐蚀，减少由堵住的排气管引起的运行阻碍，延长定期维护之间的持续时间及减少基板返工率。

根据本揭露的排气组件可添加至用于半导体制程工具的任一管或管路系统，例如，旋转镀膜机、光阻剂显影剂、光微影扫描器、物理气相沉积腔室、化学气相沉积腔室、电镀腔室、蚀刻腔室、化学机械研磨腔室、磊晶(外延)沉积腔室、快速温度处理腔室、退火腔室等。

一些实施例提供一种用于半导体制程的方法。此方法包括：经由排气管生成排气流，监控排气管中的积聚材料，及致动设在排气管截面中的残留物去除器以自排气管去除积聚材料。

一些实施例提供一种用于半导体制程工具的排气组件。排气组件包括：排气管截面、经定位以检测排气管截面中的积聚材料的感测器、经定位以在排气管截面中分配清洗剂的分配器、及设置在排气管截面中的残留物去除器。残留物去除器可操作以在排气管截面中移动以自排气管截面的内表面去除积聚材料。

一些实施例提供一种用于半导体制程的方法。此方法包括：经由排气管截面生成排气流，在排气管截面中分配清洗剂；及在排气管截面中移动管清洗组件的残留物去除器以自排气管截面去除积聚材料。

本揭露的一实施态样系提供，一种半导体制程的方法包含以下步骤：流动排气使其经过排气管；监控排气管中的积聚材料；启动设置在排气管截面中的残留物去除器以从排气管中去除积聚材料；以及流动排气使其经过连接在残留物去除器的下游的气液分离器。

本揭露的制造方法，更包含：在启动残留物去除器之前在排气管中分配清洗剂。

本揭露的制造方法，更包含：在分配清洗剂之后将排气管浸在清洗剂中。

本揭露的制造方法，更包含：监控积聚材料包含监控光学感测器的量测。

本揭露的制造方法，其中致动残留物去除器包含使用致动器在排气管中来回驱动残留物去除器。

本揭露的制造方法，进一步包含以下步骤：将排气中的液体部分引导至排泄口。

本揭露的另一实施态样系提供一种用于半导体制程工具的排气组件，包含：排气管截面；感测器，经定位以检测在排气管截面中的一积聚材料；分配器，经定位以在排气管截面中分配清洗剂；以及残留物去除器，设置在排气管截面中，其中残留物去除器可操作以在排气管截面中移动以自排气管截面的内表面去除积聚材料。

本揭露的排气组件，更包含：致动器，致动器耦接至残留物去除器及可操作以在排气管截面中移动残留物去除器。

本揭露的排气组件，其中致动器为磁性轨迹。

本揭露的排气组件，其中残留物去除器包含：环形主体，具有抵靠排气管截面的内表面定位的外表面。

本揭露的排气组件，其中环形主体具有斜表面，及环形主体的斜表面及外表面形成楔。

本揭露的排气组件，其中感测器为光学感测器。

本揭露的排气组件，进一步包含气液分离器，气液分离器连接至残留物去除器的下游，其中气液分离器包含：第一管截面，具有第一端及第二端，及第一端口在第一端与第二端之间；以及一或多个致偏器，设置在邻近于第一端口的第一管截面中。

本揭露的排气组件，其中气液分离器进一步包含在第一端口处连接至第一管截面的第二管截面，及第一管截面具有用于连接至排泄口的第二端口。

本揭露的排气组件，其中一或多个致偏器包含：第一致偏器，设置在邻近于第一端口的管截面中，其中第一致偏器经定位以引导在流动中液体部分进入管截面中到达第二端口；以及第二致偏器，定位在第一端口下方。

本揭露的排气组件，其中气液分离器进一步包含定位在第一与第二致偏器之间的第三致偏器。

本揭露的另一实施态样是提供一种用于半导体制程的方法，包含以下步骤：经由排气管截面生成排气流；在排气管截面中分配清洗剂；以及在排气管截面中移动残留物去除器以自排气管截面去除积聚材料。

本揭露的制造方法，其中移动残留物去除器包含使用致动器在排气管截面中来回驱动残留物去除器以自排气管截面的内表面刮擦积聚材料。

本揭露的制造方法，进一步包含以下步骤：在排气管截面量测材料；以及当材料量测达到预定位准时致动残留物去除器。

本揭露的制造方法，进一步包含以下步骤：经由连接在残留物去除器的下游及在工厂排气装置的上游的气液分离器传递排气流以将排气流中的液体部分引导至排泄口。

上文概述若干实施例的特征，使得熟习此项技术者可更好地理解本揭露的态样。熟习此项技术者应了解，可轻易使用本揭露作为设计或修改其他制程及结构的基础，以便实施本文所介绍的实施例的相同目的及/或实现相同优势。熟习此项技术者亦应认识到，此类等效结构并未脱离本揭露的精神及范畴，且可在不脱离本揭露的精神及范畴的情况下产生本文的各种变化、替代及更改。