本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术：
大尺寸的顶发射型有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)显示面板，通常由阵列基板、填充层和彩膜基板构成。其中，OLED中的发光功能层发出的光无法透过加厚了的阴极，因而容易造成直流电压降(VSS IR drop)的缺陷问题。
为了克服上述直流电压降的缺陷问题，现有技术通常在彩膜基板的靠近阵列基板的一侧的平坦层(OC)上设置辅助阴极，辅助阴极通过设置在隔垫物上的接触电极与阴极桥接，从而增加阴极的电导率，其中，接触电极为透明电极，隔垫物位于阵列基板和彩膜基板之间。
但现有技术所采用的方案中，接触电极容易发生断裂，导致辅助阴极无法有效地发挥作用。
技术实现要素：
本实用新型提供一种显示面板及显示装置，用于避免接触电极容易发生断裂的风险，使得辅助电极的作用得到有效发挥。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种显示面板，该显示面板包括连接结构以及相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板的远离所述第二基板的一侧设置有辅助电极，所述第二基板的靠近所述第一基板的一侧设置有第一电极；
所述辅助电极通过所述连接结构与所述第一电极连接。
可选地，所述第一基板的远离所述第二基板的一侧还设置有接触电极；
所述辅助电极与所述接触电极连接，所述接触电极与连接结构的一端连接。
可选地，所述接触电极位于所述辅助电极的远离所述第一基板的一侧。
可选地，所述第二基板的靠近所述第一基板的一侧还设置有导电结构，所述连接结构的另一端与所述导电结构的一端连接，所述导电结构的另一端与所述第一电极连接。
可选地，所述导电结构的另一端设置有绝缘层，绝缘层中设置有过孔，第一电极5通过过孔与导电结构连接。
可选地，所述导电结构与栅极层同层设置；或者
所述导电结构与源漏极层同层设置。
可选地，所述显示面板包括显示区域和非显示区域，所述连接结构位于所述非显示区域。
可选地，所述连接结构的数量为多个。
可选地，所述显示面板包括显示区域和非显示区域，所述导电结构位于所述非显示区域。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
本实用新型的有益效果：
本实用新型所提供的显示面板及显示装置中，第一基板的远离第二基板的一侧设置有辅助电极，第二基板的靠近第一基板的一侧设置有第一电极，辅助电极通过连接结构与第一电极连接，无需将接触电极设置于隔垫物上即可实现辅助电极与第一电极的桥接，从而避免了接触电极设置在隔垫物上容易发生断裂的风险，使得辅助电极的作用得到有效发挥。
附图说明
图1为本实用新型实施例一提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的显示面板及显示装置进行详细描述。
图1为本实用新型实施例一提供的一种显示面板的结构示意图，如图1所示，显示面板包括连接结构1以及相对设置的第一基板2和第二基板3，第一基板2的远离第二基板3的一侧设置有辅助电极4，第二基板3的靠近第一基板2的一侧设置有第一电极5。
其中，辅助电极4通过连接结构1与第一电极5连接。换言之，辅助电极4与连接结构1连接，连接结构1与第一电极5连接，从而实现了辅助电极4与第一电极5之间的连接。
具体地，第一基板2的远离第二基板3的一侧还设置有接触电极6，辅助电极4与接触电极6连接，接触电极6与连接结构1的一端连接。换言之，辅助电极4通过接触电极6与连接结构1的一端连接。由于接触电极6和辅助电极4均设置于第一基板2的远离第二基板3的一侧，辅助电极4通过连接结构1与第一电极5连接，因此，即实现了辅助电极4与第一电极5之间的桥接，又能有效避免接触电极6容易发生断裂的风险。
具体地，接触电极6位于辅助电极4的远离第一基板2的一侧且覆盖辅助电极4。具体地，接触电极6覆盖第一基板2，从而覆盖辅助电极4。如图1所示，辅助电极4位于第一基板2之上，接触电极6位于辅助电极4之上且覆盖辅助电极4。
具体地，第二基板3的靠近第一基板的一侧还设置有导电结构7，连接结构1的另一端与导电结构7的一端连接，导电结构7的另一端与第一电极5连接。换言之，连接结构1通过导电结构7与第一电极5连接。具体地，如图1所示，连接结构1的另一端与导电结构7的左端接触，从而实现连接结构1的另一端与导电结构7的一端连接；部分第一电极5与导电结构7的右端接触，从而实现导电结构7的另一端与第一电极5连接。
本实施例中，导电结构7的另一端设置有绝缘层8，具体地，如图1所示，导电结构7的右端设置有绝缘层8。本实施例中，绝缘层8中设置有过孔81，第一电极5通过过孔81与导电结构7连接。具体地，如图1所示，部分第一电极5位于过孔81中以与导电结构7接触，从而实现了第一电极5与导电结构7连接。
本实施例中，显示面板包括显示区域A和非显示区域B，如图1所示，图1中的虚线的左边区域为非显示区域B，虚线的右边区域为显示区域A。本实施例中，连接结构1位于非显示区域B。本实施例中，导电结构7位于非显示区域B。
本实施例中，连接结构1的数量可以为一个或者多个。优选地，连接结构1的数量为多个。优选地，当连接结构1的数量为多个时，连接结构1可均匀分布于显示面板的非显示区域B。图1中仅以一个连接结构1为例进行描述。
本实施例中，导电结构7的数量与连接结构1的数量相同。具体地，每个连接结构1均对应一个导电结构7，从而使得每个连接结构1均可以通过对应的一个导电结构7与第一电极5连接。
本实施例中，第一基板2的远离第二基板3的一侧还设置有黑矩阵(BM)9。具体地，如图1所示，黑矩阵9位于接触电极6上。
本实施例中，第一基板2的远离第二基板3的一侧还设置有第一平坦层10。具体地，如图1所示，第一平坦层10位于黑矩阵9上且覆盖第一基板2。
本实施例中，第一基板2的靠近第二基板3的一侧设置有彩膜层(CF)11。其中，彩膜层11包括第一色阻、第二色阻和第三色阻，优选地，第一色阻为红色色阻(R)，第二色阻为绿色色阻(G)，第三色阻为蓝色色阻(B)。
本实施例中，第一基板2的靠近第二基板3的一侧还设置有第二平坦层12。具体地，如图1所示，第二平坦层12位于彩膜层11的远离第一基板2的一侧且覆盖第一基板2。
本实施例中，显示面板还包括填充层(Filler)13，填充层13填充于第一基板2和第二基板3之间。具体地，如图1所示，填充层13位于第二平坦层12与第一电极5之间。其中，填充层13的材料为环氧类树脂或者亚克力系树脂。
本实施例中，显示面板还包括隔垫物(PS)14，隔垫物14位于第一基板2和第二基板3之间。具体地，如图1所示，隔垫物位于第二平坦层12与第一电极5之间。
本实施例中，第二基板3的靠近第一基板2的一侧还设置有阵列基板结构15和发光功能层16。
本实施例中，具体地，如图1所示，第一电极5位于发光功能层16的远离第二基板3的一侧。
其中，阵列基板结构15包括栅线、数据线、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称：TFT)和第二电极，薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极和有源层，栅线和栅极同层设置，源极和漏极及数据线同层设置，栅极位于第二基板3上，有源层位于栅极上，源极和漏极位于有源层上且分别与有源层连接，第二电极位于薄膜晶体管上且与漏极连接，发光功能层16位于第二电极上。需要说明的是，栅线、数据线、薄膜晶体管和第二电极均未在图中示出。
本实施例中，导电结构7与栅极层同层设置；或者，导电结构7与源漏极层同层设置。其中，栅极层包括同层设置的栅线和栅极，源漏极层包括同层设置的源极、漏极和数据线。优选地，若导电结构7与栅极层同层设置时，绝缘层8可与位于栅极层之上的栅绝缘层同层设置；若导电结构7与源漏极层同层设置，绝缘层8可与位于源漏极层之上的钝化层同层设置。
本实施例中，辅助电极4为网状金属(Mesh Metal)结构。其中，辅助电极4为多层结构，优选地，辅助电极4为三层结构，例如，辅助电极4包括第一辅助电极层、第二辅助电极层和第三辅助电极层(图中均未示出)，优选地，所述第一辅助电极层的材料为Mo，第二辅助电极层的材料为AlNd或者Cu，第三辅助电极层的材料为Mo，其中，第二辅助电极层位于第一辅助电极层和第三辅助电极层之间。本实施例中，辅助电极4还可以为单层结构，本实施例对此不作任何限制。
本实施例中，优选地，连接结构1的材料为导电银胶或者金属。在实际应用中，连接结构1的材料还可以其它导电材料，此处不再一一列举。
本实施例中，接触电极6的材料为透明导电材料，例如，ITO。
本实施例中，第一电极5为阴极(Cathode)，第二电极为阳极，则辅助电极4为辅助阴极。其中，第一电极5的材料为透明导电材料，例如，氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，简称：IZO)或者ITO。优选地，第二电极为反射阳极，第二电极为多层结构，优选地，第二电极为三层结构，第二电极包括第一电极结构层、第二电极结构层和第三电极结构层。优选地，第一电极结构层的材料为ITO，第二电极结构层的材料为Ag，第三电极结构层的材料为ITO；或者，第一电极结构层的材料为Mo，第二电极结构层的材料为AlNd，第三电极结构层的材料为ITO。本实施例中，第二电极还可以为单层结构，本实施例对此不作任何限制。
本实施例中，显示面板包括阵列基板和彩膜基板，其中，阵列基板包括第二基板3、阵列基板结构15、导电结构7、绝缘层8、发光功能层16和第一电极5，彩膜基板包括第一基板2、辅助电极4、接触电极6、黑矩阵9、第一平坦层10、彩膜层11和第二平坦层12。
本实施例中，具体地，隔垫物14支撑于阵列基板和彩膜基板之间。
本实施例中，具体地，填充层13填充于阵列基板和彩膜基板之间。
本实施例中，显示面板为OELD显示面板，优选地，显示面板为顶发射型OLED显示面板。
本实施例所提供的显示面板，第一基板的远离第二基板的一侧设置有辅助电极，第二基板的靠近第一基板的一侧设置有第一电极，辅助电极通过连接结构与第一电极连接，无需将接触电极设置于隔垫物上即可实现辅助电极与第一电极的桥接，从而避免了接触电极设置在隔垫物上容易发生断裂的风险，使得辅助电极的作用得到有效发挥。
本实用新型实施例二提供了一种显示装置，该显示装置上述实施例一所提供的显示面板。关于显示面板的具体描述可参见上述实施例一，此处不再具体赘述。
本实施例所提供的显示装置，第一基板的远离第二基板的一侧设置有辅助电极，第二基板的靠近第一基板的一侧设置有第一电极，辅助电极通过连接结构与第一电极连接，无需将接触电极设置于隔垫物上即可实现辅助电极与第一电极的桥接，从而避免了接触电极设置在隔垫物上容易发生断裂的风险，使得辅助电极的作用得到有效发挥。
本实用新型实施例三提供了一种显示面板的制作方法，该方法包括：
步骤301、在第二基板的一侧形成薄膜晶体管和导电结构。
步骤302、在薄膜晶体管的远离第二基板的一侧形成第二电极。
步骤303、在第二电极的远离第二基板的一侧形成发光功能层。
步骤304、在发光功能层的远离第二基板的一侧形成第一电极，从而形成阵列基板，其中，第一电极与导电结构连接。
步骤305、在第一基板的一侧形成辅助电极。
具体地，步骤305包括：
步骤305a、在第一基板的一侧沉积辅助电极材料层。
步骤305b、对辅助电极材料层进行构图工艺，形成辅助电极。
其中，构图工艺包括光刻胶涂敷、曝光、显影、烘干、湿法刻蚀等工艺。
步骤306、在辅助电极的远离第一基板的一侧形成接触电极，辅助电极与接触电极连接。
步骤307、在接触电极的远离第一基板的一侧形成黑矩阵。
步骤308、在黑矩阵的远离第一基板的一侧形成第一平坦层。
步骤309、在第一基板的远离辅助电极的一侧形成彩膜层。
步骤310、在彩膜层的远离第一基板的一侧形成第二平坦层。
步骤311、在第二平坦层的远离第一基板的一侧形成隔垫物，从而形成彩膜基板。
步骤312、将阵列基板和彩膜基板对盒处理，第一基板和第二基板之间设置有填充层。
步骤313、在阵列基板的非显示区域形成连接结构，以使连接结构的一端与接触电极连接，连接结构的另一端与导电结构连接，从而使得辅助电极通过连接结构与第一电极连接。
可选地，当连接结构的材料为金属时，可采用低温金属蒸镀或者溅射的方式形成连接结构，例如，可以先在彩膜基板的远离阵列基板的一侧形成具有开孔结构的掩膜板，开孔结构与导电结构对应，再通过开孔结构沿着彩膜基板的侧边进行金属蒸镀或者溅射，以使金属形成于彩膜基板的侧边，从而形成连接结构，该连接结构的一端与接触电极连接，连接结构的另一端与导电结构连接。需要说明的是，连接结构的一端也可以形成在第一平坦层的侧边，连接结构部分与接触电极接触，连接结构的另一端与导电结构接触，也可以使得接触电极通过连接结构与导电结构连接，从而使得辅助电极与第一电极连接。在此种情况下，由于金属具备一定的延展性，因此金属在彩膜基板的侧边可通过延展形成连接结构。
可选地，当连接结构的材料为导电银胶时，可通过点胶工艺和热固化工艺在阵列基板的非显示区域形成连接结构。例如，将液态的导电银胶点在彩膜基板的侧边，利用液态的导电银胶的流动特性，形成液态的连接结构，再对液态的连接结构进行热固化，形成连接结构，该连接结构的一端与接触电极连接，连接结构的另一端与导电结构连接。
本实施例所提供的显示面板的制作方法，用于实现制作上述实施例一提供的显示面板，关于显示面板的具体描述可参见上述实施例一，此处不再具体赘述。
本实施例所提供的显示面板的制作方法，第一基板的远离第二基板的一侧设置有辅助电极，第二基板的靠近第一基板的一侧设置有第一电极，辅助电极通过连接结构与第一电极连接，无需将接触电极设置于隔垫物上即可实现辅助电极与第一电极的桥接，从而避免了接触电极设置在隔垫物上容易发生断裂的风险，使得辅助电极的作用得到有效发挥。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。