技术特征：
技术总结
本发明涉及一种钝化接触N型太阳能电池及制备方法、组件和系统。本发明的钝化接触N型太阳能电池，包括N型晶体硅基体，其正表面从内到外依次包括p+掺杂区域、正表面钝化减反膜和正表面主栅和副栅，其背表面从内到外依次包括遂穿氧化层、n+掺杂多晶硅层、背表面钝化膜和背表面电极，背面电极与n+掺杂多晶硅层欧姆接触；正面副栅为铝，其与p+掺杂区域欧姆接触。其有益效果是：正面副栅为铝，铝能直接烧穿SiNx且与硅复合率低，无需开槽、节省银浆、开路电压高；采用n+掺杂多晶硅层作为N型太阳能电池的背表面场，为硅基体表面提供优异场钝化效果，少数载流子复合率低，电池开路电压、短路电流和能量转化效率高。
技术研发人员：林建伟;李灵芝;刘志锋;季根华;刘勇
受保护的技术使用者：泰州中来光电科技有限公司
技术研发日：2017.12.19
技术公布日：2018.04.27