技术特征：
技术总结
一种改善延伸波长铟镓砷探测器刻蚀损伤的方法，它是一整套芯片制备刻蚀工艺；包括⑴淀积氮化硅刻蚀掩摸，⑵氮气环境中热处理，⑶台面图形转移，⑷刻蚀N槽，⑸台面成型，⑹去刻蚀损伤。本方法优点有：①氮化硅刻蚀掩摸淀积后，在氮气中热处理，既能修复材料损伤，减少复合中心密度，提高材料质量，降低器件暗电流，又能增加空穴载流子浓度，有利于P电极欧姆接触稳定性，减小电阻。②台面成型工艺用氯气甲烷刻蚀气体，在等离子刻蚀过程中甲烷分解的氢不仅可钝化刻蚀形成的悬挂键，还降低材料中的非辐射复合中心。③去刻蚀损伤工艺，能去除刻蚀的表面损伤层，降低非辐射复合中心密度，增强后续钝化效果。适用于制备高性能短波红外铟镓砷探测器。
技术研发人员：李平;刘健;刘永鹏;李政;段方;高鹏;包磊;袁兴林;夏自金;黄丽芳;蒋冰桃;张小六;申林;代松;井文涛
受保护的技术使用者：贵州振华风光半导体有限公司
技术研发日：2017.11.22
技术公布日：2018.05.04