薄膜电容压烘控制系统的制作方法

本实用新型涉及电容技术领域，尤其是指薄膜电容压烘控制系统。

背景技术：

现有的烘压箱在对薄膜电容进行烘压定型时，先将电容芯排列在布料板上，然后再人工一块块将布料板放入烘压箱的烘压板上，再进行烘压，由于烘压箱内相邻烘压板之间的间距有限，推入布料板时容易撞到手，造成安全隐患，同时一块块的搬动布料板，其稳定性差，容易使电容芯倾倒。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结构合理、压烘效果好的薄膜电容压烘控制系统。

为实现上述目的，本实用新型所提供的技术方案为：薄膜电容压烘控制系统，它包括有布料架，布料架一端的地面上设有下挖形成地坑，地坑两侧设有升降导柱，升降导柱上活动安装有承托板，承托板下方的地坑内安装有升降气缸，升降气缸顶部与承托板底部连接，承托板上活动放置有压烘柜，压烘柜内设有若干块活动安装的压板，压烘柜顶部设有与压板相配合的定型气缸，压烘柜内设有若干条与压板相配合的加热管和温度传感器，压烘柜一侧设有与加热管相配合的温度控制器。

所述的温度控制器内设有控制电路。

所述的布料架顶部均匀分布有托板滚珠，布料板活动放置在托板滚珠上。

本实用新型在采用上述方案后，未详细描述的的结构均可以采用市面常规方式，本方案的压烘柜在升降气缸的带动下使相应的空置压板与布料架表面齐平，绕卷好的电容芯放置在布料板上，电容芯排列好后通过手动将布料板推送至相应的空置压板上，在压烘时通过温度控制器对柜内温度进行控制，以达到最佳压烘的目的，采用本方案后的结构合理、压烘效果好。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图2为本实用新型的控制电路示意图。

具体实施方式

下面结合所有附图对本实用新型作进一步说明，本实用新型的较佳实施例为：参见附图1和附图2，本实施例所述的薄膜电容压烘控制系统，它包括有布料架1，布料架1顶部均匀分布有托板滚珠，布料板活动放置在托板滚珠上，布料架1一端的地面上设有下挖形成地坑，地坑两侧设有升降导柱3，升降导柱3上活动安装有承托板4，承托板4下方的地坑内安装有升降气缸2，升降气缸2顶部与承托板4底部连接，承托板4上活动放置有压烘柜5，压烘柜5内设有若干块活动安装的压板6，压烘柜5顶部设有与压板6相配合的定型气缸7，压烘柜5内设有若干条与压板6相配合的加热管和温度传感器，压烘柜5一侧设有与加热管相配合的温度控制器8，温度控制器8内设有控制电路。所述的控制电路包括有第一运放芯片IC1、稳压器TV1、第一电容C1、继电器SSR、光敏电阻RL，其中，继电器SSR一端通过光敏电阻RL与负载连接，继电器SSR另一端与稳压器TV1相连接，稳压器TV1分别与第十一电阻R11、第十二电阻R12一端相连接，第十一电阻R11另一端与第四运算放大器IC4的第1脚相连接，第四运算放大器IC4的第2脚与第三电位器RP3相连接，第十二电阻R12另一端与第三电位器RP3连接后再依次与第三电阻R3、第一电阻R1、稳压器TV1相连接；第三电阻R3另一端分别与第六电阻R6一端以及第一电位器RP1连接，第六电阻R6另一端分别与第八电阻R8一端以及第三运算放大器IC3的第2脚连接，第三运算放大器IC3的第1脚与第九电阻R9一端连接后再分别与第二电位器RP2、第四运算放大器IC4相连接，第二电位器RP2与第十电阻R10一端相连接，数字电压表COM一端与第二电位器RP2连接，另一端依次与第十电阻R10、第八电阻R8、第五电阻R5、第四电阻R4连接后再分别与第一运算放大器IC1的第1脚、第3脚相连接，第四电阻R4与第一电位器RP1连接；第三运算放大器IC3的第3脚与第九电阻R9另一端连接后与第七电阻R7一端连接，第七电阻R7另一端分别与温度传感器VD1一端以及第二运算放大器IC2的第1脚连接，第二运算放大器IC2的第2脚与第一电位器RP1连接，第二运算放大器IC2的第3脚分别与温度传感器VD1、第五电阻R5另一端相连接，第一电阻R1另一端分别与第一运算放大器IC1的第2脚以及第二电阻R2一端相连接，第二电阻R2另一端与第一电容C1另一端连接后接稳压器TV1。第二运算放大器根据温度传感器的数据输出电压，输出电压经第三运算放大器放大后送到数字电压表显示温度值，同时通过第四运算放大器比较后驱动电子开关，完成对负载的通电控制。本实施例未详细描述的的结构均可以采用市面常规方式，本实施例的压烘柜在升降气缸的带动下使相应的空置压板与布料架表面齐平，绕卷好的电容芯放置在布料板上，电容芯排列好后通过手动将布料板推送至相应的空置压板上，在压烘时通过温度控制器对柜内温度进行控制，以达到最佳压烘的目的，采用本实施例后的结构合理、压烘效果好。

以上所述之实施例只为本实用新型之较佳实施例，并非以此限制本实用新型的实施范围，故凡依本实用新型之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本实用新型的保护范围内。