半导体激光器烧结夹具的制作方法

本发明涉及固定装置，特别是涉及一种半导体激光器烧结夹具。

背景技术：

半导体激光器生产过程中包含一道烧结工序，该烧结工序的主要效果是将激光器的主芯片焊接到起散热功能的散热器上。半导体激光器在烧结工序的加工质量会直接影响主芯片的散热性能。在烧结工序中，一般利用烧结夹具将激光器的主芯片固定在散热器上，然后实现烧结。现有的烧结夹具一般使用螺钉加压块的方式对激光器的主芯片进行固定，然而利用螺钉难以控制对主芯片的压力，若螺钉对主芯片的压力过大，则会令主芯片碎裂；若螺钉对主芯片的压力不足，则主芯片与散热器间会产生空洞，而空洞会令主芯片的散热性能受到影响。

技术实现要素：

基于此，本发明提供一种能为以适当的压力将半导体激光器主芯片按压到散热器上的半导体激光器烧结夹具。

为了实现本发明的目的，本发明采用以下技术方案：

一种半导体激光器烧结夹具，用于在半导体激光器进行烧结时，将半导体激光器的主芯片以适当的压力按压在散热器上，其特征在于，所述半导体激光器烧结夹具包括底座、安装在所述底座上的限位组件、与所述限位组件连接的若干压杆、及设置在所述底座上的弹性件；所述压杆压靠在所述弹性件上；所述压杆包括横向条、及自所述横向条的一端延伸的下压条。

本发明的半导体激光器烧结夹具通过利用所述弹性件顶压所述压杆的一侧，使所述压杆的另一端的下压条以适当的压力将半导体激光器的主芯片按压在散热器上，可保证半导体激光器的主芯片焊接效果，同时能避免半导体激光器的主芯片受到过大的压力而受损。

在其中一个实施例中，所述压杆枢接在所述限位组件上。

在其中一个实施例中，所述限位组件包括固定在所述底座上的限位座、安装在所述限位座上的限位条、及穿设在所述限位座上的锁定轴。

在其中一个实施例中，所述横向条上设有水平贯穿的转向孔；所述横向条以所述转向孔为分界点分为承压部及施压部。

在其中一个实施例中，所述下压条自所述施压部的一端垂直向下延伸；所述下压条的长度根据所述半导体激光器的主芯片的上表面与所述转向孔间的垂直距离而设定；所述下压条的下端设有开口槽。

在其中一个实施例中，所述弹性件的一端连接到所述底座的上表面；所述弹性件的另一端顶压所述承压部。

在其中一个实施例中，所述弹性件为弹簧。

在其中一个实施例中，所述限位座的上侧设有二锁轴块；所述底座在二所述锁轴块之间设有若干分位块；所述锁轴块上设有横向贯穿两侧的穿轴孔；所述分位块上设有两侧贯穿的通轴孔；所述分位块之间或所述分位块与所述锁轴块之间形成置杆槽。

在其中一个实施例中，所述置杆槽中设置有所述压杆。

在其中一个实施例中，所述锁定轴贯穿所述锁轴块的穿轴孔、所述分位块的通轴孔、及所述压杆的转向孔。

附图说明

图1为本发明的一较佳实施例的半导体激光器烧结夹具的立体示意图；

图2为图1所示的半导体激光器烧结夹具的使用时的立体示意图；

图3为图2所示的半导体激光器烧结夹具的圆圈a处的放大图；

图4为图1所示的半导体激光器烧结夹具的侧视图；

图5为图1所示的半导体激光器烧结夹具的正视图；

图6为图1所示的半导体激光器烧结夹具的分解示意图；

图7为图4所示的半导体激光器烧结夹具的圆圈b的放大示意图；

图8为图1所示的半导体激光器烧结夹具的在另一角度的分解示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

请参阅图1至图8，为本发明一较佳实施方式的半导体激光器烧结夹具100，用于在半导体激光器进行烧结时，将半导体激光器的主芯片801以适当的压力按压在散热器802上，该散热器802放置在封装管壳803中。该半导体激光器烧结夹具100包括底座10、安装在所述底座10上的限位组件、与所述限位组件连接的若干压杆30、及设置在所述底座10上的弹性件40；具体地，所述压杆30枢接在所述限位组件上；所述底座10用于承载封装管壳803；所述弹性件40顶压所述压杆30的下侧；所述压杆30用于向半导体激光器的主芯片801施加垂直向下的压力，令半导体激光器的主芯片801可靠贴合到散热器802上。

所述半导体激光器烧结夹具100还包括若干固定件。

所述底座10水平设置；所述底座10的四角设置为倒角；所述底座10的上表面设有容纳槽11。

所述限位组件包括固定在所述底座10上的限位座50、安装在所述限位座50上的限位条60、及穿设在所述限位座50上的锁定轴70；所述限位座50的上侧设有二锁轴块51；二所述锁轴块51分别设置在所述限位座50两端的上侧；所述锁轴块51上设有横向贯穿两侧的穿轴孔53；所述锁轴块51设有从所述锁轴块51一侧贯穿并连同所述穿轴孔53的定轴孔54；所述锁轴块51的上侧设有螺孔55。

所述底座10在二所述锁轴块51之间设有若干分位块52；各所述分位块52相互平行地分布在二所述锁轴块51之间；所述分位块52上设有两侧贯穿的通轴孔57；所述穿轴孔53及所述通轴孔57以同一水平线为轴；所述分位块52之间或所述分位块52与所述锁轴块51之间形成置杆槽56。

所述限位条60安装在限位座50上并水平设置；所述限位条60下侧中部延伸有下凸块61；所述限位条60两端分别设有固条孔62；所述限位条60安装在所述限位座50的上侧；所述下凸部位于二所述锁轴块51之间；所述下凸部的下表面贴合到所述分位块52的上侧；所述固条孔62与所述锁轴块51上的螺孔55对应；一所述固定件穿过所述固条孔62后连接到所述螺孔55中。

所述锁定轴70的直径大小与所述锁轴块51的穿轴孔53的大小对应；同时，所述锁定轴70的直径大小与所述分位块52的通轴孔57的大小对应。

所述压杆30包括横向条31、及自所述横向条31的一端垂直延伸的下压条32；所述横向条31上设有水平贯穿的转向孔33；所述横向条31以所述转向孔33为分界点分为承压部34及施压部35；所述下压条32自所述施压部35的一端垂直向下延伸；所述下压条32的下端设有开口槽36；各个所述压杆30的下压条32的长度根据相应的半导体激光器的主芯片801的上表面与所述转向孔33间的垂直距离而设定。

每一所述置杆槽56中设置有一所述压杆30；所述压杆30上的转向孔33与所述分位块52上的通轴孔57以同一水平线为中心轴；所述锁定轴70贯穿二所述锁轴块51的穿轴孔53、所述分位块52的通轴孔57、及所述压杆30的转向孔33；一所述固定件穿设到所述定轴孔54中；所述定轴孔54中的固定件的一端挤压所述锁定轴70位于所述穿轴孔53中的部分，令所述锁定轴70固定在限位座50上；所述压杆30可绕所述锁定轴70转动。

所述弹性件40的下端安装在所述底座10的上表面；所述弹性件40的上端顶压在所述横向条31承压部34的下侧；具体地，所述弹性件40为弹簧；在其中一种实施方式中，所述底座10上设有若干凸柱；所述弹簧的下端套设在所述底座10的凸柱上。

所述半导体激光器烧结夹具100在使用时，先将封装管壳803放置到所述容纳槽11中；所述封装管壳803内的设有高度阶梯排列的若干散热器802；所述容纳槽11的底面形状与所述封装管壳803的底板形状对应；所述半导体激光器的主芯片801呈片状；所述半导体激光器的主芯片801的上表面中部设有条状的发光区84；所述半导体激光器的主芯片801分别放置到所述封装管壳803内的相应的散热器802上后，由于各个所述散热器802的高度不一，因此各个所述半导体激光器的主芯片801处于不同的高度上。

每一所述压杆30的下压条32依靠所述弹性件40的弹力将一所述半导体激光器的主芯片801按压在相应的所述散热器802上；在所述半导体激光器的主芯片801安装到所述下压条32的下方前，可通过按压所述横向条31的承压部34的上表面，令所述下压条32抬升，将所述半导体激光器的主芯片801放到相应的所述散热器802上，松开所述横向条31的承压部34，所述下压条32在所述弹簧的弹力作用下自然地压向所述半导体激光器的主芯片801的上表面；所述半导体激光器的主芯片801上的发光区84为易损部位，所述下压条32的下端的开口槽36与所述半导体激光器的主芯片801上的发光区84对应，避免了所述半导体激光器的主芯片801上的发光区84因受压而损毁。

本实施例中，可通过对所述压杆30的承压部34的按压调整所述下压条32的位置，能为所述半导体激光器的主芯片801的放置带来方便。

任一所述半导体激光器的主芯片801与对应的所述下压条32的转向孔33间的垂直距离为绝对距离，由于每一所述下压条32的长度根据相应的绝对距离而设定，令所述下压条32的下端以垂直的压力按压在所述半导体激光器主芯片801的上表面，避免所述半导体激光器主芯片801因受到与上表面不成垂直的关系的压力而导致下表面与散热器802的上表面间产生倾角并影响焊接效果。

通过选用弹性系数适合的弹簧，可以使所述压杆30以适当的压力将所述半导体激光器的主芯片801按压在所述散热器802上，避免主芯片的受损。

本实施例中，通过利用所述弹性件顶压所述压杆的一侧，使所述压杆的另一端的下压条以适当的压力将半导体激光器的主芯片按压在散热器上，可保证半导体激光器的主芯片焊接效果，同时能避免半导体激光器的主芯片受到过大的压力而受损。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。