1.高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列，其特征在于：包括由下往上设置的第一介质基片和第二介质基片；第一介质基片的上、下表面分别设有第一上金属层和第一下金属层，第一上金属层和第一下金属层之间设有贯穿第一介质基片的第一金属化通孔，第一上金属层的宽边设有馈电端，第一上金属层上还设有多个耦合槽，耦合槽分列于第一介质基片中心线的两侧；第二介质基片的上、下表面分别设有第二上金属层和第二下金属层，第二上金属层和第二下金属层之间设有贯穿第二介质基片的第二金属化通孔，第二金属化通孔围成多个谐振器；所述谐振器与耦合槽一一对应，每个谐振器的下方都有一个耦合槽。
2.根据权利要求1所述的高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列，其特征在于：所述第一金属化通孔有平行的两列，对称设置在第一介质基片中心线的两侧。
3.根据权利要求2所述的高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列，其特征在于：所述耦合槽的形状为矩形，其长边与第一金属化通孔平行。
4.根据权利要求1所述的高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列，其特征在于：所述每个谐振器都由内、外两圈第二金属化通孔围成。
5.根据权利要求4所述的高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列，其特征在于：所述内圈第二金属化通孔围成的形状为正方形。
6.根据权利要求1所述的高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列，其特征在于：所述馈电端包括微带线以及渐变线。
7.根据权利要求1所述的高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列，其特征在于：所述第一介质基片的介电常数小于第二介质基片的介电常数。
8.根据权利要求1所述的高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列，其特征在于：所述第一介质基片的厚度小于第二介质基片的厚度。
9.根据权利要求1所述的高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列，其特征在于：所述耦合槽中心线与第一介质基片中心线之间的距离为0.5mm。