技术总结
本实用新型提供一种高压LED芯片，所述高压LED芯片包括衬底、第一芯片、第二芯片和连接电极。所述第一芯片设置于所述衬底，所述第一芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层。所述第二芯片与所述第一芯片间隔设置，所述第二芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层。所述第一N型半导体层靠近所述第二芯片的侧面为第一侧面，所述第一侧面与所述衬底表面所成的夹角为30‑55度。所述连接电极覆盖于所述第一侧面和第二芯片靠近所述第一芯片的侧面。所述连接电极将所述第一N型半导体层与所述第二P型半导体层电连接且与所述第二发光层和第二N型半导体层电绝缘。
技术研发人员：王思博;简弘安;刘宇轩;陈顺利;丁逸圣;
受保护的技术使用者：大连德豪光电科技有限公司;
技术研发日：2017.12.26
技术公布日：2018.08.10