1.发光二极管，包括：
发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上；
保护层，形成在所述透明导电层上，其折射率小于所述发光外延层的折射层；
第一电极，由焊盘和扩展条构成，与第一半导体层形成电性连接，
第二电极，由焊盘和扩展条构成，其中所述扩展条形成于所述保护层上，并通过一系列开口与所述第二半导体形成电性连接，所述扩展条的部分上表面高出所述第一电极的焊盘的上表面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二电极的扩展条与所述保护层形成全角度反射镜。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层为光疏介质层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层在所述第一电极的焊盘对应的位置形成第一开口。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层在所述电极的焊盘对应的位置形成第二开口。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸。
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的焊盘同时与所述保护层、透明导电层、P型层接触。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二电极的扩展条为闭合回路结构。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二电极的焊盘的部分上表面高出所述第一电极的焊盘的上表面。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第二电极分布在发光二极管的中央区域，其中焊盘位于中心位置，所述扩展条由所述焊盘向相反的两端延伸。