包括环绕触点的半导体器件及其形成方法与流程

技术特征：

技术总结
一种形成环绕触点的方法，包括在多个鳍结构上形成多个半导体层，在所述多个半导体层上形成牺牲栅极，在所述多个鳍结构上和所述多个半导体层的侧壁上形成外延层，通过用金属层替换所述牺牲栅极和所述多个半导体层形成栅极结构，以及在所述外延层上形成环绕触点。

技术研发人员：N·J·劳贝特;M·桂尔洛恩
受保护的技术使用者：国际商业机器公司
技术研发日：2017.06.22
技术公布日：2019.02.05