技术总结
本发明涉及玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆技术领域，具体涉及一种玻璃钝化表贴封装快恢复整流硅堆的制造方法；包括以下步骤：先通过参杂扩散的方式制造击穿电压为900V～1100V的芯片；通过电子束蒸发的方式对实现硅片的表面金属化；将硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；将电极引线与多颗串联叠加的芯片通过焊料熔焊键合；将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装；本发明具备了玻璃钝化快恢复整流硅堆反向恢复时间快、反向工作电压高、抗温度和机械冲击能力强的特点，具有极高的推广价值。
技术研发人员：古进;迟鸿燕;张丽;杨春梅;龚昌明;吴王进;
受保护的技术使用者：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八三七厂）;
技术研发日：2017.12.27
技术公布日：2018.06.12