一种RGB三色芯片混合的COBLED器件的制作方法

本实用新型涉及一种LED器件，特别是涉及一种RGB三色芯片混合的COB LED器件。

背景技术：

目前通用照明的板上LED器件(或称为COB LED器件)多是采用蓝光LED芯片激发荧光粉的方式得到，但由于荧光粉的热稳定性较弱，因而会造成COB LED 器件的冷态色温与光通量、热态色温与光通量有较大的差别，而这种差别在要求较高的照明环境中是需要避免的，为了避免这种差别，需要对COB LED器件进行很好的散热处理，但同时也会增加COB LED器件的整体成本。

为了避免冷热态的色温漂移与光通量减弱，可以通过使用RGB三色LED芯片来组合白光，由于LED芯片的热稳定性要优于荧光粉，所以获得的白光LED器件有较好的热稳定性。现有技术中的COB封装的RGB光源，制备过程繁琐且成本高昂，并且如未能均匀排布RGB三色LED芯片，将使COB LED器件发光面发出的光呈现斑斓的彩色而非均匀的白光，并且如使用通用COB LED器件的透镜，则有可能使器件的发光出现偏色的现象，无法获得白光。

技术实现要素：

为解决上述问题，本实用新型提供了一种RGB三色芯片混合的COB LED器件。解决了现有COB LED器件色温与光通量热稳定较差，以及RGB三色芯片混合的 COB LED器件发光均匀性差的问题。该RGB三色芯片混合的COB LED器件可使用通用的COB光源透镜，而不会使通过透镜的光发生偏色的现象。

该实用新型的技术方案如下：

一种RGB三色芯片混合的COB LED器件，所述器件发光面的功能区内设置有红光LED芯片、绿光LED芯片与蓝光LED芯片，上述三种芯片进行串并联，使总并联数量达到直流电源的电流要求；并联的每一路线路中，同种颜色的LED芯片数量相同，并且均匀排布于COB基板上。

根据本实用新型，所述COB LED器件的发光面可以为正方形、矩形或圆形。

根据本实用新型，所述COB LED器件发光面的功能区可以为正方形、矩形或圆形。

根据本实用新型，所述COB LED器件发光面的功能区为正方形或矩形，所述红光LED芯片、绿光LED芯片与蓝光LED芯片各自均匀的排布在发光面的功能区内。

根据本实用新型，所述COB LED器件发光面的功能区为圆形，所述红光 LED芯片、绿光LED芯片与蓝光LED芯片各自以发光面的功能区的圆心为圆心，呈发散型排布。

根据本实用新型，所述器件用封装胶体进行封装，并在封装胶体中混入适量光扩散粉。

优选地，所述光扩散粉为无机光扩散粉和/或有机光扩散粉，所述光扩散粉与封装胶体的质量比为0-0.5，优选为0-0.3，再优选为0-0.2。

根据本实用新型，所述COB LED器件的色温为3000-15000K，且在 3000-7000K色温区域内，其色坐标在各色温区的色容差不大于10SDCM，所述色坐标尽量靠近黑体辐射线。

根据本实用新型，所述COB LED器件的色温在7000-7600K色温区域，其色坐标在CIE 1931坐标系中的坐标在A1，B1，C1，D1四点围成的色区内，其中A1点为(0.2986,0.3552)，B1点为(0.3109,0.2931)，C1点为(0.3050,0.2879)， D1点为(0.2888,0.3465)。

根据本实用新型，所述COB LED器件的色温在7600-8500K色温区域，其色坐标在CIE 1931坐标系中的坐标在A2，B2，C2，D2四点围成的色区内，其中A2点为(0.2888,0.3465)，B2点为(0.3050,0.2879)，C2点为(0.2977,0.2815)， D2点为(0.2771,0.3361)。

根据本实用新型，所述COB LED器件的色温在8500-10000K色温区域，其色坐标在CIE 1931坐标系中的坐标在A3，B3，C3，D3四点围成的色区内，其中A3点为(0.2771,0.3361)，B3点为(0.2977,0.2815)，C3点为(0.2909,0.2678)， D3点为(0.2667,0.3154)。

根据本实用新型，所述COB LED器件的色温在10000-12000K色温区域，其色坐标在CIE 1931坐标系中的坐标在A4，B4，C4，D4四点围成的色区内，其中A4点为(0.2667,0.3154)，B4点为(0.2909,0.2678)，C4点为(0.2854,0.2569)， D4点为(0.2581,0.2982)。

根据本实用新型，所述COB LED器件的色温在12000-15000K色温区域，其色坐标在CIE 1931坐标系中的坐标在A5，B5，C5，D5四点围成的色区内，其中A5点为(0.2581,0.2982)，B5点为(0.2854,0.2569)，C5点为(0.2805,0.2470)， D5点为(0.2506,0.2831)。

根据本实用新型，所述COB LED器件的红光LED芯片的峰值波长为 620-635nm，绿光LED芯片的峰值波长为515-530nm，蓝光LED芯片的峰值波长为444-460nm。

本实用新型通过RGB三色LED芯片以COB方式封装成发光LED器件，实现了三基色的白光LED发光器件，避免了荧光粉的使用，同时在光源的芯片排布上，红光LED芯片、绿光LED芯片以及蓝光LED芯片按照特定的方式各自均匀地排布在 COB LED光源的发光面的功能区上，从而实现光的匀化；同时，并联的每一路线路中，同种颜色的LED芯片数量相同，这样就保证了每一串路的开启电压相同。并在封装胶体中混入适量光扩散粉使各波长的光在光源内部充分混合，以进一步匀化光线，使RGB三色芯片混合的COB LED器件发出均匀的白光，使所述COB LED 器件可以在小角度透镜上实现应用，即通用小角度透镜而不使光源出现偏色的现象，并且光质均匀。

附图说明

图1实施例1的RGB三色芯片混合的COB LED器件的发射光谱。

图2实施例2的RGB三色芯片混合的COB LED器件的发射光谱。

图3实施例3的RGB三色芯片混合的COB LED器件的发射光谱。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外，应理解，在阅读了本实用新型所记载的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本实用新型所限定的范围。

实施例1

使用镜面铝作为COB LED器件的基板，镜面铝发光面的功能区为直径15mm 的圆。器件的设计开启电压为50V，设计输入电流为700mA,器件总功耗约为35W。该COB LED器件所采用的红光LED芯片的峰值波长为630nm，芯片的额定使用电流为100mA，电压为2.2V@100mA；使用的绿光LED芯片的峰值波长为520nm，芯片的额定使用电流为100mA,电压为3V@100mA；使用的蓝光LED芯片的峰值波长为450nm，芯片的额定使用电流为100mA,电压为3V@100mA。红光，绿光与蓝光 LED芯片各自以COB基板圆形功能区的圆心为圆心呈现均匀发散型排布。该COB LED器件的串并联方式为7并18串，每一串中红光芯片5颗，绿光芯片9颗，蓝光芯片4颗。该COB LED器件的色温为10100K，CIE1931色坐标为 (0.2681,0.3078)。

实施例2

使用镜面铝作为COB LED器件的基板，镜面铝发光面的功能区为直径30mm 的圆，器件的设计开启电压为60V，设计输入电流为1.6A，器件总功率约为100W。该COB LED器件所采用的红光LED芯片的峰值波长为620nm，芯片的额定使用电流为160mA，电压为2.2V@160mA；使用的绿光LED芯片的峰值波长为515nm，芯片的额定使用电流为160mA,电压为2.8V@160mA；使用的蓝光LED芯片的峰值波长为445nm，芯片的额定使用电流为160mA,电压为3V@160mA。红光，绿光与蓝光LED芯片各自以COB基板圆形功能区的圆心为圆心呈现均匀发散型排布。该 COB LED器件的串并联方式为10并23串，每一串中红光芯片10颗，绿光芯片 5颗，蓝光芯片8颗。该COB LED器件的色温为3200K，CIE1931色坐标为 (0.4288,0.4087)。

实施例3

使用镀银铜做为COB LED器件的基板，基板发光面的功能区为35mm×35mm的正方形，器件的设计开启电压为100V，设计输入电流为6A，器件总功率约为500W。该COB LED器件所采用的红光LED芯片的峰值波长为635nm，芯片的额定使用电流为300mA，电压为2.0V@300mA；使用的绿光LED芯片的峰值波长为530nm，芯片的额定使用电流为300mA,电压为3.0V@300mA；使用的蓝光LED芯片的峰值波长为 460nm，芯片的额定使用电流为300mA,电压为3V@300mA。红光，绿光与蓝光LED 芯片各自均匀且相互交叉地排布在功能区的发光面上。该COB LED器件的串并联方式为20并40串，每一串中红光芯片20颗，绿光芯片10颗，蓝光芯片10颗。该 COB LED器件的色温为6020K，CIE1931色坐标为(0.3215,0.3360)。

以上，对本实用新型的实施方式进行了说明。但是，本实用新型不限定于上述实施方式。凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。