本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法。
背景技术：
太阳能是一种最清洁、最普遍和最有潜力的能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体pn结的光生伏特效应。现有技术中，硅片的类型主要有p型硅片和n型硅片。
晶体硅太阳电池的效率主要取决于三个方面——吸光量，光电量子效率和光电子的收集效率。其中，光电量子效率是描述被太阳电池吸收的光子转换成电子的比率。提高晶体硅太阳电池的效率则必须要同时提高吸光量，光电转换效率和收集效率。绒面制备是降低光的反射率，增大吸光量的有效手段，消除pn结的复合中心能够有效提高光电量子效率，而晶体硅电池的缺陷、杂质、电阻率和pn结的特性等对光电子收集效率有重要影响。
目前，太阳能电池制作工艺比较复杂，增加了太阳能电池的制作成本。
技术实现要素：
本发明的目的在于提出一种太阳能电池的制备方法，以提高太阳能电池的发电效率，降低生产成本。
本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下过程：
(1)对硅片进行清洗、去损和制绒工艺；
(2)对硅片的背光面进行抛光处理，对的硅片的受光面进行离子注入；
(3)对硅片的背光面进行硼扩散；所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，先在900-1000℃下通氧沉积三溴化硼20-60分钟，之后不通源在氧气氛下推进10-60分钟，然后降温到800-900℃氧化至少30分钟，在硅片的背光面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为20纳米；
(4)在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜；
(5)在硅片的背光面印刷铝电极，在受光面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。
进一步的，所述硅片包括单晶硅片和多晶硅片。
进一步的，所述在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜，包括：
在硅片的表面形成氧化硅钝化层；
在硅片的背光面形成氧化铝钝化层；
在硅片的背光面形成氮化硅钝化层；
在硅片的受光面形成氮化硅减反膜。
进一步的，所述离子注入的元素为磷元素。
本发明提出了一种太阳能电池的制备方法，与现有工艺相比，本发明的制备方法工艺得到了极大简化，且高温过程只有两步，因而电池制备成本低且效率更高；大大简化了工艺步骤；本发明的制备方法简单易行，成本较低，适于推广应用。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。
本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下过程：
(1)对硅片进行清洗、去损和制绒工艺；
(2)对硅片的背光面进行抛光处理，对的硅片的受光面进行离子注入；
(3)对硅片的背光面进行硼扩散；所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，先在900-1000℃下通氧沉积三溴化硼20-60分钟，之后不通源在氧气氛下推进10-60分钟，然后降温到800-900℃氧化至少30分钟，在硅片的背光面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为20纳米；
(4)在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜；
(5)在硅片的背光面印刷铝电极，在受光面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。
进一步的，所述硅片包括单晶硅片和多晶硅片。
进一步的，所述在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜，包括：
在硅片的表面形成氧化硅钝化层；
在硅片的背光面形成氧化铝钝化层；
在硅片的背光面形成氮化硅钝化层；
在硅片的受光面形成氮化硅减反膜。
进一步的，所述离子注入的元素为磷元素。
本发明一种太阳能电池的制备方法，与现有工艺相比，制备工艺得到了极大简化，且高温过程只有两步，因而电池制备成本低且效率更高；大大简化了工艺步骤；本发明的制备方法简单易行，成本较低，适于推广应用。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。