技术特征：
技术总结
本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。在本发明提供的氧化物薄膜晶体管制备方法中，通过在半导体层上依次形成第二绝缘层、栅极和第三绝缘层后，去除半导体层中待导体化区域上覆盖的第二绝缘层和第三绝缘层，再通过导体化工艺处理待导体化区域，形成导体化区域。从而使得待导体化区域在第二绝缘层的遮盖下，有效避免在形成第三绝缘层时对该待导体化区域过导体化。进而有效避免短沟道效应的产生，有效提升了顶栅结构氧化物薄膜晶体管的电学性能。
技术研发人员：程磊磊
受保护的技术使用者：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2017.11.28
技术公布日：2018.04.20