技术特征：
技术总结
本发明涉及一种横向功率MOS高压器件，包括多层衬底P型硅层、N型有源层和P型区，N型有源层设置于多层衬底P型硅层的上方，多层衬底P型硅层包括n层P型硅层，P型硅层的层数n为大于或等于2的整数，第n层P型硅层与第(n‑1)层P型硅层之间设有设有不连续的N+区，N+区与P型硅层衬底形成NP结，N型有源层与第n层P型硅层部分通过P型区接触。在常规的基于RESURF器件的基础上，通过在多层衬底P型硅层界面埋设不连续的N+区，使得衬底电势钉扎，在衬底中引入新的电场峰值，降低漏端下方主结电场，达到辅助衬底耗尽的目的；还使得N+区与P型硅层衬底形成的NP结的纵向电场值降低，从而在保证器件不击穿的条件下达到优化器件横向电场的目的。
技术研发人员：胡盛东;黄野;杨冬;袁琦;郭经纬;林智
受保护的技术使用者：重庆大学
技术研发日：2017.12.11
技术公布日：2019.06.18