技术特征：
技术总结
提供了使用半双向图案化制造集成电路器件的器件和方法。一种方法例如包括：获得具有电介质层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、第三硬掩模层和光刻叠层的中间半导体器件；图案化第一组线；在第一组线之间图案化第二组线；蚀刻以限定第一组和第二组线的组合；沉积第二光刻叠层；沿垂直于第一和第二组线的方向图案化第三组线；蚀刻以限定第三组线，留下OPL；在OPL上沉积间隔物；蚀刻间隔物，留下垂直间隔物组；以及使用第三硬掩模层和垂直间隔物组作为掩模蚀刻第二硬掩模层。
技术研发人员：荻野敦史
受保护的技术使用者：格芯公司
技术研发日：2017.09.18
技术公布日：2018.05.25