具有微腔结构的显示装置及用于形成显示装置的方法与流程

本申请要求于2016年8月31日提交的韩国专利申请no.10-2016-0112199的优先权权益，其通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。

本发明涉及具有微腔结构以提高发光效率(luminousefficacy)的显示装置及用于形成显示装置的方法。

背景技术：

通常，诸如监视器、tv、膝上型计算机和数字照相机的电子设备包括用于实现图像的显示装置。例如，显示装置可以包括液晶显示装置和有机发光显示装置。

显示装置可以包括像素区域。每个像素区域可以实现与相邻像素区域不同的颜色。例如，显示装置可以包括实现蓝色的蓝色像素区域，实现红色的红色像素区域和实现绿色的绿色像素区域。

发光结构可以设置在显示装置的每个像素区域上。例如，每个发光结构可以包括依次堆叠的下电极、发光层和上电极。为了提高发光效率，发光结构可以包括微腔结构。例如，每个发光结构的下电极可以包括反射电极和在反射电极上的透明电极。透明电极可以包括取决于由相应像素区域实现的颜色的厚度。

然而，在通过反射电极上的透明电极的厚度而包括微腔结构的显示装置中，每个像素区域上的具有导电材料的透明电极可能具有与实现与相应的像素区域不同的颜色的相邻像素区域的厚度不同的厚度。因此，用于形成显示装置的方法可以包括至少两个蚀刻工艺或沉积工艺，以便在像素区域上形成透明电极。因此，在通过透明电极的厚度而包括微腔结构的显示装置中，形成处理可能复杂，并且工艺时间可能增加。

而且，实现不同颜色的像素区域上的透明电极的厚度差异可能引起发光结构的高度差异。当形成有发光结构的下基板附接至上基板上时，发光结构的高度差异可能引起施加到每个像素区域的压力的变化。因此，在产生发光结构的高度差异的包括微腔结构的显示装置中，发光结构可能由于压力变化而损坏或者下基板与上基板之间的附接可能变得不完全。

技术实现要素：

因此，本发明涉及一种具有微腔结构的显示装置，其基本上消除了由于相关技术的缺陷和缺点而引起的一个或多个问题。

本发明的目的是提供一种可以简化形成微腔结构的工艺的显示装置及用于形成该显示装置的方法。

本发明的另一个目的是提供一种能够防止由微腔结构引起的损坏的显示装置及用于形成该显示装置的方法。

本发明的另外的优点、目的和特征一部分将在下面的描述中阐述，并且一部分对于本领域的普通技术人员在考察如下内容之后将变得明显或者可以从发明的实践中获悉。本发明的目的和其他优点可以通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其他优点并且根据本发明的目的，如本文中所实施和广泛描述的，提供了一种显示装置，其包括具有第一沟槽和比第一沟槽浅的第二沟槽的层间绝缘层。在层间绝缘层的第一沟槽的底表面上设置有第一发光结构。第一发光结构包括依次堆叠的第一反射电极、第一谐振层和第一透明电极。在层间绝缘层的第二沟槽的底表面上设置有第二发光结构。第二发光结构包括依次堆叠的第二反射电极、第二谐振层和第二透明电极。第一透明电极的上表面和第二透明电极的上表面低于层间绝缘层的上表面。

第二谐振层的厚度可以小于第一谐振层的厚度。

第一谐振层的透射率可以高于第一透明电极的透射率。第二谐振层的透射率可以高于第二透明电极的透射率。

第二谐振层可以包括与第一谐振层相同的材料。

第二透明电极的上表面可以与第一透明电极的上表面共面。

第一反射电极可以通过沿着第一沟槽的侧壁延伸而连接到第一透明电极。第二反射电极可以通过沿着第二沟槽的侧壁延伸而连接到第二透明电极。

可以在第一发光结构上设置第一滤色器。可以在第二发光结构上设置第二滤色器。穿过第二滤色器的光可以具有与穿过第一滤色器的光相比更短的波长。

可以在第一滤色器和第二滤色器之间设置黑矩阵。黑矩阵可以与第一沟槽和第二沟槽之间的层间绝缘层的上表面交叠。

为了实现本发明的另一个目的，显示装置包括下基板。下基板包括第一像素区域和被设置成靠近第一像素区域的第二像素区域。第二像素区域实现与第一像素区域不同的颜色。在下基板的第一像素区域上设置有第一发光结构。第一发光结构包括在第一反射电极与第一透明电极之间的第一谐振层。在下基板的第二像素区域上设置有第二发光结构。第二发光结构包括在第二反射电极与第二透明电极之间的第二谐振层。在下基板和第一发光结构之间设置有层间绝缘层。层间绝缘层在下基板和第二发光结构之间延伸。层间绝缘层在第一发光结构的第一透明电极和第二发光结构的第二透明电极之间延伸。

下基板和第二透明电极之间的距离可以与下基板和第一透明电极之间的距离相同。

第一谐振层和第二谐振层可以包括绝缘材料。

在第一发光结构上可以设置有第一滤色器。在第二发光结构上可以设置有第二滤色器。第一发光结构的下表面和第二发光结构的下表面可以低于层间绝缘层的最上端。

第二滤色器的下表面可以与第一滤色器的下表面共面。

为了实现本发明的另一个目的，一种形成显示装置的方法包括：在下基板上形成层间绝缘层的步骤，下基板具有第一像素区域和被设置成靠近第一像素区域的第二像素区域，第二像素区域实现与第一像素区域不同的颜色；在层间绝缘层中形成与下基板的第一像素区域交叠的第一沟槽和与下基板的第二像素区域交叠的第二沟槽的步骤，第二沟槽具有与第一沟槽不同的深度；在形成有第一沟槽和第二沟槽的层间绝缘层上形成反射电极材料层的步骤；在反射电极材料层上形成填充第一沟槽和第二沟槽的谐振材料层的步骤；通过减小谐振材料层的厚度形成具有设置在第一沟槽的内部的上表面的第一谐振层和具有设置在第二沟槽的内部的上表面的第二谐振层的步骤；在形成有第一谐振层和第二谐振层的下基板上形成透明电极材料层的步骤；在透明电极材料层上形成掩模材料层的步骤；通过减小掩模材料层的厚度直到第一沟槽和第二沟槽之间的透明电极材料层的上表面露出，形成与第一沟槽交叠的第一掩模图案和与第二沟槽交叠的第二掩模图案的步骤；通过蚀刻由第一掩模图案和第二掩模图案露出的透明电极材料层和反射电极材料层，形成设置在第一沟槽中的第一反射电极和第一透明电极以及设置在第二沟槽中的第二反射电极和第二透明电极的步骤；在去除第一掩模图案和第二掩模图案之后，在第一透明电极和第二透明电极上依次形成发光层和上电极的步骤。。

谐振材料层可以由透射率高于透明电极材料层的材料形成。

反射电极材料层可以形成为包括在第一沟槽的底表面以及第二沟槽的底表面上的与下基板的表面平行的上表面。

第一反射电极、第一透明电极、第二反射电极和第二透明电极可以通过干法蚀刻工艺形成。

第一沟槽和第二沟槽可以形成为具有取决于由相应像素区域所实现的颜色的不同深度。

形成第一谐振层和第二谐振层的步骤可以包括如下步骤：减小谐振材料层的厚度，使得第一谐振层和第二谐振层的上表面与层间绝缘层的上表面之间的垂直距离大于透明电极材料层的厚度。

附图说明

附图示出了本发明的实施方式并且连同说明书一起用于说明本发明的原理，附图被包括以提供对本发明的进一步的理解并且被合并在本申请中且构成本申请的一部分。在附图中：

图1是示意性示出根据本发明的实施方式的显示装置的横截面图；

图2是示意性示出根据本发明的另一个实施方式的显示装置的横截面图；以及

图3a至图3m是依次示出形成根据本发明的实施方式的显示装置的方法的视图。

具体实施方式

在下文中，参照附图通过以下详细描述将清楚地理解与本发明的实施方式的上述目的、技术配置和操作效果相关的细节，这些附图示出了本发明的一些实施方式。在此，提供本发明的实施方式，是为了使得本发明的技术精神能够圆满地被传达给本领域技术人员，因此本发明可以以其他形式来实施，而不限于下面将描述的实施方式。

此外，在整个说明书中，相同或非常相似的元件可以由相同的附图标记指定，并且在附图中，为了方便起见，层和区域的长度和厚度可能被夸大。应当理解，当第一元件被称为在第二元件“上”时，虽然第一元件可以被布置在第二元件上以便与第二元件接触，但是可以在第一元件和第二元件之间插入第三元件。

在此，诸如例如“第一”和“第二”的术语可以用于将任何一个元件与另一个元件区分开。然而，在不脱离本发明的技术精神的情况下，根据本领域技术人员的方便，第一元件和第二元件可以任意被命名。

本发明的说明书中使用的术语仅用于描述具体实施方式，并不意在限制本发明的范围。例如，除非上下文另外明确指出，否则以单数形式描述的元件意在包括多个元件。此外，在本发明的说明书中，还应当理解，术语“包括(comprise)”和“包括(include)”指定所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。

除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施方式所属的领域中的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，术语诸如常用词典中定义的这些术语应被解释为具有与相关领域背景下的含义一致的含义，不应以理想化的或过于正式的含义来解释，除非本文中明确如此定义。

(实施方式)

图1是示意性示出根据本发明的实施方式的显示装置的横截面图。

参照图1，根据本发明的实施方式的显示装置可以包括：下基板110、薄膜晶体管120、层间绝缘层130、发光结构100b、100r和100g以及上基板210。

下基板110可以支承薄膜晶体管120和发光结构100b、100r和100g。下基板110可以包括绝缘材料。例如，下基板110可以包括玻璃或塑料。

下基板110可以包括像素区域bp、rp和gp。像素区域bp、rp和gp可以实现不同的颜色。例如，下基板110可以包括蓝色像素区域bp、红色像素区域rp和绿色像素区域gp。

根据本发明的实施方式的显示装置被描述成下基板包括三种类型的像素区域bp、rp和gp。然而，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，下基板110可以包括两种或更多种类型的像素区域。例如，根据本发明的另一实施方式的显示装置可以包括具有蓝色像素区域bp、红色像素区域rp、绿色像素区域gp以及白色像素区域的下基板110。

薄膜晶体管120可以设置在下基板110的面对上基板210的表面上。薄膜晶体管120可以分别设置在下基板110的像素区域bp、rp和gp内。例如，薄膜晶体管120可以均等地设置在下基板110的各个像素区域bp、rp和gp中。

薄膜晶体管120中的每一个可以包括：设置成靠近下基板110的栅电极；栅电极上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的半导体图案；连接至半导体图案的端部区的源电极；以及连接至半导体图案的相对的端区的漏电极。薄膜晶体管120中的每一个还可以包括覆盖在源电极与漏电极之间的半导体图案的表面的蚀刻停止层(etchstopper)。

根据本发明的实施方式的显示装置被描述成薄膜晶体管120与下基板110直接接触。然而，根据本发明的另一实施方式的显示装置还可以包括在下基板110与薄膜晶体管120之间的缓冲层。缓冲层可以包括绝缘层。例如，缓冲层可以包括硅氧化物。

根据本发明的实施方式的显示装置被描述成薄膜晶体管120中的每一个可以具有其中半导体图案设置在栅电极上的结构。然而，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，薄膜晶体管120中的每一个可以包括在半导体图案上的栅电极。

层间绝缘层130可以设置在薄膜晶体管120上。薄膜晶体管120可以被层间绝缘层130覆盖。层间绝缘层130可以包括绝缘材料。例如，层间绝缘层130可以包括硅氧化物。

层间绝缘层130可以包括沟槽131t、132t和133t。沟槽131t、132t和133t可以分别设置在像素区域bp、rp和gp内。例如，层间绝缘层130可以包括：与蓝色像素区域bp交叠的第一沟槽131t，与红色像素区域rp交叠的第二沟槽132t；以及与绿色像素区域gp交叠的第三沟槽133t。

沟槽131t、132t和133t可以彼此间隔开。例如，沟槽131t、132t和133t之间的层间绝缘层130可以包括与下基板110的表面平行的上表面。在沟槽131t、132t和133t之间的层间绝缘层130的上表面可以与像素bp、rp和gp之间的边界面交叠。

设置在实现不同颜色的像素区域bp、rp和gp内的沟槽131t、132t和133t可以具有不同的深度。例如，沟槽131t、132t和133t中的每一个可以根据由相应像素区域bp、rp和gp实现的颜色而具有一深度。第二沟槽132t可以比第一沟槽131t浅。第一沟槽131t的底表面可以设置成比第二沟槽132t的底表面更靠近下基板110。第三沟槽133t可以比第一沟槽131t浅。第三沟槽133t可以比第二沟槽132t深。第三沟槽133t的底表面可以设置在第一沟槽131t的底表面与第二沟槽132t的底表面之间。沟槽131t、132t和133t的宽度可以相同。

发光结构100b、100r和100g可以分别实现特定的颜色。发光结构100b、100r和100g中的每一个可以具有微腔结构。例如，发光结构100b、100r、100g中的每一个可以包括依次堆叠的反射电极141、142和143，谐振层151、152和153，透明电极161、162和163，发光层180和上电极190。

发光结构100b、100r和100g可以分别设置在下基板110的像素区域br、rp和gp上。例如，发光结构100b、100r和100g可以包括：在下基板110的蓝色像素区域bp上的蓝色发光结构100b；在下基板110的红色像素区域rp上的红色发光结构100r；以及在下基板110的绿色像素区域gp上的绿色发光结构100g。

发光结构100b、100r和100g中的每一个可以设置在位于相应像素区域bp、rp和gp内的沟槽131t、132t和133t的底表面上。例如，各个发光结构100b、100r和100g的反射电极141、142和143，谐振层151、152和153，透明电极161、162和163，发光层180和上电极190可以依次堆叠在层间绝缘层130的相应沟槽131t、132t和133t的底表面上。

发光结构100b、100r和100g可以通过薄膜晶体管120选择性地生成实现特定颜色的光。例如，各个发光结构100b、100r和100g的反射电极141、142和143可以电连接至设置在相应像素区域bp、rp和gp内的薄膜晶体管120。例如，层间绝缘层130还可以包括接触孔131h、132h和133h，使得各个发光结构100b、100r和100g的反射电极141、142和143可以连接至相应的薄膜晶体管120。

层间绝缘层130的接触孔131h、132h和133h中的每一个可以设置在相应的沟槽131t、132t和133t下方。接触孔131h、132h和133h可以设置在相应的沟槽131t、132t和133t的侧壁附近。

层间绝缘层130的接触孔131h、132h和133h可以被相应发光结构100b、100r和100g的反射电极141、142和143完全填充。例如，使蓝色像素区域bp内的薄膜晶体管120的一部分露出的第一接触孔131h可以被蓝色发光结构100b的第一反射电极141完全填充。使红色像素区域rp内的薄膜晶体管120的一部分露出的第二接触孔132h可以被红色发光结构100r的第二反射电极142完全填充。使绿色像素区域gp内的薄膜晶体管120的一部分露出的第三接触孔133h可以被绿色发光结构100g的第三反射电极143完全填充。层间绝缘层130的沟槽131t、132t和133t的底表面上的反射电极141、142和143的上表面可以与下基板110的表面平行。

反射电极141、142和143可以包括具有高反射率的材料。例如，反射电极141、142和145可以包括金属(例如，铝(al))。反射电极141、142和143中的每一个可以具有多层结构。

谐振层151、152和153可以分别设置在相应的反射电极141、142和143上。例如，蓝色发光结构100b可以包括第一反射电极141上的第一谐振层151。红色发光结构100r可以包括第二反射电极142上的第二谐振层152。第三发光结构100g可以包括第三反射电极143上的第三谐振层153。

谐振层151、152和153的上表面可以低于沟槽131t、132t和133t之间的层间绝缘层130的上表面。例如，第一谐振层151的上表面可以设置在第一沟槽131t的内部。第二谐振层152的上表面可以设置在第二沟槽132t的内部。第三谐振层153的上表面可以设置在第三沟槽133t的内部。谐振层151、152和153可以通过沟槽131t、132t和133t之间的层间绝缘层130分开。层间绝缘层130可以在谐振层151、152和153之间延伸。

发光结构100b、100r和100g可以通过相应的谐振层151、152和153具有微腔结构。例如，实现不同颜色的像素区域bp、rp和gp中的谐振层151、152和153可以具有不同的深度。第二谐振层152可以比第一谐振层151薄。第三谐振层153可以比第一谐振层151薄。第三谐振层153可以比第二谐振层152厚。各个谐振层151、152和153的厚度可以与相应的沟槽131t、132t和133t的深度成比例。

谐振层151、152和153的上表面可以设置在同一平面中。例如，第二谐振层152的上表面可以设置在与第一谐振层151的上表面相同的平面中。第三谐振层153的上表面可以与第一谐振层151的上表面和第二谐振层152的上表面共面。

在根据本发明的实施方式的显示装置中，层间绝缘层130可以包括根据相应谐振层151、152和153的厚度而具有一深度的沟槽131t、132t和133t，以便于形成微腔结构。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，各个像素区域bp、rp和gp中的相应谐振层151、152和153上的透明电极161、162和163、发光层180和上电极190可以具有相同的高度。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，实现不同颜色的像素区域bp、rp和gp上的发光结构100b、100r和100g的最上端可以设置在同一平面中。

谐振层151、152和153可以包括绝缘材料。例如，各个谐振层151、152和153的透射率可以高于相应的发光结构100b、100r和100g的透明电极161、162和163的透射率。因此，在本发明的实施方式的显示装置中，通过微腔结构可以进一步提高发光效率。谐振层151、152和153可以全部包括相同的材料。

透明电极161、162和163可以设置在相应的谐振层151、152和153上。下基板110与各个透明电极161、162和163之间的距离在各个像素区域bp、rp和gp中可以相同。例如，红色像素区域rp上的第二透明电极162的下表面可以是与蓝色像素区域bp上的第一透明电极161的下基板相同的平面。绿色像素区域gp上的第三透明电极163的下表面可以与第一透明电极161的下表面和第二透明电极162的下表面共面。

透明电极161、162和163可以包括导电材料。例如，透明电极161、162和163可以包括透明导电材料(例如ito和izo)。

例如，透明电极161、162和163中的每一个可以用作相应的发光结构100b、100r和100g的下电极。透明电极161、162和163可以电连接至相应的反射电极141、142和143。例如，反射电极141、142和143可以沿着层间绝缘层130的相应的沟槽131t、132t和133t的侧壁延伸。第一反射电极141可以沿着第一沟槽131t的侧壁延伸到蓝色发光结构100b的第一透明电极161的侧表面上。第二反射电极142可以沿着第二沟槽132t的侧壁延伸到红色发光结构100r的第二透明电极162的侧表面上。第三反射电极143可以沿着第三沟槽133t的侧壁延伸到绿色发光结构100b的第三透明电极163的侧表面上。透明电极161、162和163的侧表面可以与相应的反射电极141、142和143直接接触。

不同像素区域bp、rp和gp上的透明电极161、162和163可以通过层间绝缘层130分开。例如，透明电极161、162和163的上表面可以低于沟槽131t、132t和133t之间的层间绝缘层130的上表面。第一透明电极161的上表面可以设置在第一沟槽131t中。第二透明电极162的上表面可以设置在第二沟槽132t中。第三透明电极163的上表面可以设置在第三沟槽133t中。层间绝缘层130可以在透明电极161、162和163之间延伸。

在根据本发明的实施方式的显示装置中，透明电极161、162和163可以设置在层间绝缘层130的沟槽131t、132t和133t内。因此，在根据在本发明的实施方式的显示装置中，可以不形成诸如用于将用作发光结构100b、100r和100g的下电极的透明电极161、162和163分开的堤岸(bank)绝缘层的技术特征。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以简化制造过程，并且可以减少处理时间。

透明电极161、162和163可以具有相同的厚度。例如，透明电极161、162和163的上表面可以设置在同一平面内。

发光结构100b、100r和100g可以在像素区域bp、rp和gp中实现相同的颜色。例如，发光结构100b、100r和100g可以包括由同一材料形成的发光层180。例如，发光结构100b、100r和100g的发光层180可以彼此连接。发光结构100b、100r和100g可以包括延伸到透明电极161、162和163上的发光层180。各个发光结构100b、100r和100g的发光层180可以延伸到沟槽131t、132t和133t之间的层间绝缘层130的上表面上。例如，各个发光结构100b、100r和100g的发光层180可以实现白色。

各个发光结构100b，100r和100g的发光层180可以包括具有发射材料的发射材料层(eml)。发射材料可以包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本发明的实施方式的显示装置可以是包括有机发光层的有机发光显示装置。

各个发光结构100b、100r和100g的发光层180可以具有多层结构，以提高发光效率。例如，各个发光结构100b、100r和100g的发光层180还可以包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)。

发光结构100b、100r和100g的上电极190可以沿着各个发光结构100b、100r和100g的发光层180延伸。例如，发光结构100b、100r和100g中的每一个可以包括延伸到相邻像素区域bp、rp和gp上的上电极190。

上电极190可以包括导电材料。上电极190可以包括透明材料。例如，上电极190可以包括与透明电极161、162和163相同的材料。

上基板210可以设置在上电极190上。上基板210可以包括绝缘材料。上基板210可以包括透明材料。例如，上基板210可以包括玻璃或塑料。

可以在上基板210的面对下基板110的表面上设置滤色器221、222和223。滤色器221、222和223可以将由发光结构100b、100r和100g生成的光转换成实现特定颜色的光。滤色器221、222、223中的每一个可以设置在相应的发光结构100b、100r和100g上。例如，滤色器221、222、223可以包括在蓝色发光结构100b上的蓝色滤色器221、在红色发光结构100r上的红色滤色器222、以及在绿色发光结构100g上的绿色滤色器223。

可以在滤色器221、222和223之间设置黑矩阵230。黑矩阵230可以与像素区bp、rp和gp之间的边界面交叠。例如，黑矩阵230可以与沟槽131t、132t和133t之间的层间绝缘层130的上表面交叠。根据本发明的实施方式的显示装置还可以包括在滤色器221、222和223以及黑矩阵230上的上钝化层240。上钝化层240可以包括绝缘材料。

根据本发明的实施方式的显示装置还可以包括在上电极190与上基板210之间的粘合剂层300。例如，其中形成滤色器221、222和223以及黑矩阵230的上基板210可以因粘合剂层300而附接至其中形成薄膜晶体管120和发光结构100b、100r和100g的下基板110。粘合剂层300可以包括热固性树脂。例如，粘合剂层300还可以包括吸湿材料。

因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，薄膜晶体管120与发光结构100b、100r和100g之间的层间绝缘层130可以包括根据在相应像素区域bp、rp和gp中实现的颜色而具有不同深度的沟槽131t、132t和133t，并且发光结构100b、100r和100g中的每一个可以通过设置在相应的沟槽131t、132t和133t内部的谐振层151、152和153的厚度而具有微腔结构，从而可以防止由于微腔结构引起的损坏。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置中，可以在不降低生产效率的情况下提高发光效率和可靠性。

根据本发明的实施方式的显示装置被描述成滤色器221、222和223以及黑矩阵230设置在上基板210上。然而，根据本发明另一实施方式的显示装置可以包括设置成靠近相应发光结构100b、100r和100g的上表面的滤色器521、522和523，如图2所示。例如，在根据本发明的另一实施方式的显示装置中，沟槽131t、132t和133t之间的层间绝缘层130可以沿着朝向上表面210的方向延伸，使得可以防止滤色器521、522和523的失准。在本发明的另一实施方式的显示装置中，滤色器521、522和523的下表面可以设置在同一平面中。在本发明的另一实施方式的显示装置中，沟槽131t、132t和133t之间的层间绝缘层130的最上端可以延伸到比滤色器521、522和523的下表面高的位置。

如图2所示，根据本发明的另一个实施方式的显示装置还可以包括下钝化层510以防止由于形成滤色器521、522的工艺而引起的发光结构100b、100r和100g的损坏。下钝化层510可以沿着发光结构100b、100r和100g的上电极190延伸。下钝化层510可以具有无机绝缘层和有机绝缘层的堆叠结构。例如，下钝化层510可以具有其中有机绝缘层被布置在无机绝缘层之间的结构。上钝化层530可以被布置在滤色器521、522和523的上表面上。

图3a至图3m是依次示出根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法的视图。

将参照图1以及图3a至图3m对根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法进行描述。首先，如图3a所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括在下基板110的像素区域bp、rp和gp中形成薄膜晶体管120的步骤。

像素区域bp、rp和gp可以彼此靠近地被布置。像素区域bp、rp和gp可以实现不同的颜色。例如，像素区域bp、rp和gp可以包括实现蓝色的蓝色像素区域bp、实现红色的红色像素区域rp和实现绿色的绿色像素区域gp。

薄膜晶体管120中的每一个可以包括栅电极、栅极绝缘层、半导体图案、源电极和漏电极。例如，形成薄膜晶体管120的步骤可以包括：在下基板110上形成栅电极的步骤；在每个栅电极上形成栅极绝缘层的步骤；在每个栅极绝缘层上形成半导体图案的步骤；以及在每个半导体图案上形成源电极和漏电极的步骤。

如图3b所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括在下基板110上形成覆盖薄膜晶体管120的层间绝缘层130的步骤。

薄膜晶体管120可以被层间绝缘层130完全覆盖。层间绝缘层130可以包括绝缘材料。例如，层间绝缘层130可以由硅氧化物形成。

如图3c所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括使用半色调掩模400在层间绝缘层130中形成要去除的区域131、132和133的步骤。

区域131、132和133可以彼此间隔开。区域131、132和133可以被布置在实现不同颜色的不同像素区域bp、rp和gp中。区域131、132和133可以具有不同的深度。

半色调掩模400可以包括具有不同透射率的透射部分410、420和430。透射部分410、420和430可以被布置在实现不同颜色的不同像素区域bp、rp和gp上。例如，半色调掩模400可以包括蓝色像素区域bp上的第一透射部分410、红色像素区域rp上的第二透射部分420、绿色像素区域gp上的第三透射部分430、以及透射部分410、420和430之间的遮光部分440。每个透射部分410、420和430的相对透射率可以根据由相应像素区域bp、rp和gp中发出的光来实现的特定颜色而变化。例如，第二透射部分420的透射率可以低于第一透射部分410的透射率。第三透射部分430的透射率可以低于第一透射部分410的透射率。第三透射部分430的透射率可以高于第二透射部分420的透射率。

例如，要去除的区域131、132和133的深度可以由相应像素区域bp、rp和gp上的半色调掩模400的相应透射部分410、420和430来确定。例如，形成在红色像素区域rp中的区域132可以被形成为比形成在蓝色像素区域bp中的区域131更薄。形成在绿色像素区域gp中的区域133可以被形成为比形成在蓝色像素区域bp中的区域131更薄。形成在绿色像素区域gp中的区域133可以被形成为比形成在红色像素区域bp中的区域132更厚。

区域131、132和133之间的层间绝缘层130可以与半色调掩模400的遮光部分440交叠。例如，区域131、132和133之间的层间绝缘层130可以通过半色调掩模400的遮光部分440不暴露于形成要除去的区域131、132和133的光。区域131、132和133可以被遮光部分440分隔开。

如图3d所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括在层间绝缘层130中形成沟槽131t、132t和133t的步骤。

形成沟槽131t、132t和133t的步骤可以包括去除区域131、132和133的步骤。例如，沟槽131t、132t和133t可以包括形成在蓝色像素区域bp中的第一沟槽131t、形成在红色像素区域rp中的第二沟槽132t和形成在绿色像素区域gp中的第三沟槽133t。沟槽131t、132t和133t可以取决于相应像素区域bp、rp和gp例如区域131、132和133中所实现的颜色，具有不同的深度。

如图3e所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括在层间绝缘层130中形成接触孔131h、132h和133h的步骤。

接触孔131h、132h和133h可以分别将相应薄膜晶体管120的一部分在相应像素区域bp、rp和gp中露出。例如，每个接触孔131h、132h和133h可以形成在相应沟槽131t、132t和133t的底表面中。接触孔131h、132h和133h可以分别形成在相应沟槽131t、132t和133的侧壁附近。

如图3f所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括在形成有沟槽131t、132t和133t的层间绝缘层130上形成反射电极材料层140的步骤。

反射电极材料层140可以沿着层间绝缘层130的表面延伸。反射电极材料层140可以被形成为完全填充层间绝缘层130的接触孔131h、132h和133h。层间绝缘层130的沟槽131t、132t和133t的底表面上的反射电极材料层140的上表面可以与下基板110的上表面平行。

反射电极材料层140可以包括导电材料。例如，反射电极材料层140可以包括金属例如铝(al)。

如图3g所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括在反射电极材料层140上形成谐振材料层150的步骤。

可以形成谐振材料层150以填充层间绝缘层130的沟槽131t、132t和133t。谐振材料层150可以包括绝缘材料。谐振材料层150可以由透射率高于通过后续工艺形成的透明电极材料层的材料形成。

如图3h所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括使用谐振材料层150形成谐振层151、152和153的步骤。

形成谐振层151、152和153的步骤可以包括减小谐振材料层150的厚度使得谐振层151、152和153的上表面分别被布置在相应沟槽131t、132t和133t的内部的步骤。谐振层151、152和153的上表面可以被布置在同一平面内。

如图3i所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括在形成有谐振层151、152和153的下基板110上形成透明电极材料层160的步骤。

透明电极材料层160可以由导电材料形成。透明电极材料层160可以由透明材料形成。例如，透明电极材料层160可以由ito或izo形成。

如图3j所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括在透明电极材料层160上形成掩模材料层170的步骤。

掩模材料层170可以由对于透明电极材料层160和反射电极材料层140具有蚀刻选择性的材料形成。例如，掩模材料层170可以由光刻胶材料形成。

如图3k所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括使用掩模材料层170形成掩模图案171、172和173的步骤。

形成掩模图案171、172和173的步骤可以包括减小掩模材料层170的厚度使得沟槽131t、132t和133t之间的透明电极材料层160的上表面露出的步骤。例如，掩模图案171、172和173可以包括与第一沟槽131t交叠的第一掩模图案171、与第二沟槽132t交叠的第二掩模图案172和与第三沟槽133t交叠的第三掩模图案173。掩模图案171、172和173的上表面可以被布置在同一平面中。

如图3l所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括使用掩模图案171、172和173形成反射电极141、142和143以及透明电极161、162和163的步骤。

形成反射电极141、142和143以及透明电极161、162和163的步骤可以包括对由掩模图案171、172和173露出的透明电极材料层160和反射电极材料层140进行干法蚀刻的步骤。

透明电极161、162和163的上表面可以低于沟槽131t、132t和133t之间的层间绝缘层130的上表面。为此，在根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法中，形成谐振层151、152和153的步骤可以包括以下步骤：减小谐振材料层150的厚度，使得谐振层151、152和153的上表面与层间绝缘层130的最上端之间的距离能够大于透明电极材料层160的厚度。

如图3m所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括在像素区域bp、rp和gp上形成具有反射电极141、142和143、谐振层151、152和153以及透明电极161、162和163的发光结构100b、100r和100g的步骤。

形成发光结构100b、100r和100g的步骤可以包括：去除掩模图案171、172和173的步骤；以及在形成有透明电极161、162和163的下基板110上依次形成发光层180和上电极190的步骤。

如图1所示，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括：在上电极190上设置(locate)具有滤色器221、222和223以及黑色矩阵230的上基板210的步骤；以及使用粘合剂层300将上基板210附接至其中形成发光结构100b、100r和100g的下基板110的步骤。

因此，根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法可以包括：在覆盖薄膜晶体管120的层间绝缘层130中形成根据像素区域bp、rp和gp中实现的颜色而具有不同深度的沟槽131t、132t和133t的步骤；以及在每个沟槽131t、132t和133t内形成相应发光结构100b、100r和100g的反射电极141、142和143，谐振层151、152和153以及透明电极161、162和163的步骤。因此，在根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法中，可以简化形成微腔结构的工艺，并且可以减小发光结构100b、100r和100g的高度差。因此，在根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法中，可以在不降低生产效率的情况下提高发光效率和可靠性。

因此，根据本发明的实施方式的显示装置以及形成显示装置的方法可以包括具有微腔结构的发光结构。发光结构可以包括在实现不同颜色的像素区域上具有相同厚度的透明电极。发光结构的最上端可以具有基本上相同的平面。因此，在根据本发明的实施方式的显示装置以及形成显示装置的方法中，可以使用于形成微腔结构的工艺最少化，并且可以防止由于微腔结构而引起的损坏。因此，在根据本发明的实施方式的形成显示装置的方法中，可以在不降低生产效率的情况下提高发光效率和可靠性。