等离子体生成装置、衬底处理装置及半导体器件的制造方法与流程

技术特征：

技术总结
提供能够均匀地处理衬底的技术。提供等离子体生成装置及使用其的技术，所述等离子体生成装置具有连接于高频电源的第1电极和接地的第2电极，上述第1电极与上述第2电极以合计为3根以上的奇数根交替配置，上述第1电极与上述第2电极中的任一者的电极相对于相邻的另两根电极而被共用。

技术研发人员：佐藤明博;竹田刚;广地志有
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2017.03.27
技术公布日：2019.02.05