1.一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制备芯片：选取电阻率为15Ω·cm～25Ω·cm的N型单晶硅片，依次通过磷扩散、硼扩散、铂扩散制造反向工作电压为900V～1100V、反向恢复时间30ns～100ns硅片，通过电子蒸发的方式分别蒸发厚度为10μm～15μm、4μm～8μm的两种硅片，将硅片分别采用台面成型机吹砂切割成规定尺寸的芯片；
(2)制备管芯组件：将所述两种管芯分极处理后，其中第一颗管芯和最后一颗管芯装模金属化层厚度为10μm～15μm的芯片，中间的管芯装金属化层为4μm～8μm的芯片，其装模的管芯总数根据器件需要实现的反向工作电压确定，采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯和电极进行烧结形成管芯组件；
(3)采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀，腐蚀2～3次，每次30s～90s，然后用大量去离子水冲洗干净；
(4)在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆，在链式炉下高温成型，完成封装成型；
(5)将成型后的轴向产品组件与电极引出端通过焊料在专用模具上进行高温焊接，切除引线后，实现玻璃钝化表贴封装。
2.如权利要求1所述的玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法，其特征在于，所述的整流硅堆，是由PN结串联叠加制成。
3.如权利要求1所述的玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法，其特征在于，所述的电极引材料，是钨或钼中的一种。
4.如权利要求1所述的玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法，其特征在于，所述的焊料为铝。
5.如权利要求1所述的玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法，其特征在于，所述的电极片，为铜电极片，电极片规格为圆形或方形。
6.如权利要求1所述的玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法，其特征在于，所述整流硅堆，其最高反向工作电压在2000V～20000V。
7.如权利要求1所述的玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法，其特征在于，所述表贴玻璃钝化，是U型表贴封装结构。