层叠共模滤波器的制作方法

本发明涉及层叠共模滤波器。

背景技术：

已知有包括素体、第一线圈、第二线圈和第三线圈的层叠共模滤波器(例如，参照日本特许第3767437号公报)。素体具有在第一方向上彼此相对的一对主面。第一线圈、第二线圈和第三线圈配置在素体内，并且彼此磁耦合。

在日本特许第3767437号公报记载的层叠共模滤波器中，第一～第三线圈在第一方向上以第一线圈、第二线圈、第三线圈的顺序配置。因此，第一线圈与第三线圈的间隔比第一线圈与第二线圈的间隔大、且比第二线圈与第三线圈的间隔大。即，间隔根据各线圈间而不同。

当间隔根据各线圈间而不同时，漏电感值(以下称为“漏l值”)根据各线圈间而不同。在上述层叠共模滤波器中，第一线圈与第三线圈之间的漏l值与第一线圈与第二线圈之间的漏l值和第二线圈与第三线圈之间的漏l值不同。静电电容值也根据各线圈间而不同。在上述层叠共模滤波器中，第一线圈与第三线圈之间的静电电容值与第一线圈与第二线圈之间的静电电容值不同，并且与第二线圈与第三线圈之间的静电电容值不同。

第一线圈与第二线圈之间的漏l值、第二线圈与第三线圈之间的漏l值、和第一线圈与第三线圈之间的漏l值之差(以下简称为“漏l值差”)、第一线圈与第二线圈之间的静电电容值、第二线圈与第三线圈之间的静电电容值、和第一线圈与第三线圈之间的静电电容值之差(以下简称为“静电电容值差”)起因于各线圈间的间隔的不均衡。当第一线圈与第二线圈的间隔、第二线圈与第三线圈的间隔、和第一线圈与第三线圈的间隔的不均衡大时，第一线圈和第二线圈中的特性阻抗、第二线圈和第三线圈中的特性阻抗、和第一线圈和第三线圈中的特性阻抗之差(以下简称为“特性阻抗差”)大。特性阻抗差大时，有可能例如对信号品质带来坏影响。

第一线圈和第二线圈中的特性阻抗用(第一线圈与第二线圈之间的漏l值/第一线圈与第二线圈之间的静电电容值)^1/2表示。第二线圈和第三线圈中的特性阻抗用(第二线圈与第三线圈之间的漏l值/第二线圈与第三线圈之间的静电电容值)^1/2表示。第一线圈和第三线圈中的特性阻抗用(第一线圈与第三线圈之间的漏l值/第一线圈与第三线圈之间的静电电容值)^1/2表示。

技术实现要素：

本发明的一个方式的目的在于提供一种特性阻抗差小的层叠共模滤波器。

本发明的一个方式所涉及的层叠共模滤波器包括素体、第一线圈、第二线圈和第三线圈。素体具有在第一方向上彼此相对的一对主面。第一线圈、第二线圈和第三线圈配置在素体内，并且彼此磁耦合。第一线圈具有旋涡状的第一线圈导体和第二线圈导体。第一线圈通过第一线圈导体和第二线圈导体电连接而构成。第二线圈具有旋涡状的第三线圈导体和第四线圈导体。第二线圈通过第三线圈导体和第四线圈导体电连接而构成。第三线圈具有旋涡状的第五线圈导体和第六线圈导体。第三线圈通过第五线圈导体和第六线圈导体电连接而构成。第一～第六线圈导体在第一方向上以第一线圈导体、第三线圈导体、第五线圈导体、第二线圈导体、第四线圈导体、第六线圈导体的顺序配置。

上述一个方式所涉及的层叠共模滤波器中，第一线圈和第二线圈的间隔、第二线圈和第三线圈的间隔、以及第一线圈和第三线圈的间隔的不均衡小，所以特性阻抗差小。

上述一个方式中，第一线圈导体的卷绕数和第六线圈导体的卷绕数也可以比第五线圈导体的卷绕数小、且比第二线圈导体的卷绕数小。在这种情况下，特性阻抗差更小。

上述一个方式中，第一线圈导体的卷绕数和第二线圈导体的卷绕数的合计值也可以比第三线圈导体的卷绕数和第四线圈导体的卷绕数的合计值小，第五线圈导体的卷绕数和第六线圈导体的卷绕数的合计值也可以比第三线圈导体的卷绕数和第四线圈导体的卷绕数的合计值小。在这种情况下，第一线圈和第三线圈的各电感值比第二线圈小。因此，第一线圈与第三线圈之间的漏l值小，特性阻抗差更小。

上述一个方式中，第三线圈导体和第四线圈导体的各外径也可以比第一线圈导体、第二线圈导体、第五线圈导体和第六线圈导体的各外径小。本方式中，与第三线圈导体和第四线圈导体的各外径与第一线圈导体、第二线圈导体、第五线圈导体和第六线圈导体的各外径同等的结构相比，能够减小第三线圈导体和第四线圈导体的各内径。在这种情况下，能够减小第一线圈和第三线圈的各电感值与第二线圈的电感值之差。

本发明通过以下给出的详细说明和参照附图将会变得更加清楚，但是，这些说明和附图仅仅是为了说明本发明而举出的例子，不能被认为是对本发明的限定。

以下给出的详细说明将会更加清楚地表述本发明的应用范围。但是，这些详细说明和特殊实例、和优选实施方案，只是为了举例说明而举出的，本领域的技术人员显然能够理解本发明的各种变化和修改都在本发明的宗旨和范围内。

附图说明

图1是表示一个实施方式所涉及的层叠共模滤波器的立体图。

图2是表示素体的截面结构的图。

图3是表示素体的结构的分解立体图。

图4a是表示第一线圈导体的平面图，图4b是表示第二线圈导体的平面图。

图5a是表示第三线圈导体的平面图，图5b是表示第四线圈导体的平面图。

图6a是表示第五线圈导体的平面图，图6b是表示第六线圈导体的平面图。

图7是表示本实施方式的第一变形例所涉及的层叠共模滤波器所具有的素体的截面结构的图。

图8a是表示第一线圈导体的平面图，图8b是表示第二线圈导体的平面图。

图9a是表示第五线圈导体的平面图，图9b是表示第六线圈导体的平面图。

图10是表示本实施方式的第二变形例所涉及的层叠共模滤波器所具有的素体的截面结构的图。

图11a是表示第一线圈导体的平面图，图11b是表示第二线圈导体的平面图。

图12a是表示第五线圈导体的平面图，图12b是表示第六线圈导体的平面图。

图13是表示本实施方式的第三变形例所涉及的层叠共模滤波器所具有的素体的截面结构的图。

图14a是表示第一线圈导体的平面图，图14b是表示第二线圈导体的平面图。

图15a是表示第五线圈导体的平面图，图15b是表示第六线圈导体的平面图。

图16是表示本实施方式的第四变形例所涉及的层叠共模滤波器所具有的素体的截面结构的图。

图17a是表示第三线圈导体的平面图，图17b是表示第四线圈导体的平面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。在下面的描述中，相同元件或具有相同功能的元件用相同的附图标记表示，并且省略重复的说明。

参照图1和图2来说明本实施方式所涉及的层叠共模滤波器cf1的结构。图1是表示本实施方式所涉及的层叠共模滤波器的立体图。图2是表示素体的截面结构的图。图3是表示素体的结构的分解立体图。

层叠共模滤波器cf1如图1所示包括素体1、第一端子电极11、第二端子电极12、第三端子电极13、第四端子电极14、第五端子电极15、和第六端子电极16。第一端子电极11、第二端子电极12、第三端子电极13、第四端子电极14、第五端子电极15、和第六端子电极16配置于素体1的外表面。层叠共模滤波器cf1，以第一端子电极11、第二端子电极12、第三端子电极13、第四端子电极14、第五端子电极15、和第六端子电极16分别与信号线连接的方式，被安装于电子设备(例如，电路基板或电子部件)。

素体1呈长方体形状。素体1具有第一主面1a、第二主面1b、第一侧面1c、第二侧面1d、第三侧面1e、第四侧面1f。第一主面1a和第二主面1b彼此相对，并且呈长方形。第一侧面1c和第二侧面1d彼此相对。第三侧面1e和第四侧面1f彼此相对。素体1的长边方向为第三侧面1e与第四侧面1f相对的方向。素体1的宽度方向为第一侧面1c与第二侧面1d相对的方向。素体1的高度方向为第一主面1a与第二主面1b相对的方向。第一主面1a和第二主面1b在素体1的高度方向上相对。长方体形状包括角部和棱线部被倒角的长方体的形状、以及角部和棱线部被弄圆的长方体的形状。

第一和第二侧面1c、1d以连结第一主面1a和第二主面1b的方式在素体1的高度方向上延伸。第一和第二侧面1c、1d在素体1的长边方向(第一和第二主面1a、1b的长边方向)上延伸。第三和第四侧面1e、1f以连结第一主面1a和第二主面1b的方式在素体1的高度方向上延伸。第三和第四侧面1e、1f在素体1的宽度方向(第一和第二主面1a、1b的短边方向)上延伸。

素体1如图2所示具有非磁性体部(non-magneticportion)3、和一对磁性体部(magneticportion)5。一个磁性体部5以在素体1的高度方向上夹着非磁性体部3的方式配置。素体1由被层叠的多个绝缘体层(insulatorlayer)构成。在非磁性体部3中，作为绝缘体层，层叠有多个非磁性体层(non-magneticlayer)4。非磁性体部3由被层叠的多个非磁性体层4构成。在各磁性体部5中，作为绝缘体层，层叠有多个磁性体层(magneticlayer)6。磁性体部5由被层叠的多个磁性体层6构成。多个绝缘体层包括多个非磁性体层4和多个磁性体层6。

各个非磁性体层4由例如含有非磁性材料(cu-zn类铁氧体材料、电介质材料、或者玻璃陶瓷材料等)的陶瓷生片的烧结体构成。各个磁性体层6由例如含有磁性材料(ni-cu-zn类铁氧体材料、ni-cu-zn-mg类铁氧体材料、或者ni-cu类铁氧体材料等)的陶瓷生片的烧结体构成。

在实际的素体1中，各个非磁性体层4和各个磁性体层6被一体化为不能够目视确认层间的边界的程度。素体1的高度方向(第一主面1a与第二主面1b相对的方向)与多个绝缘体层(多个非磁性体层4和多个磁性体层6)被层叠的方向一致。以下，将多个绝缘体层被层叠的方向简称为“层叠方向”。

第一端子电极11、第三端子电极13、和第五端子电极15配置于素体1的第一侧面1c侧。第一端子电极11、第三端子电极13、和第五端子电极15以沿着素体1的高度方向覆盖第一侧面1c的一部分的方式形成，并且形成于第一主面1a的一部分和第二主面1b的一部分。第一端子电极11位于靠近第三侧面1e的位置，第五端子电极15位于靠近第四侧面1f的位置。第三端子电极13位于第一端子电极11与第五端子电极15之间。

第二端子电极12、第四端子电极14、和第六端子电极16配置于素体1的第二侧面1d侧。第二端子电极12、第四端子电极14、和第六端子电极16以沿着素体1的高度方向覆盖第二侧面1d的一部分的方式形成，并且形成于第一主面1a的一部分和第二主面1b的一部分。第二端子电极12位于靠近第三侧面1e的位置，第六端子电极16位于靠近第四侧面1f的位置。第四端子电极14位于第二端子电极12与第六端子电极16之间。

第一～第六端子电极11、12、13、14、15、16包含导电材料(例如ag或者pd)。第一～第六端子电极11、12、13、14、15、16作为包含导电性材料(例如ag粉末或者pd粉末)的导电性膏体的烧结体而构成。在第一～第六端子电极11、12、13、14、15、16的表面上形成有镀层。镀层例如通过电镀形成。镀层例如具有由镀cu层、镀ni层和镀sn层构成的层结构或者由镀ni层和镀sn层构成的层结构。

层叠共模滤波器cf1如图2和图3所示在非磁性体部3具备第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25、和第六线圈导体26。第一～第六线圈导体21、22、23、24、25、26包含导电材料(例如ag或者pd)。第一～第六线圈导体21、22、23、24、25、26作为包含导电性材料(例如ag粉末或者pd粉末等)的导电性膏体的烧结体而构成。

第一线圈导体21如图4a所示呈旋涡状，且配置于在层叠方向上相邻的一对非磁性体层4之间。第一线圈导体21的一端部(外侧端部)21a露出于第一侧面1c。第一线圈导体21在露出于第一侧面1c的端部与第一端子电极11连接。第一线圈导体21的一端部21a起到作为与第一端子电极11的连接导体的作用。第一线圈导体21的另一端部(内侧端部)21b连接于位于与第一线圈导体21相同的层的焊垫(pad)导体41。在本实施方式中，第一线圈导体21和焊垫导体41形成为一体。

第二线圈导体22如图4b所示呈旋涡状，且配置于在层叠方向上相邻的一对非磁性体层4之间。第二线圈导体22的一端部(外侧端部)22a露出于第二侧面1d。第二线圈导体22在露出于第二侧面1d的端部连接于第二端子电极12。第二线圈导体22的一端部22a起到作为与第二端子电极12的连接导体的作用。第二线圈导体22的另一端部(内侧端部)22b连接于位于与第二线圈导体22相同的层的焊垫导体42。在本实施方式中，第二线圈导体22和焊垫导体42形成为一体。

第三线圈导体23如图5a所示呈旋涡状，且配置于在层叠方向上相邻的一对非磁性体层4之间。第三线圈导体23的一端部(外侧端部)23a露出于第一侧面1c。第三线圈导体23在露出于第一侧面1c的端部与第三端子电极13连接。第三线圈导体23的一端部23a起到作为与第三端子电极13的连接导体的作用。第三线圈导体23的另一端部(内侧端部)23b连接于位于与第三线圈导体23相同的层的焊垫导体43。在本实施方式中，第三线圈导体23和焊垫导体43形成为一体。

第四线圈导体24如图5b所示呈旋涡状，且配置于在层叠方向上相邻的一对非磁性体层4之间。第四线圈导体24的一端部(外侧端部)24a露出于第二侧面1d。第四线圈导体24在露出于第二侧面1d的端部连接于第四端子电极14。第四线圈导体24的一端部24a起到作为与第四端子电极14的连接导体的作用。第四线圈导体24的另一端部(内侧端部)24b连接于位于与第四线圈导体24相同的层的焊垫导体44。在本实施方式中，第四线圈导体24和焊垫导体44形成为一体。

第五线圈导体25如图6a所示呈旋涡状，且配置于在层叠方向上相邻的一对非磁性体层4之间。第五线圈导体25的一端部(外侧端部)25a露出于第一侧面1c。第五线圈导体25在露出于第一侧面1c的端部与第五端子电极15连接。第五线圈导体25的一端部25a起到作为与第五端子电极15的连接导体的作用。第五线圈导体25的另一端部(内侧端部)25b连接于位于与第五线圈导体25相同的层的焊垫导体45。在本实施方式中，第五线圈导体25和焊垫导体45形成为一体。

第六线圈导体26如图6b所示呈旋涡状，且配置于在层叠方向上相邻的一对非磁性体层4之间。第六线圈导体26的一端部(外侧端部)26a露出于第二侧面1d。第六线圈导体26在露出于第二侧面1d的端部连接于第六端子电极16。第六线圈导体26的一端部26a起到作为与第六端子电极16的连接导体的作用。第六线圈导体26的另一端部(内侧端部)26b连接于位于与第六线圈导体26相同的层的焊垫导体46。在本实施方式中，第六线圈导体26和焊垫导体46形成为一体。

第一～第六线圈导体21、22、23、24、25、26在素体1的高度方向上以第一线圈导体21、第三线圈导体23、第五线圈导体25、第二线圈导体22、第四线圈导体24、第六线圈导体26的顺序配置。第一～第六线圈导体21、22、23、24、25、26从层叠方向看在相同方向上被卷绕并且定位成互相重叠。

第一线圈导体21和第三线圈导体23在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。第三线圈导体23和第五线圈导体25在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。第五线圈导体25和第二线圈导体22在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。第二线圈导体22和第四线圈导体24在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。第四线圈导体24和第六线圈导体26在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。

第三线圈导体23在层叠方向上位于第一线圈导体21与第五线圈导体25之间。第五线圈导体25在层叠方向上位于第三线圈导体23与第二线圈导体22之间。第二线圈导体22在层叠方向上位于第五线圈导体25与第四线圈导体24之间。第四线圈导体24在层叠方向上位于第二线圈导体22与第六线圈导体26之间。

焊垫导体41和焊垫导体42从层叠方向看定位成互相重叠。在焊垫导体41与焊垫导体42之间，两个焊垫导体51、52从层叠方向看以与焊垫导体41、42互相重叠的方式配置。焊垫导体51位于与第三线圈导体23相同层。焊垫导体52位于与第五线圈导体25相同层。焊垫导体41和焊垫导体51在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。焊垫导体51和焊垫导体52在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。焊垫导体52和焊垫导体42在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。

焊垫导体41、焊垫导体51、焊垫导体52和焊垫导体42分别通过通孔导体61而被连接。通孔导体61贯通位于焊垫导体41与焊垫导体51之间的非磁性体层4、位于焊垫导体51与焊垫导体52之间的非磁性体层4、和位于焊垫导体52与焊垫导体42之间的非磁性体层4。

焊垫导体43和焊垫导体44从层叠方向看定位成互相重叠。在焊垫导体43与焊垫导体44之间，两个焊垫导体53、54从层叠方向看以与焊垫导体43、44互相重叠的方式配置。焊垫导体53位于与第五线圈导体25相同层。焊垫导体54位于与第二线圈导体22相同层。焊垫导体43和焊垫导体53在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。焊垫导体53和焊垫导体54在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。焊垫导体54和焊垫导体44在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。

焊垫导体43、焊垫导体53、焊垫导体54和焊垫导体44分别通过通孔导体62而被连接。通孔导体62贯通位于焊垫导体43与焊垫导体53之间的非磁性体层4、位于焊垫导体53与焊垫导体54之间的非磁性体层4、和位于焊垫导体54与焊垫导体44之间的非磁性体层4。

焊垫导体45和焊垫导体46从层叠方向看定位成互相重叠。在焊垫导体45与焊垫导体46之间，两个焊垫导体55、56从层叠方向看以与焊垫导体45、46互相重叠的方式配置。焊垫导体55位于与第二线圈导体22相同层。焊垫导体56位于与第四线圈导体24相同层。焊垫导体45和焊垫导体55在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。焊垫导体55和焊垫导体56在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。焊垫导体56和焊垫导体46在层叠方向上经由非磁性体层4而互相相邻。

焊垫导体45、焊垫导体55、焊垫导体56和焊垫导体46分别通过通孔导体63而被连接。通孔导体63贯通位于焊垫导体45与焊垫导体55之间的非磁性体层4、位于焊垫导体55与焊垫导体56之间的非磁性体层4、和位于焊垫导体56与焊垫导体46之间的非磁性体层4。

第一线圈导体21和第二线圈导体22通过焊垫导体41、焊垫导体51、焊垫导体52、焊垫导体42、和通孔导体61而被电连接。第一线圈导体21和第二线圈导体22构成第一线圈c1。

第三线圈导体23和第四线圈导体24通过焊垫导体43、焊垫导体53、焊垫导体54、焊垫导体44、和通孔导体62而被电连接。第三线圈导体23和第四线圈导体24构成第二线圈c2。

第五线圈导体25和第六线圈导体26通过焊垫导体45、焊垫导体55、焊垫导体56、焊垫导体46、和通孔导体63而被电连接。第五线圈导体25和第六线圈导体26构成第三线圈c3。

层叠共模滤波器cf1在素体1(非磁性体部3)内具备第一线圈c1、第二线圈c2和第三线圈c3。第一线圈c1、第二线圈c2和第三线圈c3彼此磁耦合。

焊垫导体51、52、53、54、55、56和通孔导体61、62、63含有导电材料(例如ag或者pd)。焊垫导体51、52、53、54、55、56和通孔导体61、62、63作为含有导电性材料(例如ag粉末或者pd粉末)的导电性膏体的烧结体来构成。通孔导体61、62、63通过烧结被填充于形成于用于形成对应的非磁性体层4的陶瓷生片的贯通孔的导电性膏体来形成。

在本实施方式中，第一线圈导体21的卷绕数和第二线圈导体22的卷绕数为3.75。第一线圈c1的卷绕数(第一线圈导体21的卷绕数和第二线圈导体22的卷绕数的合计值)为7.5。第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数为3.75。第二线圈c2的卷绕数(第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数的合计值)为7.5。第五线圈导体25的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数为3.75。第三线圈c3的卷绕数(第五线圈导体25的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数的合计值)为7.5。

本实施方式中，第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25和第六线圈导体26的各外径同等。第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25和第六线圈导体26的各内径也同等。在本说明书中，同等并不一定只意味着值相一致。即使是预先设定的范围内的微差或者制造误差等被包含于该值的情况下，也可以作为值是同等的。例如，在多个值包含于该多个值的平均值的±5％的范围内的情况下，该多个值也可以被规定为是同等的。

如上所述，本实施方式中，第一～第六线圈导体21、22、23、24、25、26在素体1的高度方向上以第一线圈导体21、第三线圈导体23、第五线圈导体25、第二线圈导体22、第四线圈导体24、第六线圈导体26的顺序配置。因此，层叠共模滤波器cf1与第一～第三线圈在层叠方向上以第一线圈、第二线圈、第三线圈的顺序配置的层叠共模滤波器相比，第一线圈c1与第二线圈c2的间隔、第二线圈c2与第三线圈c3的间隔、和第一线圈c1与第三线圈c3的间隔的不均衡较小。其结果，层叠共模滤波器cf1中，第一线圈c1和第三线圈c2中的特性阻抗、第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗、和第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗之差小。

接着，参照图7、图8a、图8b、图9a、图9b和图5，对本实施方式的第一变形例所涉及的层叠共模滤波器cf2的结构进行说明。图7是表示的第一变形例所涉及的层叠共模滤波器所具有的素体的截面结构的图。图8a是表示第一线圈导体的平面图，图8b是表示第二线圈导体的平面图。图9a是表示第五线圈导体的平面图，图9b是表示第六线圈导体的平面图。

层叠共模滤波器cf2与上述的层叠共模滤波器cf1同样，包括素体1、第一端子电极11、第二端子电极12、第三端子电极13、第四端子电极14、第五端子电极15、和第六端子电极16(参照图1)。层叠共模滤波器cf2如图7、图8a、图8b、图9a和图9b所示在非磁性体部3具备第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25、和第六线圈导体26。

层叠共模滤波器cf2中，第一线圈导体21、第二线圈导体22、第五线圈导体25、和第六线圈导体26的形状(卷绕数)与层叠共模滤波器cf1不同。层叠共模滤波器cf2中，第三线圈导体23与图5a所示的第三线圈导体23相同，第四线圈导体24与图5b所示的第四线圈导体24相同。

在第一变形例中，第一线圈导体21的卷绕数为2.75。第二线圈导体22的卷绕数为4.75。第一线圈c1的卷绕数(第一线圈导体21的卷绕数和第二线圈导体22的卷绕数的合计值)为7.5。第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数为3.75(参照图5)。第二线圈c2的卷绕数(第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数的合计值)为7.5。第五线圈导体25的卷绕数为4.75。第六线圈导体26的卷绕数为2.75。第三线圈c3的卷绕数(第五线圈导体25的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数的合计值)为7.5。

第一变形例中，第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25和第六线圈导体26的各外径同等。第一线圈导体21的内径和第六线圈导体26的内径同等。第二线圈导体22的内径和第五线圈导体25的内径同等。第三线圈导体23的内径和第四线圈导体24的内径同等。第一线圈导体21和第六线圈导体26的各内径，比第三线圈导体23和第四线圈导体24的各内径大。第二线圈导体22和第五线圈导体25的各内径，比第三线圈导体23和第四线圈导体24的各内径小。

第一变形例中，第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数，比第五线圈导体25的卷绕数和第二线圈导体22的卷绕数小，且比第一线圈导体21的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数大。第一线圈导体21的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数，比第五线圈导体25的卷绕数小，且比第二线圈导体22的卷绕数小。

关于第一线圈c1和第三线圈c3，第一线圈导体21与第五线圈导体25的间隔、和第二线圈导体22与第六线圈导体26的间隔，比第五线圈导体25与第二线圈导体22的间隔大。关于第一线圈c1第二线圈c2，第三线圈导体23与第二线圈导体22的间隔，比第一线圈导体21与第三线圈导体23的间隔，和第二线圈导体22与第四线圈导体24的间隔大。关于第二线圈c2第三线圈c3，第五线圈导体25与第四线圈导体24的间隔，比第三线圈导体23与第五线圈导体25的间隔，和第四线圈导体24与第六线圈导体26的间隔大。

在第一～第六线圈导体21、22、23、24、25、26的卷绕数相同的情况下，第一线圈c1与第三线圈c3之间的漏l值，比第一线圈c1与第二线圈c2之间的漏l值大、且比第二线圈c2与第三线圈c3之间的漏l值大。另外，第一线圈c1与第三线圈c3之间的静电电容值，比第一线圈c1与第二线圈c2之间的静电电容值小，且比第二线圈c2与第三线圈c3之间的静电电容值小。其结果，第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗有可能比第一线圈c1和第二线圈c2中的特性阻抗、和第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗大。

第一线圈导体21和第六线圈导体26由于在素体1的高度方向(层叠方向)上分离，所以难以磁耦合。层叠共模滤波器cf2与层叠共模滤波器cf1相比，难以互相磁耦合的第一线圈导体21和第六线圈导体26的各卷绕数较小。因此，层叠共模滤波器cf2与层叠共模滤波器cf1相比，第一线圈c1与第三线圈c3之间的漏l值较小。

层叠共模滤波器cf2与层叠共模滤波器cf1相比，第一线圈导体21的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数较小。因此，层叠共模滤波器cf2与层叠共模滤波器cf1相比，第一线圈c1与第二线圈c2之间的静电电容值和第二线圈c2与第三线圈c3之间的静电电容值较小。层叠共模滤波器cf2与层叠共模滤波器cf1相比，第二线圈导体22的卷绕数和第五线圈导体25的卷绕数较大。因此，层叠共模滤波器cf2与层叠共模滤波器cf1相比，第一线圈c1与第三线圈c3之间的静电电容值较大。

根据上述的关于漏l值和静电电容值的事项，层叠共模滤波器cf2与层叠共模滤波器cf1相比，第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗较小，第一线圈c1和第二线圈c2中的特性阻抗、和第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗较大。

根据上述，层叠共模滤波器cf2与层叠共模滤波器cf1相比，第一线圈c1和第三线圈c2中的特性阻抗、第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗、和第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗之偏差被抑制。层叠共模滤波器cf2中，第一线圈c1和第三线圈c2中的特性阻抗、第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗、和第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗之差更小。

接着，参照图10、图11a、图11b、图12a、图12b和图5，对本实施方式的第二变形例所涉及的层叠共模滤波器cf3的结构进行说明。图10是表示的第二变形例所涉及的层叠共模滤波器所具有的素体的截面结构的图。图11a是表示第一线圈导体的平面图，图11b是表示第二线圈导体的平面图。图12a是表示第五线圈导体的平面图，图12b是表示第六线圈导体的平面图。

层叠共模滤波器cf3与上述的层叠共模滤波器cf1、cf2同样，包括素体1、第一端子电极11、第二端子电极12、第三端子电极13、第四端子电极14、第五端子电极15、和第六端子电极16(参照图1)。层叠共模滤波器cf3如图10、图11a、图11b、图12a和图12b所示在非磁性体部3具备第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25、和第六线圈导体26。

层叠共模滤波器cf3中，第一线圈导体21、第二线圈导体22、第五线圈导体25、和第六线圈导体26的形状(卷绕数)与层叠共模滤波器cf1、cf2不同。层叠共模滤波器cf3中，第三线圈导体23与图5a所示的第三线圈导体23相同，第四线圈导体24与图5b所示的第四线圈导体24相同。

在第二变形例中，第一线圈导体21的卷绕数为1.75。第二线圈导体22的卷绕数为5.75。第一线圈c1的卷绕数(第一线圈导体21的卷绕数和第二线圈导体22的卷绕数的合计值)为7.5。第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数为3.75(参照图5)。第二线圈c2的卷绕数(第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数的合计值)为7.5。第五线圈导体25的卷绕数为5.75。第六线圈导体26的卷绕数为1.75。第三线圈c3的卷绕数(第五线圈导体25的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数的合计值)为7.5。

第二变形例也与第一变形例同样，第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25和第六线圈导体26的各外径同等。第一线圈导体21的内径和第六线圈导体26的内径同等。第二线圈导体22的内径和第五线圈导体25的内径同等。第三线圈导体23的内径和第四线圈导体24的内径同等。第一线圈导体21和第六线圈导体26的各内径，比第三线圈导体23和第四线圈导体24的各内径大。第二线圈导体22和第五线圈导体25的各内径，比第三线圈导体23和第四线圈导体24的各内径小。

第二变形例中，第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数，也比第五线圈导体25的卷绕数和第二线圈导体22的卷绕数小，且比第一线圈导体21的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数大。第一线圈导体21的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数，比第五线圈导体25的卷绕数小，且比第二线圈导体22的卷绕数小。

层叠共模滤波器cf3与层叠共模滤波器cf2相比，难以互相磁耦合的第一线圈导体21和第六线圈导体26的各卷绕数较小。因此，层叠共模滤波器cf3与层叠共模滤波器cf2相比，第一线圈c1与第三线圈c3之间的漏l值较小。

层叠共模滤波器cf3与层叠共模滤波器cf2相比，第一线圈导体21的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数较小。因此，层叠共模滤波器cf3与层叠共模滤波器cf2相比，第一线圈c1与第二线圈c2之间的静电电容值和第二线圈c2与第三线圈c3之间的静电电容值较小。层叠共模滤波器cf3与层叠共模滤波器cf2相比，第二线圈导体22的卷绕数和第五线圈导体25的卷绕数较大。因此，层叠共模滤波器cf3与层叠共模滤波器cf2相比，第一线圈c1与第三线圈c3之间的静电电容值较大。

根据上述的关于漏l值和静电电容值的事项，层叠共模滤波器cf3与层叠共模滤波器cf2相比，第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗较小，第一线圈c1和第二线圈c2中的特性阻抗、和第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗较大。

根据上述，层叠共模滤波器cf3与层叠共模滤波器cf2相比，第一线圈c1和第三线圈c2中的特性阻抗、第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗、和第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗之偏差被抑制。层叠共模滤波器cf3中，第一线圈c1和第三线圈c2中的特性阻抗、第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗、和第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗之差更小。

接着，参照图13、图14a、图14b、图15a、图15b和图5，对本实施方式的第三变形例所涉及的层叠共模滤波器cf4的结构进行说明。图13是表示的第三变形例所涉及的层叠共模滤波器所具有的素体的截面结构的图。图14a是表示第一线圈导体的平面图，图14b是表示第二线圈导体的平面图。图15a是表示第五线圈导体的平面图，图15b是表示第六线圈导体的平面图。

层叠共模滤波器cf4与上述的层叠共模滤波器cf1同样，包括素体1、第一端子电极11、第二端子电极12、第三端子电极13、第四端子电极14、第五端子电极15、和第六端子电极16(参照图1)。层叠共模滤波器cf4如图13、图14a、图14b、图15a和图15b所示在非磁性体部3具备第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25、和第六线圈导体26。

层叠共模滤波器cf4中，第一线圈导体21、第二线圈导体22、第五线圈导体25、和第六线圈导体26的形状(卷绕数)与层叠共模滤波器cf1不同。层叠共模滤波器cf4中，第三线圈导体23与图5a所示的第三线圈导体23相同，第四线圈导体24与图5b所示的第四线圈导体24相同。

在第三变形例中，第一线圈导体21的卷绕数为1.75。第二线圈导体22的卷绕数为4.75。第一线圈c1的卷绕数(第一线圈导体21的卷绕数和第二线圈导体22的卷绕数的合计值)为6.5。第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数为3.75(参照图5)。第二线圈c2的卷绕数(第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数的合计值)为7.5。第五线圈导体25的卷绕数为4.75。第六线圈导体26的卷绕数为1.75。第三线圈c3的卷绕数(第五线圈导体25的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数的合计值)为6.5。

第三变形例也与第一和第二变形例同样，第一线圈导体21、第二线圈导体22，第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25和第六线圈导体26的各外径同等。第一线圈导体21的内径和第六线圈导体26的内径同等。第二线圈导体22的内径和第五线圈导体25的内径同等。第三线圈导体23的内径和第四线圈导体24的内径同等。第一线圈导体21和第六线圈导体26的各内径，比第三线圈导体23和第四线圈导体24的各内径大。第二线圈导体22和第五线圈导体25的各内径，比第三线圈导体23和第四线圈导体24的各内径小。

第三变形例中，第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数，也比第五线圈导体25的卷绕数和第二线圈导体22的卷绕数小，且比第一线圈导体21的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数大。第一线圈导体21的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数，比第五线圈导体25的卷绕数小，且比第二线圈导体22的卷绕数小。

第一线圈c1的卷绕数和第三线圈c3的卷绕数比第二线圈c2的卷绕数小。因此，层叠共模滤波器cf4与层叠共模滤波器cf1相比，第一线圈c1的电感值和第三线圈c3的电感值较小。层叠共模滤波器cf4与层叠共模滤波器cf1相比，难以互相磁耦合的第一线圈导体21和第六线圈导体26的各卷绕数较小。因此，层叠共模滤波器cf4与层叠共模滤波器cf1相比，第一线圈c1与第三线圈c3之间的漏l值较小。

线圈的卷绕数小的情况与线圈的卷绕数大的情况相比，构成该线圈的线圈导体的面积较小，静电电容值较小。因此，线圈的卷绕数小的情况与线圈的卷绕数大的情况相比，有可能特性阻抗较大。

第三变形例与层叠共模滤波器cf1相比，第二线圈导体22的卷绕数和第五线圈导体25的卷绕数较大。因此，第三变形例与层叠共模滤波器cf1相比，第一线圈c1与第三线圈c3之间的静电电容值较大。

根据上述，第三变形例中，能够进一步抑制第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗变大。其结果，能够进一步抑制第一线圈c1和第三线圈c2中的特性阻抗、第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗、和第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗之偏差。层叠共模滤波器cf4中，第一线圈c1和第三线圈c2中的特性阻抗、第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗、和第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗之差极小。

第三变形例与第二变形例相比，第二线圈导体22的和第五线圈导体25的各卷绕数较小。第三变形例和第二变形例中，第二线圈导体22的和第五线圈导体25的各外形是同等的。因此，第三变形例与第二变形例相比，第二线圈导体22的内径较大，即，第二线圈导体22的内侧的面积较大。其结果，位于第二线圈导体22的内侧的三个焊垫导体42、54、55的形成是容易的。同样，第三变形例与第二变形例相比，第五线圈导体25的内径较大，即，第五线圈导体25的内侧的面积较大。其结果，位于第五线圈导体25的内侧的三个焊垫导体45、52、53的形成是容易的。

接着，参照图16、图17a、图17b、图14a、图14b、图15a、和图15b，对本实施方式的第四变形例所涉及的层叠共模滤波器cf5的结构进行说明。图16是表示第四变形例所涉及的层叠共模滤波器所具有的素体的截面结构的图。图17a是表示第三线圈导体的平面图，图17b是表示第四线圈导体的平面图。

层叠共模滤波器cf5与上述的层叠共模滤波器cf1同样，包括素体1、第一端子电极11、第二端子电极12、第三端子电极13、第四端子电极14、第五端子电极15、和第六端子电极16(参照图1)。层叠共模滤波器cf5如图16、图17a、和图17b所示在非磁性体部3具备第一线圈导体21、第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25、和第六线圈导体26。

层叠共模滤波器cf5中，第一线圈导体21、第二线圈导体22、第五线圈导体25、和第六线圈导体26的形状(卷绕数)与层叠共模滤波器cf4相同。层叠共模滤波器cf5中，第一线圈导体21与图14a所示的第一线圈导体21相同，第二线圈导体22与图14b所示的第二线圈导体22相同。第五线圈导体25与图15a所示的第五线圈导体25相同，第六线圈导体26与图15b所示的第六线圈导体26相同。

在第四变形例中也是第一线圈导体21的卷绕数为1.75，第二线圈导体22的卷绕数为4.75(参照图14)。第一线圈c1的卷绕数(第一线圈导体21的卷绕数和第二线圈导体22的卷绕数的合计值)为6.5。第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数为3.75(参照图17)。第二线圈c2的卷绕数(第三线圈导体23的卷绕数和第四线圈导体24的卷绕数的合计值)为7.5。第五线圈导体25的卷绕数为4.75，第六线圈导体26的卷绕数为1.75(参照图15)。第三线圈c3的卷绕数(第五线圈导体25的卷绕数和第六线圈导体26的卷绕数的合计值)为6.5。

第四变形例中，第三线圈导体23和第四线圈导体24的各外径，比第一线圈导体21、第二线圈导体22、第五线圈导体25和第六线圈导体26的各外径小。第一线圈导体21的内径和第六线圈导体26的内径同等。第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24和第五线圈导体25的各内径是同等的。第一线圈导体21和第六线圈导体26的各内径，比第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、和第五线圈导体25的各内径大。

层叠共模滤波器cf5与层叠共模滤波器cf4同样，第一线圈c1和第三线圈c2中的特性阻抗、第二线圈c2和第三线圈c3中的特性阻抗、和第一线圈c1和第三线圈c3中的特性阻抗之差极小。层叠共模滤波器cf5中，位于第二线圈导体22的内侧的三个焊垫导体42、54、55的形成也是容易的，位于第五线圈导体25的内侧的三个焊垫导体45、52、53的形成也是容易的。

层叠共模滤波器cf5如上所述第三线圈导体23和第四线圈导体24的各外径，比第一线圈导体21、第二线圈导体22、第五线圈导体25和第六线圈导体26的各外径小。因此，层叠共模滤波器cf5与层叠共模滤波器cf4相比，能够减小第三线圈导体和第四线圈导体的各内径。其结果，层叠共模滤波器cf5与层叠共模滤波器cf4相比，第一线圈c1和第三线圈c3的各电感值和第二线圈c2的电感值之差较小。

虽然上面已经描述了本发明的实施方式和变形例，但是本发明不一定限于上述实施方式和变形例，在不脱离本发明的范围的情况下可以对本发明的实施方式进行各种改变。

第一～第六线圈导体21、22、23、24、25、26的卷绕数不限于上述数值。

也可以是第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25的卷绕数相同，且第一线圈导体21和第六线圈导体26的各卷绕数比第二线圈导体22、第三线圈导体23、第四线圈导体24、第五线圈导体25的各卷绕数小。