技术特征：
技术总结
本发明实施例公开了一种分栅结构的功率晶体管，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、第三栅极、体二极管和体区接触二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述体区接触二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述体区接触二极管的阴极与所述源极连接，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第一电流沟道的开启和关断，所述第二栅极、第三栅极与所述源极连接，所述第二栅极通过源极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第二电流沟道的开启和关断，所述第三栅极为屏蔽栅极并通过源极电压来提高该分栅结构的功率晶体管的耐压。
技术研发人员：毛振东;刘磊;袁愿林;刘伟;王睿
受保护的技术使用者：苏州东微半导体有限公司
技术研发日：2017.11.01
技术公布日：2019.05.14