本申请要求于2016年9月23日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0122436号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本发明涉及一种显示装置以及一种该显示装置的制造方法。
背景技术：
电子装置采用液晶显示器(lcd)或有机发光二极管(oled)显示器作为显示装置。已经使用了包括蜂窝式电话、导航系统、数码相机、电子书阅读器、便携式游戏装置和各种终端的电子装置。
近来，电子装置已经发展为柔性的或者可折叠的或可拉伸的。例如，已经在开发可折叠显示装置、可弯曲显示装置或可拉伸显示装置。
技术实现要素：
根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括多个岛状体和将多个岛状体彼此连接的桥接件。多个岛状体中的每个岛状体包括柔性基底、设置在柔性基底的第一表面上的薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的第一电极以及设置在柔性基底的第二表面上的保护掩模。
根据本发明的示例性实施例，如下提供了一种显示装置的制造方法。形成辅助柔性基底。在辅助柔性基底上形成保护掩模。在辅助柔性基底和保护掩模上形成预柔性基底。在预柔性基底上形成薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的第一电极。通过使用保护掩模将辅助柔性基底和预柔性基底图案化，以形成柔性基底。
根据本发明的示例性实施例，如下提供了一种显示装置。柔性基底包括显示区和外围区。外围区包括弯曲区和非弯曲区。像素部设置在柔性基底的显示区的外表面上。保护掩模设置在柔性基底的显示区的内表面和非弯曲区的内表面上。驱动电路部设置在柔性基底的非弯曲区的外表面上。布线部连接像素部和驱动电路部。布线部设置在柔性基底的弯曲区的外表面上。
根据本发明的示例性实施例，如下提供了一种显示装置的制造方法。形成辅助柔性基底。在辅助柔性基底上形成保护掩模。在辅助柔性基底和保护掩模上形成包括显示区和外围区的预柔性基底。外围区包括弯曲区和非弯曲区。在预柔性基底的显示区上形成像素部。在预柔性基底的非弯曲区上形成驱动电路部。通过使用保护掩模将辅助柔性基底和预柔性基底图案化，以形成柔性基底。
根据本发明的示例性实施例，如下提供了一种显示装置的制造方法。
形成辅助柔性基底。在辅助柔性基底的第一表面上形成保护掩模。在辅助柔性基底的第一表面和保护掩模上形成预柔性基底，从而预柔性基底覆盖保护掩模。在预柔性基底上形成像素部。对辅助柔性基底的第二表面执行蚀刻工艺，以形成具有呈倒锥形形状的侧表面的柔性基底。辅助柔性基底的第二表面与辅助柔性基底的第一表面相对。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的这些和/或其他特征将变得更明显，在附图中：
图1示出了根据示例性实施例的显示装置的示意性俯视平面图；
图2和图3示出了图1的区域“a”中的一些的放大图；
图4示出了沿图2的线iv-iv截取的剖视图；
图5至图10示出了根据示例性实施例的显示装置的制造方法的工艺剖视图；
图11示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图；
图12至图14示出了根据示例性实施例的显示装置的制造方法的工艺剖视图。
具体实施方式
下面将参照附图详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应解释为仅局限于在这里阐述的实施例。在附图中，为了清楚，可夸大层和区域的厚度。还将理解的是，当元件被称作“在”另一元件或基底“上”时，该元件可以直接在所述另一元件或基底上，或者也可以存在中间层。还将理解的是，当元件被称作“结合到”或“连接到”另一元件时，该元件可以直接结合到或连接到所述另一元件，或者也可以存在中间元件。贯穿说明书和附图，同样的附图标记可以表示同样的元件。
在下文中，将参照图1至图4描述根据示例性实施例的显示装置。
图1示出了根据示例性实施例的显示装置的示意性俯视平面图，图2和图3示出了图1的区域“a”中的一些的放大图，图4示出了沿图2的线iv-iv截取的剖视图。图2示出了显示装置未被拉伸的状态，图3示出了显示装置被拉伸的状态。
如图1中所示，根据示例性实施例的显示装置100包括显示区da和外围区(pa)。
显示区da可以显示图像，可以针对显示区da中的每个像素设置薄膜晶体管和有机发光二极管。有机发光二极管可以在每个像素中发射光，以显示图像。外围区(pa)围绕显示区da，用于供应电力和显示信号的驱动电路、驱动芯片、各种布线、印刷电路板(pcb)等可以设置在外围区(pa)中。例如，用于传输用于驱动显示区da的预定信号的栅极驱动器、数据驱动器等可以设置在外围区(pa)中。
根据示例性实施例的显示装置100包括多个可拉伸单元，从而实现可拉伸显示装置。在下文中，将参照图2和图3来描述多个可拉伸单元。
如图2和图3中所示，可拉伸单元110包括岛状体112、桥接件114和开口116。可拉伸单元110与根据本示例性实施例的显示装置100的基本单元对应。在这种情况下，岛状体112表示其中设置有像素111的区域。
多个岛状体112设置为彼此间隔开预定距离。像素111设置在多个岛状体112中的每个岛状体处。像素111可以包括三个子像素。例如，三个子像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。然而，本发明不限于此。例如，像素111可以包括三个或更多个子像素。不同的子像素可以设置在多个岛状体112中的每个岛状体处。像素111可以是复数个。在这种情况下，具有三个子像素或更多个子像素的每个像素111可以设置在多个岛状体112中的每个岛状体处。
桥接件114从岛状体112的边界处延伸，以连接彼此相邻的岛状体112。用于连接设置在各个岛状体112处的像素111的导电布线可以设置在桥接件114处。设置在桥接件114处的布线可以向设置在岛状体112处的像素111供应电力和电信号。
开口116分别设置在岛状体112之间、桥接件114之间以及桥接件114与岛状体112之间。可以改变开口116的形状或尺寸，从而可以拉伸显示装置100。
随着包括在可拉伸单元110中的开口116的尺寸变化，显示装置100可以被拉伸。可以在例如下方向、上方向、左方向和右方向的各种方向上拉伸显示装置100。在这种情况下，可以基本不改变岛状体112的形状或面积，但是可改变岛状体112的位置。因此，即使拉伸显示装置100，也可以不损坏设置在岛状体112上的像素111，从而保持由显示装置100显示的图像。
在下文中，将参照图4来更充分地描述一个岛状体112。
如图4中所示，每个岛状体112包括柔性基底540、设置在柔性基底540的上表面上的薄膜晶体管tr和连接到薄膜晶体管tr的第一电极191。
柔性基底540可以包括柔性材料。例如，柔性基底540可以形成为包括聚酯类聚合物、硅类聚合物、丙烯酰类聚合物、聚烯烃类聚合物或它们的共聚物的膜类型。本发明不限于此。例如，柔性基底540可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)、聚硅烷、聚硅氧烷、聚硅氮烷、聚碳硅烷、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸乙酯、环烯烃共聚物(coc)、环烯烃聚合物(cop)、聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)、聚酰亚胺(pi)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚苯乙烯(ps)、聚缩醛(pom)、聚醚醚酮(peek)、聚醚砜(pes)、聚四氟乙烯(ptfe)、聚氯乙烯(pvc)、聚碳酸酯(pc)、聚偏二氟乙烯(pvdf)、全氟烃基聚合物(pfa)、苯乙烯丙烯腈(san)共聚物或它们的组合。
柔性基底540可以具有倒锥形形状。柔性基底540可以通过背面蚀刻工艺来图案化，因此柔性基底540的侧表面可以是倒锥形的。例如，柔性基底540可以具有第一侧表面ls-1和第二侧表面ls-2。在这种情况下，第一侧表面ls-1与第二侧表面ls-2之间的距离w向上地朝向晶体管tr增大。
在柔性基底540的刻蚀工艺中，可以使用紫外线。当柔性基底540由诸如聚酰亚胺(pi)的黄色材料制成时，可以在刻蚀工艺中阻挡诸如紫外线的短波长的光。如果紫外线穿透薄膜晶体管tr，那么可能会改变薄膜晶体管tr的特性。因此，可以在蚀刻工艺中防止由于紫外线入射到薄膜晶体管tr上而导致的薄膜晶体管tr的特性的改变。
缓冲层120可以设置在柔性基底540的第一表面(例如，柔性基底540的上表面)上。缓冲层120可以由氮化硅(sinx)的单层或包括彼此堆叠的氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)的多层形成。缓冲层120用于使柔性基底540的表面平坦化，同时防止诸如杂质或湿气的不期望的材料渗透。本发明不限于此。例如，可以省略缓冲层120。
半导体层135设置在缓冲层120上。半导体层135可以由多晶硅半导体材料或氧化物半导体材料制成。此外，半导体层135包括沟道区131以及设置在沟道区131的相对侧处的接触掺杂区132和133。接触掺杂区132和133可以分别被称作源区132和漏区133。在示例性实施例中，沟道区131不掺杂有杂质，源区132和漏区133可以掺杂有杂质。杂质根据薄膜晶体管的种类而变化。
栅极绝缘层140设置在半导体层135上。栅极绝缘层140可以包括诸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氟氧化硅(siof)或氧化铝(alox)的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。栅极绝缘层140可以形成为包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氟氧化硅(siof)或氧化铝(alox)的单层或者多层。
栅电极125设置在栅极绝缘层140上。在这种情况下，栅电极125与半导体层135中的至少一些叠置。例如，栅电极125与半导体层135的沟道区131叠置。
层间绝缘层160设置在栅电极125和栅极绝缘层140上。层间绝缘层160可以由诸如氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氟氧化硅(siof)或氧化铝(alox)的无机绝缘材料或者有机绝缘材料制成。层间绝缘层160可以形成为包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sion)、氟氧化硅(siof)或氧化铝(alox)的单层或者多层。
接触孔162和164穿透栅极绝缘层140和层间绝缘层160以暴露半导体层135。例如，接触孔162和164暴露半导体层135的接触掺杂区132和133。
源电极173和漏电极175设置在层间绝缘层160上。此外，源电极173和漏电极175分别通过接触孔162和164连接到半导体层135的源区132和漏区133。
这样，半导体层135、栅电极125、源电极173和漏电极175形成一个薄膜晶体管tr。本发明不限于此。例如，薄膜晶体管tr具有各种结构。有机发光二极管可以包括开关晶体管和驱动晶体管，前述的薄膜晶体管tr可以是驱动晶体管。虽然未示出，但是还可以设置开关薄膜晶体管。
钝化层180设置在薄膜晶体管tr和层间绝缘层160上。钝化层180用于去除阶梯并且使阶梯平坦，从而增大将要形成在钝化层180上的oled的发光效率。例如，钝化层180可以覆盖薄膜晶体管tr，从而在薄膜晶体管tr上方提供平坦化的表面。与漏电极175叠置的接触孔182形成为穿透钝化层180。例如，接触孔182暴露漏电极175。
钝化层180可以由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(bcb)制成。
第一电极191设置在钝化层180上。第一电极191可以由诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)等的透明导电材料或者诸如锂(li)、钙(ca)、氟化锂/钙(lif/ca)、氟化锂/铝(lif/al)、铝(al)、银(ag)、镁(mg)、金(au)等的反射金属制成。第一电极191通过设置在钝化层180中的接触孔182电连接到薄膜晶体管tr的漏电极175。第一电极191用作有机发光二极管(oled)的阳极。
虽然未示出，但是第一电极191可以包括具有透明导电材料的第一透明电极和第二透明电极以及设置在第一透明电极与第二透明电极之间的半透射层，以与第二电极270一起形成微腔。例如，第一电极191可以形成为包括由透明导电材料制成的层和由反射金属材料制成的层的多层。
像素限定层350设置在钝化层180以及第一电极191的边缘部分上。像素限定层350可以形成为围绕像素。像素限定层350可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的树脂或硅石基无机材料。
有机发射层370设置在第一电极191上。有机发射层370可以包括发射层、空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)或电子注入层(eil)。
有机发射层370可以包括用于发射红光的红色有机发射层、用于发射绿光的绿色有机发射层和用于发射蓝光的蓝色有机发射层。在示例性实施例中，有机发射层370可以具有红色有机发射层、绿色有机发射层和蓝色有机发射层分别堆叠在相应的像素上的结构。在这种情况下，可以通过形成用于每个像素的红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器来实现彩色图像。在示例性实施例中，通过在每个像素处形成用于发射白光的白色有机发射层以及通过形成用于每个像素的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，能够实现彩色图像。
第二电极270设置在有机发射层370和像素限定层350上。第二电极270可以由诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)等的透明导电材料或诸如诸如锂(li)、钙(ca)、氟化锂/钙(lif/ca)、氟化锂/铝(lif/al)、铝(al)、银(ag)、镁(mg)、金(au)等的反射金属制成。第二电极270可以是有机发光二极管(oled)的阴极。第一电极191、有机发射层370和第二电极270可以形成有机发光二极管(oled)。
包封层560可以设置在第二电极270上。包封层560覆盖有机发光二极管(oled)，从而防止湿气渗透到有机发光二极管(oled)中。
第二电极270的边缘和包封层560的边缘与柔性基底540的上表面的边缘重合。因此，在平面图中，第二电极270和包封层560可以具有与柔性基底540的形状相同的形状。
保护掩模530设置在柔性基底540的第二表面(例如，柔性基底540的下表面)上。保护掩模530可以由金属或无机绝缘材料制成。例如，保护掩模530可以包括非晶硅(α-si)。保护掩模530可以阻挡诸如紫外线的短波长的光。在有保护掩模530的情况下，防止紫外线入射到薄膜晶体管tr。因此，可以防止由于紫外线而导致的薄膜晶体管tr的特性改变。
保护膜620可以设置在保护掩模530上，粘合层610可以设置在保护掩模530与保护膜620之间。
保护膜620用于保护柔性基底540，并且可以形成为单层或多层。
粘合层610用于使柔性基底540和保护膜620彼此结合，并且可以包括光学透明粘合剂(oca)、光学透明树脂(ocr)或压敏粘合剂(psa)等。
如前所述的元件，保护膜620、粘合层610、保护掩模530、柔性基底540、缓冲层120、薄膜晶体管tr、栅极绝缘层140、层间绝缘层160、钝化层180、第一电极191、有机发射层370、第二电极270和包封层560设置在岛状体112中，但是不设置在开口116中。
已经示例性地描述了根据本示例性实施例的显示装置包括有机发光二极管，但是本发明不限于此。例如，本发明可以应用于液晶显示器等。
在下文中，将参照图5至图10来描述根据示例性实施例的显示装置的制造方法。
图5至图10示出了根据示例性实施例的显示装置的制造方法的工艺剖视图。
如图5中所示，在由固体材料制成的载体基底510上形成由柔性材料制成的辅助柔性基底520。可以使辅助柔性基底520形成为包括聚酯类聚合物、硅类聚合物、丙烯酰类聚合物、聚烯烃类聚合物和它们的共聚物中的一种的膜类型。例如，辅助柔性基底520可以由聚酰亚胺制成。
通过在辅助柔性基底520上沉积由金属或无机绝缘材料形成的预保护掩模层并且然后使预保护掩模层图案化来形成保护掩模530。可以使保护掩模530形成为单层或多层。例如，可以通过顺序地沉积氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)和非晶硅(α-si)并且然后使它们同时图案化来形成保护掩模530。
如图6中所示，通过使用柔性材料在辅助柔性基底520和保护掩模530上形成预柔性基底540'。预柔性基底540'可以由与辅助柔性基底520的材料相同或不同的材料制成。
如图7中所示，在预柔性基底540'上形成薄膜晶体管tr和连接到薄膜晶体管tr的第一电极191。
在预柔性基底540'上形成缓冲层120，在缓冲层120上形成半导体层135，在半导体层135上形成栅极绝缘层140。在栅极绝缘层140上形成栅电极125以与半导体层135叠置，在栅电极125上形成层间绝缘层160。在栅极绝缘层140和层间绝缘层160中设置接触孔162和164，以与半导体层135中的至少一些叠置。在层间绝缘层160上形成源电极173和漏电极175，使得源电极173和漏电极175分别通过接触孔162和164连接到半导体层135的源区132和漏区133。这样，用半导体层135、栅电极125、源电极173和漏电极175形成薄膜晶体管tr。
接下来，在薄膜晶体管tr和层间绝缘层160上形成钝化层180，在钝化层180中设置接触孔182以与漏电极175中的至少一些叠置。在钝化层180上形成第一电极191，从而第一电极191通过接触孔182连接到漏电极175。
接下来，使像素限定层350形成为与第一电极191的边缘叠置。在被像素限定层350围绕的像素中形成有机发射层370。然而，本发明不限于此，可以在像素外部形成有机发射层370。
接下来，在有机发射层370和像素限定层350上形成第二电极270，在第二电极270上形成包封层560。在形成包封层560之后，将载体基底510从辅助柔性基底520分离并且去除。
使薄膜晶体管tr和第一电极191形成为与保护掩模530叠置。例如，在不与保护掩模530叠置的部分处不形成缓冲层120、半导体层135、栅极绝缘层140、栅电极125、层间绝缘层160、源电极173、漏电极175、钝化层180、第一电极191和有机发射层370。
如图8中所示，在显示装置的后表面处通过氧等离子体处理来执行干法蚀刻工艺。在示例性实施例中，可以使用紫外线产生干法蚀刻工艺的氧等离子体。本发明不限于此。因为辅助柔性基底520的下表面被完全暴露，所以通过蚀刻工艺完全去除辅助柔性基底520。通过保护掩模530覆盖预柔性基底540'的一些，暴露预柔性基底540'的剩余部分。因此，使用保护掩模530使预柔性基底540'图案化。去除预柔性基底540'的不与保护掩模530叠置的部分，保留预柔性基底540'的与保护掩模530叠置的部分。
在这种情况下，因为执行背面蚀刻工艺，所以柔性基底540的剩余部分的侧表面具有倒锥形形状。例如，柔性基底540的形状从柔性基底540的与保护掩模530接触的下表面到柔性基底540的与缓冲层120接触的上表面逐渐变宽。
在背面蚀刻工艺期间辐照紫外线，当紫外线到达薄膜晶体管tr时，会改变薄膜晶体管tr的特性。在本示例性实施例中，因为紫外线被柔性基底540和保护掩模530阻挡，从而紫外线在背面蚀刻工艺期间不到达薄膜晶体管tr，可以保持薄膜晶体管tr的特性。
如图9中所示，通过干法蚀刻工艺来蚀刻保护掩模530、第二电极270和包封层560。去除第二电极270和包封层560的不与保护掩模530叠置的部分，减小保护掩模530的厚度。当由包括氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)和非晶硅(α-si)的三层形成保护掩模530时，可以去除由氮化硅和氧化硅形成的两层，并可以保留由非晶硅形成的一层。然而，本发明不限于此。例如，可以去除所有的保护掩模530。
第二电极270的边缘和包封层560的边缘与柔性基底540的上表面的边缘重合。因此，在平面图中，第二电极270和包封层560可以具有与柔性基底540的形状相同的形状。
如图10中所示，可以在保护掩模530上形成粘合层610，可以在粘合层610上形成保护膜620。可以通过粘合层610将保护膜620粘附到保护掩模530。
在下文中，将参照图11描述根据示例性实施例的显示装置。
图11示出了根据示例性实施例的显示装置的剖视图。为了便于描述，图11示出了弯曲显示装置之后得到的形状。
如图11中所示，根据示例性实施例的显示装置包括柔性基底740、设置在柔性基底740上的像素部810、驱动电路部840和保护掩模730。
柔性基底740包括显示区da和外围区pa，柔性基底740的外围区pa包括弯曲区ba和非弯曲区na。可以弯曲柔性基底740，具体地，弯曲区ba被弯曲为具有半圆形形状，使得显示区da和外围区pa的非弯曲区na彼此面对。在这种情况下，显示区da和外围区pa的非弯曲区na彼此面对的表面可以限定为柔性基底740的内表面。此外，位于柔性基底740的内表面的相对侧处的表面可以限定为柔性基底740的外表面。在图11中，柔性基底740的显示区da的下表面、弯曲区ba的右表面和非弯曲区na的上表面可以分别与柔性基底740的内表面对应。柔性基底740的显示区da的上表面、弯曲区ba的左表面和非弯曲区na的下表面可以分别与柔性基底740的外表面对应。
像素部810设置在柔性基底740的显示区da上。例如，像素部810可以设置在柔性基底740的显示区da的外表面上。像素部810可以包括多个像素，每个像素可以包括薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的电极。缓冲层750还可以设置在柔性基底740与像素部810之间。
驱动电路部840设置在柔性基底740的外围区pa上。例如，驱动电路部840可以设置在柔性基底740的外围区pa的外表面上。缓冲层750还可以设置在柔性基底740与驱动电路部840之间。
像素部810和驱动电路部840通过布线部820彼此连接。布线部820设置在柔性基底740的显示区da的边缘上。布线部820还设置在外围区pa的弯曲区ba和非弯曲区na上。例如，布线部820可以设置在柔性基底740的外部上。在柔性基底740的弯曲区ba中，布线部820可以根据柔性基底740弯曲的形状与柔性基底740一起弯曲。
用于保护布线部820的覆层830可以设置在柔性基底740的弯曲区ba上。
此外，柔性电路板850还可以设置在柔性基底740的非弯曲区na上。柔性电路板850可以设置在柔性基底740的非弯曲区na的外表面上。柔性电路板850可以通过布线部820连接到驱动电路部840。
保护掩模730可以设置在柔性基底740的显示区da和非弯曲区na上。例如，保护掩模730可以设置在柔性基底740的显示区da和非弯曲区na上。保护掩模730不设置在柔性基底740的弯曲区ba上。保护掩模730可以由金属或无机绝缘材料制成。保护膜860还可以设置在保护掩模730上。
针对每个区域，柔性基底740可以具有不同的厚度。柔性基底740的弯曲区ba的厚度(tb)可以比显示区da的厚度(td)薄，并且它可以比非弯曲区na的厚度(tn)薄。例如，柔性基底740的弯曲区ba的厚度(tb)是大约3μm，非弯曲区na的厚度(tn)可以是大约5μm。例如，柔性基底740与保护掩模730接触的部分的厚度比柔性基底740不与保护掩模730接触的部分的厚度厚。
如果柔性基底740的厚度是完全恒定的，那么中性表面np位于柔性基底740内部。中性表面np意味着当被弯曲时张力基本对应于0的部分。在本示例性实施例中，通过使柔性基底740的弯曲区ba的厚度(tb)形成为比显示区da的厚度(td)和非弯曲区na的厚度(tn)小，弯曲区ba中的中性表面np可以位于覆层830内部而不是柔性基底740内部。因此，施加到布线部820的拉应力可以转换成压应力，从而防止布线部820断开。
在柔性基底740的显示区da与弯曲区ba之间的边界处以及在柔性基底740的弯曲区ba与非弯曲区na之间的边界处，柔性基底740的侧表面可以具有倒锥形形状。可以通过背面蚀刻工艺将柔性基底740图案化，因此，柔性基底740的侧表面可以在执行背面蚀刻工艺的部分处具有倒锥形形状。
在下文中，将参照图12至图14来描述根据示例性实施例的显示装置的制造方法。
图12至图14示出了根据示例性实施例的显示装置的制造方法的工艺剖视图。
如图12中所示，在由固体材料制成的载体基底(未示出)上形成由柔性材料制成的辅助柔性基底720。可以使辅助柔性基底720形成为包括聚酯类聚合物、硅类聚合物、丙烯酰类聚合物、聚烯烃类聚合物和它们的共聚物中的一种的膜类型。
通过在辅助柔性基底720上沉积金属或无机绝缘材料并且然后使它图案化来形成保护掩模730。保护掩模730可以形成为单层或多层。例如，可以通过顺序地沉积氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)和非晶硅(α-si)并且然后使它们同时图案化来形成保护掩模730。
通过使用柔性材料在辅助柔性基底720和保护掩模730上形成预柔性基底740'。预柔性基底740'可以由与辅助柔性基底720的材料相同的材料制成，或者可以由与辅助柔性基底720的材料不同的材料制成。
预柔性基底740'包括显示区da和外围区pa。预柔性基底740'的外围区pa包括弯曲区ba和非弯曲区na。使保护掩模730形成为与预柔性基底740'的显示区da和非弯曲区na叠置。保护掩模730不与预柔性基底740'的弯曲区ba叠置。
在预柔性基底740'的显示区da上形成像素部810，在预柔性基底740'的非弯曲区na上形成驱动电路部840。还可以在预柔性基底740'的非弯曲区na上形成柔性电路板850。还可以在预柔性基底740'与像素部810之间、预柔性基底740'与驱动电路部840之间以及预柔性基底740'与柔性电路板850之间形成缓冲层750。此外，还可以形成用于连接像素部810和驱动电路部840的布线部820。布线部820可以连接驱动电路部840和柔性电路板850。还可以在布线部820上形成覆层830。
随后，可以将载体基底从辅助柔性基底720分离并且去除。
如图13中所示，在显示装置的后表面处通过氧等离子体处理来执行干法蚀刻工艺。因为辅助柔性基底720的下表面被完全暴露，所以通过蚀刻工艺完全去除辅助柔性基底720。通过保护掩模730覆盖预柔性基底740'的一些，使预柔性基底740'的剩余部分暴露。因此，使用保护掩模730作为蚀刻掩模使预柔性基底740'图案化。使预柔性基底740'的不与保护掩模730叠置的部分的厚度减小或凹进，保留预柔性基底740'的与保护掩模730叠置的部分。
在这种情况下，因为执行背面蚀刻工艺，所以由预柔性基底740'形成的柔性基底740的侧表面在柔性基底740的显示区da与弯曲区ba之间的边界处以及柔性基底740的弯曲区ba与非弯曲区na之间的边界处具有倒锥形形状。例如，柔性基底740的弯曲区ba从柔性基底740的下表面凹进，以形成凹进区rr。例如，凹进区rr的宽度w从柔性基底740的与保护掩模730接触的下表面到柔性基底740的与缓冲层750接触的上表面向上减小。
在使用紫外线的背面蚀刻工艺中，当紫外线到达像素部810的薄膜晶体管tr时，会改变薄膜晶体管tr的特性。在本示例性实施例中，因为紫外线被柔性基底740阻挡，从而紫外线在背面蚀刻工艺期间不到达像素部810，在背面蚀刻工艺之后保持薄膜晶体管的特性。
在图12中，根据本示例性实施例的显示装置的中性表面np位于柔性基底740内部。在图13中，随着柔性基底740的弯曲区ba的厚度(tb)减小，中性表面np位置在相应的区域中改变。例如，弯曲区ba中的中性表面np位于覆层830内部而不是柔性基底740内部。因此，施加到布线部820的拉应力可以转换成压应力，从而防止布线部820断开。
如图14中所示，可以在保护掩模730上形成保护膜860。可以通过粘合层(未示出)将保护膜860粘附到保护掩模730。
随后，弯曲柔性基底740的弯曲区ba，使得柔性基底740的显示区da和非弯曲区na彼此面对。
虽然已经参照本发明的示例性实施例示出并且描述了本发明，但是对本领域的普通技术人员将明显的是，在不脱离如权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的各种改变。