技术总结
本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管和阵列基板。该薄膜晶体管包括设置在衬底上方的栅极、有源层、源极和漏极，所述有源层位于中心区域，所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接，所述栅极与所述有源层至少部分同层设置、且所述栅极与所述有源层至少两面相隔绝缘层相对设置。该薄膜晶体管的宽长比Weff/L增大，从而有效提高了器件的开态电流Ion，提高了氧化物薄膜晶体管电流驱动能力；另外，还考虑了电极对有源层的遮光效果，最大限度的减小了光照对器件VTH漂移的影响，提高了薄膜晶体管的负偏压光照稳定性。
技术研发人员：王国英;宋振;孙宏达
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
文档号码：201721082727
技术研发日：2017.08.28
技术公布日：2018.03.20