本发明涉及太阳能电池结构，尤其涉及太阳能电池背钝化膜领域，具体是一种太阳能电池背钝化膜层结构及其生成方法。
背景技术：
高效perc太阳能电池发展的重要方向是采用双面钝化膜结构。现有背钝化膜层结构为底层氧化铝上层氮化硅结构。本发明通过在硅片背面表面上使用氧化硅加上层氧化铝最上层使用氮化硅结构，减小perc电池的接触电阻，同时形成良好的钝化层提高开路电压提升太阳能电池的转换效率。
技术实现要素：
本发明针对背景技术中存在的问题，提出一种太阳能电池背钝化膜层结构及其生成方法，旨在提高太阳能电池的转化效率。
本发明首先公开了一种太阳能电池背钝化膜层结构，太阳能电池衬底背表面依次附有氧化硅膜、氧化铝膜和氮化硅膜。
优选的，所述氧化硅膜膜厚范围1-10nm。
优选的，所述氧化铝膜膜厚范围2-35nm。
优选的，所述氧化铝膜的折射率为1.55-1.70。
作为第一种实施方式，所述氮化硅膜为一层，膜厚范围60-180nm。
具体的，所述氮化硅膜的折射率为1.9-2.3。
作为第二种实施方式，所述氮化硅膜为两层，第一层氮化硅膜膜厚范围10-60nm；第二层氮化硅膜膜厚50-90nm。
具体的，所述第一层氮化硅膜的折射率为2.1-2.3；所述第二层氮化硅膜的折射率为1.9-2.0。
本发明还公开了一种太阳能电池背钝化膜层的生成方法，包括以下步骤：
s1：采用腔体加热温度300-500℃，压力为0.1-0.2mbar，通入n2o流量100sccm-1000sccm；通过射频/微波功率为400-1500w笑气离子态对硅的表面生成氧化硅膜；
s2：采用第一pecvd设备在氧化硅上生成氧化铝膜，腔体环境加热热温度300-400℃，功率400-1500w，通入tma与n2o气体，tma与n2o流量比1:3-1:7，气压0.10-0.20mbar；
s3：采用第二pecvd设备在氧化硅与氧化铝膜上沉积氮化硅膜，加热温度400-500℃，功率1000-2000w，通入sih4与nh3气体，sih4与nh3流量比1:2-1:5；气压0.2-0.3mbar。
优选的，s2中，功率范围为400-500w；s3中，功率范围为1300-1700w。
本发明的有益效果
本发明的太阳能电池背钝化膜层结构，减小perc电池的接触电阻，同时形成良好的钝化层提高开路电压提升太阳能电池的转换效率。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明，但本发明的保护范围不限于此：
本发明公开了太阳能电池背钝化膜层结构。
实施例1：
结合图1，一种太阳能电池背钝化膜层结构，太阳能电池衬底背1表面依次附有氧化硅膜2、氧化铝膜3和氮化硅膜4。
所述氧化硅膜2膜厚为1nm，所述氧化铝膜3膜厚范围2nm，所述氧化铝膜3的折射率为1.55。
所述氮化硅膜4为一层，膜厚范围60nm，所述氮化硅膜4的折射率为1.9。
实施例2：
一种太阳能电池背钝化膜层结构，太阳能电池衬底背1表面依次附有氧化硅膜2、氧化铝膜3和氮化硅膜4。
所述氧化硅膜2膜厚为1nm，所述氧化铝膜3膜厚范围2nm，所述氧化铝膜3的折射率为1.55。
所述氮化硅膜4为两层，第一层氮化硅膜膜厚范围10nm，第一层氮化硅膜的折射率为2.1；第二层氮化硅膜膜厚50nm，第二层氮化硅膜的折射率为1.9。
实施例3：
结合图1，一种太阳能电池背钝化膜层结构，太阳能电池衬底背1表面依次附有氧化硅膜2、氧化铝膜3和氮化硅膜4。
所述氧化硅膜2膜厚为10nm，所述氧化铝膜3膜厚范围35nm，所述氧化铝膜3的折射率为1.70。
所述氮化硅膜4为一层，膜厚范围180nm，所述氮化硅膜4的折射率为2.3。
实施例4：
一种太阳能电池背钝化膜层结构，太阳能电池衬底背1表面依次附有氧化硅膜2、氧化铝膜3和氮化硅膜4。
所述氧化硅膜2膜厚为10nm，所述氧化铝膜3膜厚范围35nm，所述氧化铝膜3的折射率为1.70。
所述氮化硅膜4为两层，第一层氮化硅膜膜厚范围60nm，第一层氮化硅膜的折射率为2.3；第二层氮化硅膜膜厚90nm，第二层氮化硅膜的折射率为2.0。
实施例5：
结合图1，一种太阳能电池背钝化膜层结构，太阳能电池衬底背1表面依次附有氧化硅膜2、氧化铝膜3和氮化硅膜4。
所述氧化硅膜2膜厚为5nm，所述氧化铝膜3膜厚范围20nm，所述氧化铝膜3的折射率为1.60。
所述氮化硅膜4为一层，膜厚范围120nm，所述氮化硅膜4的折射率为2.1。
实施例6：
一种太阳能电池背钝化膜层结构，太阳能电池衬底背1表面依次附有氧化硅膜2、氧化铝膜3和氮化硅膜4。
所述氧化硅膜2膜厚为5nm，所述氧化铝膜3膜厚范围20nm，所述氧化铝膜3的折射率为1.60。
所述氮化硅膜4为两层，第一层氮化硅膜膜厚范围30nm，第一层氮化硅膜的折射率为2.2；第二层氮化硅膜膜厚70nm，第二层氮化硅膜的折射率为1.95。
本发明还公开了太阳能电池背钝化膜层的生成方法。
实施例7：包括以下步骤：
s1：采用腔体加热温度300℃，压力为0.1mbar，通入n2o流量100sccm；通过射频/微波功率为400w笑气离子态对硅的表面生成氧化硅膜；
s2：采用第一pecvd设备(maia2in13400r2.1)在氧化硅上生成氧化铝膜，腔体环境加热热温度300℃，功率400-1500w(优选的范围为400-500w)，通入tma与n2o气体，tma与n2o流量比1:3，气压0.10mbar；
s3：采用第二pecvd设备(maia2in13400r2.1)在氧化硅与氧化铝膜上沉积氮化硅膜，加热温度400℃，功率1000-2000w(优选的范围为1300-1700w)，通入sih4与nh3气体，sih4与nh3流量比1:2；气压0.2mbar。
实施例8：包括以下步骤：
s1：采用腔体加热温度500℃，压力为0.2mbar，通入n2o流量1000sccm；通过射频/微波功率为1500w笑气离子态对硅的表面生成氧化硅膜；
s2：采用第一pecvd设备(maia2in13400r2.1)在氧化硅上生成氧化铝膜，腔体环境加热热温度400℃，功率1500w，通入tma与n2o气体，tma与n2o流量比1:7，气压0.20mbar；
s3：采用第二pecvd设备(maia2in13400r2.1)在氧化硅与氧化铝膜上沉积氮化硅膜，加热温度500℃，功率1000-2000w(优选的范围为1300-1700w)，通入sih4与nh3气体，sih4与nh3流量比1:5；气压0.3mbar。
采用本发明的太阳能电池背钝化膜层结构，减小perc电池的接触电阻，同时形成良好的钝化层提高开路电压提升太阳能电池的转换效率。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神做举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。