技术总结
本实用新型公开了高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列，包括由下往上设置的第一介质基片和第二介质基片；第一介质基片的上、下表面分别设有第一上金属层和第一下金属层，第一上金属层和第一下金属层之间设有贯穿第一介质基片的第一金属化通孔，第一上金属层的宽边设有馈电端，第一上金属层上还设有多个耦合槽，耦合槽分列于第一介质基片中心线的两侧；第二介质基片的上、下表面分别设有第二上金属层和第二下金属层，第二上金属层和第二下金属层之间设有贯穿第二介质基片的第二金属化通孔，第二金属化通孔围成多个谐振器；所述谐振器与耦合槽一一对应，每个谐振器的下方都有一个耦合槽。本实用新型有效提高了天线阵列的辐射效率。
技术研发人员：胡鹏;龚克;胡雪惠;邓冰洁;张祖成
受保护的技术使用者：信阳师范学院
文档号码：201721332085
技术研发日：2017.10.17
技术公布日：2018.04.20