晶片的加工方法与流程

本发明涉及晶片的加工方法。

背景技术：

在对晶片进行加工而制作出芯片等的工序中，为了对正面上形成有器件的晶片进行薄化而例如对该晶片的背面侧进行磨削。之后，通过对该晶片进行分割而形成各个芯片。在对晶片进行分割时，首先，通过激光加工装置沿着格子状的间隔道在晶片中形成作为分割的起点的改质层，接着，对晶片作用外力而使裂纹从该改质层沿晶片的厚度方向延伸。

针对上述那样的芯片等的制作工序，例如，如专利文献1所示的那样，讨论了同时实施对晶片的背面侧的磨削和分割成芯片的工序。在该工序中，预先通过激光加工装置沿着间隔道在晶片中形成改质层，之后，对该晶片的背面侧进行磨削而使晶片薄化并且使裂纹从该改质层延伸而对晶片进行分割。这样，当同时实施分割和磨削时，能够简化工序。

专利文献1：国际公开第03/077295号

在这样的工序中，当实施磨削时裂纹从该改质层延伸，形成将晶片分离成芯片的间隙，但该间隙非常狭窄。并且，由于在形成该间隙之后也继续进行磨削，所以所形成的各芯片随着磨削时施加的力而发生移动。

当沿着格子状的间隔道对晶片进行分割时，由于多个芯片变成网格状密布排列的状态，所以当芯片因磨削而发生移动时，芯片的角部(角)与相邻于该角部侧的其他芯片的角部接触。由于芯片的角部抗冲击能力较弱，所以当角部与角部接触而施加冲击时，容易在该芯片中产生缺陷或裂纹等损伤。由于产生了损伤的芯片是不合格的，所以角部彼此的接触尤其成为问题。

在实施磨削之前在晶片的正面上粘贴对该正面进行保护的正面保护带，当在晶片中形成了该间隙之后各芯片也被该正面保护带支承。但是，由于正面保护带的粘贴力(粘接力)通常没有强到能够彻底防止各芯片因磨削导致的移动的程度，所以正面保护带无法防止芯片的角部彼此的接触。

正面保护带是出于保护晶片的正面、不使形成于该正面的器件产生损伤的目的而使用的，只要按照发挥该功能的程度的强度粘贴在晶片上，则不需要更高的粘贴力(粘接力)。因此，如果只在晶片上粘贴正面保护带，无法充分地抑制芯片的移动，产生了这样的问题。

技术实现要素：

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，能够抑制芯片的角部受到的冲击并抑制在芯片上产生缺陷或裂纹等损伤而对晶片进行分割。

根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，该晶片具有正面，在该正面上，在由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：正面保护带粘贴步骤，在晶片的该正面上粘贴正面保护带；改质层形成步骤，在实施了该正面保护带粘贴步骤之后，沿着该间隔道从晶片的背面侧照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，从该背面侧对晶片进行磨削而薄化，在该正面保护带粘贴步骤中，一边对该正面保护带进行加热一边进行粘贴，在该改质层形成步骤或磨削步骤中，形成从该改质层到该晶片的正面的裂纹，在该磨削步骤中，以该裂纹为边界对晶片进行分割而形成各个芯片。

另外，在本发明的一个方式中，也可以是，该多条间隔道包含在第1方向上延伸的第1间隔道以及在与该第1方向交叉的第2方向上延伸的第2间隔道，在该改质层形成步骤中形成的该改质层包含沿着该第1间隔道的第1改质层以及沿着该第2间隔道的第2改质层，该第1改质层具有以该第2间隔道为界的一侧的第1部分和另一侧的第2部分，在该改质层形成步骤中，该第1改质层的第1部分和该第1改质层的第2部分在第2方向上互相错开而形成。

根据本发明的一个方式的晶片的加工方法，正面保护带在被加热的状态下粘贴在晶片的正面上。该正面保护带由基材和糊层构成，该糊层在被加热时软化而提高与晶片的正面的密接性。那样的话，在晶片被分割成各个芯片之后，由于该正面保护带对各芯片进行更强力地支承，所以抑制了各芯片的角部彼此的接触。其结果是，抑制了在芯片中产生缺陷或裂纹等损伤。

因此，根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，能够抑制芯片的角所受到的冲击，抑制在芯片中产生缺陷或裂纹等损伤，能够对晶片进行分割。

附图说明

图1的(a)是示出晶片的一例的立体图，图1的(b)是对正面保护带粘贴步骤进行示意性说明的剖视图。

图2的(a)是对改质层形成步骤进行示意性说明的局部剖视图，图2的(b)是对磨削步骤进行示意性说明的局部剖视图。

图3是对间隔道、器件以及改质层的位置关系进行说明的俯视图。

标号说明

1：晶片；1a：正面；1b：背面；1c：第1方向；1d：第2方向；3：间隔道；3a：第1间隔道；3b：第2间隔道；5：器件；7：正面保护带；9：改质层；9a：第1改质层；9b：第2改质层；2：卡盘工作台；2a：框体；4：保持部；6：吸引源；8：吸引路；10：加热单元；10a：框体；12：发热体；14：板；16：隔热件；18：辊；20：激光加工装置；22：卡盘工作台；22a：保持面；24：加工头；26：磨削装置；28：主轴；30：磨削磨轮；32：磨削磨具；34：卡盘工作台；34a：保持面。

具体实施方式

对本发明的实施方式进行说明。对作为本实施方式的加工方法的被加工物的晶片进行说明。图1是示出该晶片的一例的立体图。作为本实施方式的加工方法中的被加工物的晶片1，例如是由硅、sic(碳化硅)或其他半导体等材料构成或由蓝宝石、玻璃、石英等材料构成的基板。

晶片1的正面1a被呈格子状排列的间隔道3划分成多个区域。间隔道3包含在第1方向1c上延伸的第1间隔道3a和在与该第1方向1c交叉的第2方向1d上延伸的第2间隔道3b。并且，在由间隔道3划分出的各区域中形成有ic等器件5。晶片1最终被沿着间隔道3进行分割而形成各个芯片。

接着，对本实施方式的晶片1的加工方法进行说明。在该加工方法中，实施正面保护带粘贴步骤，在晶片1的正面1a上粘贴正面保护带。在该正面保护带粘贴步骤之后，实施改质层形成步骤，沿着晶片1的间隔道3形成作为分割的起点的改质层。在实施了该改质层形成步骤之后，实施磨削步骤，对晶片1的背面1b进行磨削而将晶片1分割成各个器件芯片。

另外，在改质层形成步骤或磨削步骤中，使裂纹从该改质层向晶片1的正面1a延伸。并且，当该裂纹达到将晶片在厚度方向上贯通的程度，或对晶片1的背面1b侧进行磨削而使该裂纹在背面侧1b露出时，晶片1被分割成各个器件芯片。

以下，对本实施方式的晶片的加工方法的各步骤进行详细地说明。

使用图1的(b)对正面保护带粘贴步骤进行说明。在正面保护带粘贴步骤中，在晶片1的正面1a上粘贴正面保护带7。在实施本实施方式的晶片的加工方法的期间正面保护带7具有如下功能：保护晶片1的正面1a侧免受在各步骤或搬送等时施加的冲击，防止在器件5上产生损伤。

首先，对在正面保护带粘贴步骤中使用的卡盘工作台2进行说明。卡盘工作台2具有：框体2a，其具有凹部；以及保持部4，其由多孔质部件制成，将该框体2a的该凹部填平。在卡盘工作台2的内部具有一端与吸引源6连接的吸引路8，该吸引路8的另一端与该保持部4连接。该吸引源6所产生的负压通过保持部4内的孔而作用于该保持部4上所载置的晶片1，由此，晶片1被吸引保持在卡盘工作台2上。

卡盘工作台2在比保持部4靠下方的位置还具有加热单元10。该加热单元10具有对吸引保持在卡盘工作台2上的晶片1进行加热的功能。该加热单元10具有框体10a，该框体10a具有凹部。在该凹部中配置有发热体(加热构件)12、该发热体12上的板14以及该发热体12下的隔热件16。

该发热体12例如是卷绕成螺旋状的电热线，通过控制器(未图示)对流过该电热线的电流进行控制以使该发热体12成为规定的温度。通过设置于下部的隔热件16来抑制该发热体12所产生的热量向下方传递，另一方面，通过设置于上部的板14来促进该发热体12所产生的热量向上方传递。另外，对板14例如使用热传导性较高的铝。根据这样的构造，加热单元10能够对卡盘工作台2上的晶片1进行高效地加热。

在正面保护带粘贴步骤中，首先，将晶片1以正面1a朝向上方的状态载置在卡盘工作台2的保持部4上。然后，使该吸引源6进行动作而通过吸引路8和保持部4的多孔质部件对晶片1作用负压，将晶片1吸引保持在卡盘工作台2上。

接着，在加热单元10的发热体12中流过电流而使发热体12发热。将发热体12所发出的热量传递给吸引保持在卡盘工作台2上的晶片1，晶片1被加热。在晶片1的温度已成为规定的温度的状态下，将正面保护带7粘贴在晶片1的正面1a上。在本实施方式中，为了使该粘贴更加可靠，在粘贴于晶片1的正面1a的正面保护带7上放置辊18，一边利用该辊18拉伸正面保护带7以使其不产生褶皱，一边进行粘贴。

正面保护带7具有膜状的基材和形成在该基材的一个面上的糊层(粘接剂层)，该基材具有挠性。例如，对基材使用pet(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、po(聚烯烃)、聚氯乙烯、聚苯乙烯等。也可以通过层叠由不同材料制成的2个以上的层而形成基材。并且，对糊层(粘接剂层)例如使用硅橡胶、丙烯酸类材料、环氧类材料等。

正面保护带7以使该糊层朝向晶片1的正面1a的方式进行粘贴。当将该正面保护带7粘贴在加热后的晶片1上时，热量从该晶片1传递到该正面保护带7而对其进行加热。由于正面保护带7的该糊层随着温度的上升而软化，所以该糊层在与加热后的晶片1接触时会软化。

当该糊层软化时，由于针对晶片1的正面1a的密接性变高，所以在晶片1被分割成各个芯片之后也能够更牢固地保持各个芯片。因此，即使在分割成各个芯片之后作用因磨削产生的力，芯片也不容易产生移动。那样的话，由于芯片的角部彼此的接触的频率也能够降低，所以不容易在芯片中产生裂纹或缺陷等损伤。

另外，也可以不通过从该晶片1传递的热量对正面保护带7进行加热，例如，也可以在该辊18上设置发热体，通过从该辊18传递的热量进行加热。并且，也可以在正面保护带7粘贴在晶片1的正面1a上之后通过灯或暖风进行加热。温度越高则正面保护带7的糊层越容易软化，例如，加热到40℃以上、优选50℃以上的温度。

但是，由于当正面保护带的7的温度变得过高时，正面保护带7所具有的基材或糊层会熔融，正面保护带7无法再发挥其功能，所以加热温度必须比基材或糊层熔融的温度低。另外，基材或糊层熔融的温度根据其材质而不同，例如，在基材使用pet(聚对苯二甲酸乙二醇酯)的情况下，在大约90℃之前不会熔融，在使用po(聚烯烃)的情况下，在大约70℃之前不会熔融。

接着，使用图2的(a)对本实施方式的改质层形成步骤进行说明。改质层形成步骤在实施正面保护带粘贴步骤之前或之后实施。由于当在正面保护带粘贴步骤之后实施时，晶片1的正面1a在改质层形成步骤中也受保护，所以特别优选。

在改质层形成步骤中，从晶片1的背面1b侧照射激光束，使激光束会聚在晶片1的内部的规定的深度而形成改质层9。在改质层形成步骤中使用的激光加工装置20具有：卡盘工作台22，其对晶片1进行吸引保持；以及加工头24，其振荡出激光束。

卡盘工作台22在内部具有与吸引源(未图示)连接的吸引路(未图示)，该吸引路的另一端与卡盘工作台22上的保持面22a连接。该保持面22a由多孔质部件构成，该吸引源所产生的负压通过保持部4内的孔对载置在该保持面22a上的晶片1进行作用，由此，晶片1被吸引保持在卡盘工作台22上。

加工头24具有振荡出对于晶片具有透过性的激光束并使激光束会聚在晶片1的内部的规定的深度的功能，在该规定的深度形成改质层9。另外，该激光束例如使用以nd：yag为介质进行振荡的激光束。

激光加工装置20能够通过以脉冲电动机等为动力的加工进给构件(加工进给机构、未图示)使卡盘工作台22在激光加工装置20的加工进给方向(例如，图2的(a)的箭头的方向)上移动。在对晶片1进行加工时等，在加工进给方向上对卡盘工作台22进行进给而对晶片1进行加工进给。并且，卡盘工作台22能够绕与保持面22a大致垂直的轴进行旋转，能够改变卡盘工作台22的加工进给的方向。

此外，激光加工装置20能够通过以脉冲电动机等为动力的分度进给构件(分度进给机构、未图示)使卡盘工作台22在激光加工装置20的分度进给方向(未图示)上移动。

在改质层形成步骤中，首先，使晶片1的正面1a朝向下侧而将晶片1载置在激光加工装置20的卡盘工作台22上。然后，从该卡盘工作台22作用负压而使晶片1吸引保持在卡盘工作台22上。在对晶片1进行吸引保持之后，对卡盘工作台22与加工头24的相对位置进行调整以便能够沿着间隔道3形成改质层9。

接着，从激光加工装置20的加工头24对晶片1的背面1b照射激光束。使激光束会聚在晶片1的规定的深度的位置而形成改质层(分割的起点)9。一边照射激光束一边使卡盘工作台22移动而对晶片1进行加工进给，以便能够沿着间隔道3形成改质层9。

在沿着一条间隔道3形成了改质层9之后，对晶片1进行分度进给而沿着相邻的间隔道3依次形成改质层(分割的起点)9。然后，使卡盘工作台22旋转而切换对晶片1进行加工进给的方向，之后，同样通过照射激光束而沿着全部的间隔道3形成改质层9。

另外，根据激光束的照射条件，能够在形成了改质层9之后形成从该改质层9到晶片1的正面1a的裂纹。这样，当能够在改质层形成步骤中形成裂纹时，不需要另外实施用于形成裂纹的步骤，能够简化工序。

接着，使用图2的(b)对磨削步骤进行说明。在改质层形成步骤之后实施该磨削步骤。在该磨削步骤中，对晶片1的背面1b侧进行磨削而使晶片1薄化至规定的厚度。当在改质层形成步骤中未形成作为分割时的边界的裂纹的情况下，在该磨削步骤中形成该裂纹。在该情况下，对该改质层9作用因磨削而产生的外力而形成该裂纹。当对形成了裂纹的晶片1的背面1b进行磨削时，能够将晶片1分割成各个芯片。

图2的(b)是对磨削步骤进行示意性说明的局部剖视图。在本步骤中使用磨削装置26。磨削装置26具有：主轴28，其构成与磨削磨轮30垂直的旋转轴；以及圆盘状的磨削磨轮30，其安装在该主轴28的一端侧，在下侧具有磨削磨具32。该主轴28的另一端侧与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，当该电动机使该主轴28进行旋转时，安装在该主轴28上的磨削磨轮30也进行旋转。

并且，磨削装置26具有卡盘工作台34，该卡盘工作台34与磨削磨轮30对置并对被加工物进行保持。卡盘工作台34上的保持面34a由与吸引源(未图示)连接的多孔质部件构成。另外，卡盘工作台34能够绕与保持面34a大致垂直的轴进行旋转。此外，磨削装置26具有升降机构(未图示)，磨削磨轮30通过该升降机构进行加工进给(下降)。

首先，使晶片1的正面1a朝向下侧而将晶片1载置在卡盘工作台34的保持面34a上。然后，使该吸引源产生的负压通过该多孔质部件进行作用，将晶片1吸引保持在卡盘工作台34上。

在磨削时，使卡盘工作台34进行旋转，并且使主轴28进行旋转而使磨削磨轮30进行旋转。在卡盘工作台34和磨削磨轮30进行旋转的状态下对磨削磨轮30进行加工进给(下降)，当磨削磨具32与晶片1的背面1b接触时，开始该背面1b的磨削。然后，对磨削磨轮30进行进一步加工进给以使晶片1成为规定的厚度。

当在上述的改质层形成步骤中未形成裂纹的情况下或该裂纹的形成不充分的情况下，在该磨削步骤中形成该裂纹。即，对晶片1的内部作用因该磨削而产生的力，使裂纹从改质层9沿晶片1的厚度方向延伸。当对形成有裂纹的晶片1的背面1b进行磨削时，沿着间隔道3形成间隙而将晶片1分割成各个芯片。

在本实施方式的加工方法中，当在该磨削步骤中对晶片1进行薄化时，将晶片1分割成各个器件芯片。因此，不需要仅为了对器件芯片进行分割而实施其他步骤，能够简化器件芯片的制作工序。

另一方面，由于在形成了各个芯片之后也继续进行磨削，所以对各个芯片在与保持面34a平行的面内的方向上有力施加。但是，在本实施方式的加工方法中，由于在正面保护带粘贴步骤中对正面保护带7进行加热，正面保护带7对芯片的粘接力较强，因此芯片不容易移动。

即，由于所形成的各芯片被正面保护带7强力支承，所以抑制了因磨削导致的各个芯片的移动。因此，也抑制了各芯片的角部彼此的接触，抑制了芯片的缺陷或裂纹的产生。

根据以上的各步骤，利用本实施方式的加工方法形成芯片。

接着，对检验本实施方式的加工方法的作用效果的试验进行说明。在本试验中，在多个不同的加热条件下制作芯片，在各条件下对芯片上产生的损伤的个数进行计数。另外，在各条件下，使用了相同的晶片和相同的正面保护带。通过本试验，得到了有关于加热条件与损伤的数量之间的关系的见解。

在该试验中，使用4张直径12英寸的硅晶片作为样品，分别仅使正面保护带粘贴步骤中的加热的条件不同而进行试验。并且，该正面保护带使用了在由pet形成的厚度50μm的基材上形成有厚度20μm的糊层的带。

首先，对各样品实施了正面保护带粘贴步骤。在样品a中，使粘贴于晶片正面的该正面保护带的上方的辊为50℃而对正面保护带进行了加热。在样品b中，使卡盘工作台的发热体为50℃而对正面保护带进行了加热。在样品c中，使卡盘工作台的发热体为90℃而对正面保护带进行了加热。在样品d中，作为比较试验，没有进行加热而在室温下实施了正面保护带粘贴步骤。

接着，对各样品实施同样的改质层形成步骤而沿着各样品的间隔道形成作为分割的起点的改质层并且形成从该改质层到晶片1的正面1a的裂纹。接着，对各样品实施同样的磨削步骤而从背面对各样品进行磨削薄化而分割成各个芯片。

然后，在实施了磨削步骤之后，对在芯片中产生的裂纹、角缺陷等损伤进行计数。在该计数中，使用安装了倍率为200倍的物镜的红外线照相机对样品进行观察，对5μm以上大小的损伤的数量进行计数。计数得到的损伤的数量是：样品a(辊加热，50℃)为23个，样品b(卡盘工作台加热，50℃)为7个，样品c(卡盘工作台加热，90℃)为3个，样品d(非加热)为32个。

当对各样品的结果进行比较时，可知加热的温度越高，损伤的数量越少。例如，当对样品c的结果和样品d的结果进行比较时，可知在将正面保护带按照接近该材料的熔融温度的温度进行加热的情况下，与非加热的情况相比能够使损伤的数量减少到小于10％。

正面保护带在被加热时软化而提高了与晶片的正面的密接性。那样的话，在晶片被分割成各个芯片之后，由于该正面保护带对各芯片进行更强力地支承，所以抑制了各芯片的角部彼此的接触。其结果是，抑制了在芯片上产生缺陷或裂纹等损伤。通过本试验，确认了本实施方式的晶片的加工方法的这一效果。

并且，当对样品a的结果和样品b的结果进行比较时，可知即使是相同温度的加热，所产生的损伤的数量也根据加热的方法存在差别。这是因为对正面保护带传递热量的方式根据加热的方法而不同，可得出与使用辊的加热相比，使用卡盘工作台的加热更容易将热量传递给正面保护带，正面保护带的温度变高。

根据以上的结果，确认了能够通过本实施方式的加工方法来抑制在芯片上产生损伤。

另外，本发明并不限定于上述实施方式的记载，能够实施各种变更。例如，在上述实施方式中，在晶片1上沿着各间隔道3形成一条直线状的改质层9，但本发明并不限于此。例如，也能够沿着各间隔道3形成距器件5的距离不同的多个改质层9。

关于这

种方式的改质层9，使用图3来进行说明。如图3所示的那样，晶片1的多个间隔道3包含在第1方向1c上延伸的第1间隔道3a和在与该第1方向1c交叉的第2方向1d上延伸的第2间隔道3b。

在改质层形成步骤中，例如，形成沿着该第1间隔道3a的第1改质层9a和沿着该第2间隔道3b的第2改质层9b。该第1改质层9a具有以任意的第2间隔道3b为界的一侧的第1部分11a和另一侧的第2部分11b。该第1改质层9a的第1部分11a和该第1改质层9a的第2部分11b不是一条直线状，而是在第2方向1d上互相错开。

在第1改质层9a形成为一条直线状的情况下，当通过磨削形成的芯片发生移动时，芯片的角部与相邻于该角部侧的芯片的角部接触。由于芯片的角部抗冲击能力较弱，所以当因角部与角部的接触而施加冲击时，容易在该芯片中产生缺陷或裂纹等损伤。

因此，当如图3所示的那样，使该第1改质层9a的第1部分11a和该第1改质层9a的第2部分11b在第2方向1d上互相错开而形成时，芯片的角部彼此按照所错开的距离的量分开。因此，当在正面保护带粘贴步骤中对正面保护带进行加热而使其对晶片1的粘贴变强的基础上以这种方式形成改质层9时，芯片的角部不容易与相邻于该角部侧的芯片的角部接触，抑制了芯片的角部的损伤的产生。

并且，第1改质层9a的第1部分11a和第2部分11b也可以形成为与相邻的第2改质层9b分开。即，在第1改质层9a的第1部分11a的端部或第2部分11b的端部与相邻于该端部的第2改质层9b之间设置规定的距离。

当在形成第1改质层9a时产生加工进给的误差时等，第1部分11a的端部或第2部分11b的端部有时不在规定的位置终止，而在比规定的位置沿第1方向1c前进的位置终止。因此，在第1改质层9a的第1部分11a的端部或第2部分11b的端部未与相邻于该端部的第2改质层9b分开的情况下，有时第1改质层9a横截第2改质层9b而形成。

关于横截第2改质层9b而形成的第1改质层9a的从第2改质层9b探出的部分，很可能残留在所形成的芯片上而成为产生缺陷或裂纹的起点。因此，为了即使产生加工进给的误差等也不会使该起点残留在所形成的芯片上，第1改质层9a的第1部分11a和第2部分11b可以形成为与相邻的第2改质层9b分开。

对如图3所示使该第1改质层9a的第1部分11a和该第1改质层9a的第2部分11b在第2方向1d上互相错开形成的方法进行说明。在改质层形成步骤中，首先，在第1间隔道3a的整个长度区域内形成该第1改质层9a的第1部分11a。

即，每当沿着第1间隔道3a对晶片1按照芯片的一边的长度进行加工进给时，重复进行激光的振荡和停止，在第1间隔道3a的整个长度区域内形成第1改质层9a的第1部分11a。

接着，在第2方向1d上按照包含在第1间隔道3a的宽度之内的规定的距离对晶片1进行分度进给，沿着第1间隔道3a形成第1改质层9a的第2部分11b。

即，每当沿着第1间隔道3a对晶片1按照芯片的一边的长度程度进行加工进给时，重复进行激光的振荡和停止，按照配设在两个第1部分11a之间的方式形成第1改质层9a的第2部分11b。那样的话，第1部分11a的端部和与该端部相邻的第2部分11b的端部按照该规定的距离以上分开。

当按照一条第1间隔道3a形成了包含第1部分11a和第2部分11b的第1改质层9a之后，按照芯片的一边的长度的距离对晶片1进行分度进给，依次形成改质层9。在对与第1方向1c平行的间隔道3形成了改质层9之后，使晶片1旋转以便能够在第2方向1d上进行加工进给，沿着与第2方向1d平行的间隔道3依次形成改质层9。以上，能够在晶片1的整个面的区域内形成图3所示的改质层9。

另外，对将第1改质层9a分为第1部分11a和第2部分11b而形成的情况进行了说明，但还可以将沿着第2间隔道3b形成的第2改质层9b也同样分为在第1方向1c上错开的两个部分而形成。

另外，上述实施方式的构造、方法等只要在不脱离本发明的目的的范围内便能够进行适当变更。