技术特征：
技术总结
本发明提供了一种多晶硅填充方法，包括：在宽尺寸沟槽进行二氧化硅填充，形成二氧化硅层；对所述二氧化硅层进行不完全回刻处理，以使所述宽尺寸沟槽底部的硅衬底暴露出来并在所述宽尺寸沟槽内部形成二氧化硅侧墙；在所述宽尺寸沟槽内部进行第一次多晶硅填充，形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行回刻，所述第一多晶硅层被回刻之后保留被所述二氧化硅侧墙包围的多晶硅柱；将所述宽尺寸沟槽内部的二氧化硅侧墙去除；在所述宽尺寸沟槽内部进行第二次多晶硅填充，以形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层包围所述多晶硅柱；对所述第二多晶硅层进行回刻。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：深圳市晶特智造科技有限公司
技术研发日：2017.12.15
技术公布日：2018.05.22