本发明涉及以溶解于溶剂的状态含有作为有机半导体材料的稠环π共轭类分子、且用于通过印刷法制造有机半导体器件的用途的组合物。
背景技术：
晶体管是显示器、计算机设备中包含的重要的半导体器件，目前是使用多晶硅、非晶硅等无机半导体材料而制造的。使用无机半导体材料的薄膜晶体管的制造，通过等离子体化学气相沉积法(pecvd)、溅射法等进行，存在制造工艺温度高、制造装置昂贵且成本高、在形成大面积的薄膜晶体管时容易导致特性不均一的问题。另外，可使用的基板受到制造工艺温度的限制，主要使用的是玻璃基板。但是，玻璃基板虽然耐热性高，但不耐冲击、难以轻量化、缺乏柔软性，因此在使用玻璃基板的情况下，难以形成轻质而柔性的晶体管。
为此，近年来，有关利用有机半导体材料的有机半导体器件的研究开发得到了广泛进行。这是由于使用有机半导体材料时，能够通过涂布法等简便的方法在较低的制造工艺温度下制造有机半导体器件，因此可以使用耐热性低的塑料基板，能够实现显示器等电子设备的轻质化、柔性化、低成本化。
在专利文献1中，作为载流子迁移率优异的有机半导体材料而记载了n字型稠环π共轭类分子。另外，作为溶解上述有机半导体材料的溶剂，记载了邻二氯苯、1,2-二甲氧基苯等的使用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2014/136827号
技术实现要素：
发明要解决的问题
另一方面，在使用了有机半导体材料的有机半导体器件制造用组合物中，即使在使用了相同溶剂的情况下，也有载流子迁移率高的情况和低的情况。
因此，本发明的目的在于提供可形成稳定而具有高载流子迁移率的有机半导体器件的有机半导体器件制造用组合物。
解决问题的方法
本发明人为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，如果使用含水率为特定值以下的特定的溶剂及特定的有机半导体材料，则可以形成稳定而具有高载流子迁移率的有机半导体器件。本发明是基于上述见解而完成的。
即，本发明提供含有作为溶剂的2,3-二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料，且溶剂的含水率为0.25重量％以下的有机半导体器件制造用组合物。
有机半导体材料：选自下组的至少一种化合物：下述式(1-1)所示的化合物、下述式(1-2)所示的化合物、下述式(1-3)所示的化合物、下述式(1-4)所示的化合物、下述式(1-5)所示的化合物及下述式(1-6)所示的化合物
[化学式1]
(式中，x1、x2相同或不同，为氧原子、硫原子或硒原子。m为0或1。n1、n2相同或不同，为0或1。r1、r2相同或不同，为氟原子、c1-20烷基、c6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基，其中，上述烷基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子取代，上述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子或碳原子数1～10的烷基取代)
有机半导体材料优选为选自下组中的至少一种化合物：下述式(1-7)所示的化合物、下述式(1-8)所示的化合物、下述式(1-9)所示的化合物及下述式(1-10)所示的化合物。
[化学式2]
(式中，r3、r4相同或不同，为c1-20烷基、c6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基、或噻唑基)
上述有机半导体器件制造用组合物总量中的溶剂的含量优选为99.999重量％以下。
上述有机半导体器件制造用组合物中的有机半导体材料的含量，相对于上述溶剂100重量份，优选为0.005重量份以上。
在上述有机半导体器件制造用组合物中包含的溶剂总量中，2,3-二氢苯并呋喃的含量优选占50重量％以上。
在上述有机半导体器件制造用组合物中包含的有机半导体材料总量中，选自下组中的至少一种化合物的含量优选为50重量％以上：上述式(1-1)所示的化合物、上述式(1-2)所示的化合物、上述式(1-3)所示的化合物、上述式(1-4)所示的化合物、上述式(1-5)所示的化合物及上述式(1-6)所示的化合物。
即，本发明涉及以下内容。
[1]有机半导体器件制造用组合物，其含有作为溶剂的2,3-二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料，溶剂的含水率为0.25重量％以下。
有机半导体材料：选自下组的至少一种化合物：下述式(1-1)所示的化合物、下述式(1-2)所示的化合物、下述式(1-3)所示的化合物、下述式(1-4)所示的化合物、下述式(1-5)所示的化合物及下述式(1-6)所示的化合物
[化学式1]
(式中，x1、x2相同或不同，为氧原子、硫原子或硒原子。m为0或1。n1、n2相同或不同，为0或1。r1、r2相同或不同，为氟原子、c1-20烷基、c6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基，其中，上述烷基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子取代，上述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子或碳原子数1～10的烷基取代)
[2]根据[1]所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述有机半导体材料为选自下组中的至少一种化合物：上述式(1-1)所示的化合物、上述式(1-4)所示的化合物及上述式(1-6)所示的化合物。
[3]根据[1]或[2]所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述x1、x2相同或不同，为氧原子或硫原子。
[4]根据[1]～[3]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述m为0。
[5]根据[1]～[4]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述n1、n2为1。
[6]根据[1]～[5]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述r1、r2相同或不同，为c1-20烷基(优选为c4-15烷基、更优选为c6-12烷基、进一步优选为c6-10烷基)、c6-13芳基(优选为苯基)、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基(其中，上述烷基含有的氢原子中的一个以上任选被氟原子取代，上述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基含有的氢原子中的一个以上任选被氟原子或碳原子数1～10的烷基取代)。
[7]根据[1]～[5]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述r1、r2相同或不同，为c1-20烷基(优选为c4-15烷基、更优选为c6-12烷基、进一步优选为c6-10烷基)(其中，上述烷基含有的氢原子中的一个以上任选被氟原子取代)。
[8]根据[1]所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，有机半导体材料为选自下组中的至少一种化合物：下述式(1-7)所示的化合物、下述式(1-8)所示的化合物、下述式(1-9)所示的化合物及下述式(1-10)所示的化合物。
[化学式2]
(式中，r3、r4相同或不同，为c1-20烷基、c6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基、或噻唑基)
[9]根据[8]所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述r3、r4相同或不同，为c1-20烷基(优选为c4-15烷基、更优选为c6-12烷基、进一步优选为c6-10烷基)、苯基、呋喃基或噻吩基。
[10]根据[8]所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述r3、r4相同或不同，为c1-20烷基(优选为c4-15烷基、更优选为c6-12烷基、进一步优选为c6-10烷基)。
[11]根据[8]～[10]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述有机半导体器件制造用组合物中包含的有机半导体材料总量中的选自下组中的至少一种化合物的含量为50重量％以上(优选为80重量％以上、更优选为90重量％以上、进一步优选为95重量％以上)：上述式(1-7)所示的化合物、上述式(1-8)所示的化合物、上述式(1-9)所示的化合物及上述式(1-10)所示的化合物。
[12]根据[1]～[11]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述有机半导体器件制造用组合物总量中的溶剂(优选为2,3-二氢苯并呋喃)的含量为99.999重量％以下。
[13]根据[1]～[12]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述有机半导体器件制造用组合物总量中的溶剂(优选为2,3-二氢苯并呋喃)的含量为90.000重量％以上(优选为93.000重量％以上、更优选为95.000重量％以上、进一步优选为98.990重量％以上)。
[14]根据[1]～[13]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述有机半导体器件制造用组合物中的有机半导体材料(优选为选自下组中的至少一种化合物：上述式(1-1)所示的化合物、上述式(1-2)所示的化合物、上述式(1-3)所示的化合物、上述式(1-4)所示的化合物、上述式(1-5)所示的化合物及上述式(1-6)所示的化合物)的含量，相对于上述溶剂100重量份为0.005重量份以上(优选为0.008重量份以上、更优选为0.01重量份以上)。
[15]根据[1]～[14]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述有机半导体器件制造用组合物中的有机半导体材料(优选为选自下组中的至少一种化合物：上述式(1-1)所示的化合物、上述式(1-2)所示的化合物、上述式(1-3)所示的化合物、上述式(1-4)所示的化合物、上述式(1-5)所示的化合物及上述式(1-6)所示的化合物)的含量，相对于上述溶剂100重量份为1重量份以下(优选为0.5重量份以下、更优选为0.2重量份以下)。
[16]根据[1]～[15]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，在上述有机半导体器件制造用组合物中包含的溶剂总量中，2,3-二氢苯并呋喃的含量占50重量％以上(优选为80重量％以上、更优选为90重量％以上、进一步优选为95重量％以上)。
[17]根据[1]～[16]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述有机半导体器件制造用组合物中包含的有机半导体材料总量中的选自下组中的至少一种化合物的含量为50重量％以上(优选为80重量％以上、更优选为90重量％以上、进一步优选为95重量％以上)：上述式(1-1)所示的化合物、上述式(1-2)所示的化合物、上述式(1-3)所示的化合物、上述式(1-4)所示的化合物、上述式(1-5)所示的化合物及上述式(1-6)所示的化合物。
[18]根据[17]所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述有机半导体器件制造用组合物中包含的有机半导体材料总量中的选自下组中的至少一种化合物的含量为50重量％以上(优选为80重量％以上、更优选为90重量％以上、进一步优选为95重量％以上)：上述式(1-1)所示的化合物、上述式(1-4)所示的化合物及上述式(1-6)所示的化合物。
[19]根据[1]～[18]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其中，上述溶剂的含水率为0.19重量％以下(优选为0.08重量％以下、更优选为0.05重量％以下)，。
[20]根据[1]～[19]中的任一项所述的有机半导体器件制造用组合物，其能够形成具有0.0005cm2/v以上(优选为0.001cm2/vs以上、更优选为0.05cm2/vs以上、进一步优选为0.1cm2/vs以上、特别优选为1.0cm2/vs以上)的载流子迁移率的有机半导体器件。
发明的效果
本发明的有机半导体器件制造用组合物可以形成稳定而具有高载流子迁移率的有机半导体器件。
具体实施方式
[有机半导体器件制造用组合物]
本发明的有机半导体器件制造用组合物(以下也简称为“本发明的组合物”)，含有作为溶剂的2,3-二氢苯并呋喃及下述有机半导体材料，并且溶剂的含水率为0.25重量％以下。需要说明的是，在本说明书中，将下述式(1-1)～(1-6)所示的化合物统称而称为“特定的有机半导体材料”。
有机半导体材料：选自下组中的至少一种化合物：下述式(1-1)所示的化合物、下述式(1-2)所示化合物、下述式(1-3)所示的化合物、下述式(1-4)所示的化合物、下述式(1-5)所示的化合物及下述式(1-6)所示的化合物
[化学式3]
(溶剂)
2,3-二氢苯并呋喃为下述式(2)所示的化合物。本发明的组合物作为溶剂使用2,3-二氢苯并呋喃。由于2,3-二氢苯并呋喃对于上述特定的有机半导体材料尤其是在高浓度显示良好的溶解性，另外具有适于工艺温度的干燥性、容易使有机半导体材料以薄膜形式单晶化的特性，因此通过将其与上述特定的有机半导体材料组合使用，从而使由本发明的组合物形成的有机半导体器件显示高载流子迁移率。
[化学式4]
对本发明的组合物中包含的溶剂总量(100重量％)中2,3-二氢苯并呋喃所占的含量没有特别限定，优选为50重量％以上(例如：50～100重量％)、更优选为80重量％以上、进一步优选为90重量％以上、特别优选为95重量％以上。如果上述含量为50重量％以上，则存在上述特定的有机半导体材料的溶解性可以进一步提高，另外有机半导体材料的以薄膜形态的单晶化可以更容易发生的倾向。
本发明的组合物可以包含除了2,3-二氢苯并呋喃以外的溶剂(其它溶剂)。作为上述其它溶剂，可列举作为一般在电子材料用途中使用的溶剂的且与2,3-二氢苯并呋喃相溶的溶剂等。对上述其它溶剂而言，可以含有一种或两种以上。
本发明的组合物中使用的溶剂的含水率，如上所述为0.25重量％以下。在本发明的组合物中的含水率高的情况下，推测是由于上述特定的有机半导体材料的结晶化受到阻碍、或水分被载体捕获而导致，存在载流子迁移率降低的倾向。在使用2,3-二氢苯并呋喃和上述特定的有机半导体材料的本发明的组合物中，如果上述含水率为0.25重量％以下，则具有稳定而高的载流子迁移率。上述含水率优选为0.19重量％以下、更优选为0.08重量％以下、进一步优选为0.05重量％以下。另外，优选2,3-二氢苯并呋喃的含水率在上述范围内。需要说明的是，上述含水率可以通过卡尔费舍尔法进行测定。
(有机半导体材料)
对本发明的组合物而言，作为有机半导体材料使用选自下组中的至少一种化合物：上述式(1-1)所示的化合物、上述式(1-2)所示的化合物、上述式(1-3)所示的化合物、上述式(1-4)所示的化合物、上述式(1-5)所示的化合物及上述式(1-6)所示的化合物。上述特定的有机半导体材料的特征为形成有机半导体的鲱鱼骨(herringbone)结构，具有π电子的二维性重叠，其显示高载流子迁移率，作为有机半导体表现高的晶体管特性。
在式(1-1)～(1-6)中，x1、x2相同或不同，为氧原子、硫原子或硒原子。其中，从显示高载流子迁移率的方面出发，优选为氧原子或硫原子，特别优选为硫原子。
m为0或1。从在2,3-二氢苯并呋喃中的溶解性优异，并且显示高载流子迁移率方面出发，优选为0。
n1、n2相同或不同，为0或1。从在2,3-二氢苯并呋喃中的溶解性优异，并且显示高载流子迁移率方面出发，优选为1。
r1、r2相同或不同，为氟原子、c1-20烷基、c6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基。
作为r1、r2中的c1-20烷基，可列举例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正癸基、正十一烷基、正十四烷基等直链或支链状的烷基。其中，优选为c4-15烷基、更优选为c6-12烷基、进一步优选为c6-10烷基。需要说明的是，对上述c1-20烷基而言，烷基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子取代。
作为r1、r2中的c6-13芳基，可列举例如：苯基、萘基、芴基、联苯基等。其中，优选为苯基。
作为上述吡啶基，可列举例如：2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基等。
作为上述呋喃基，可列举例如：2-呋喃基、3-呋喃基等。
作为上述噻吩基，可列举例如：2-噻吩基、3-噻吩基等。
作为上述噻唑基，可列举例如：2-噻唑基等。
上述芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基含有的氢原子中的1个或2个以上任选被氟原子或碳原子数1～10的烷基取代。作为上述碳原子数1～10的烷基，可列举例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正癸基等直链或支链状的烷基。其中，优选为碳原子数1～6的烷基，特别优选碳原子数1～3的烷基。例如，作为芳基含有的氢原子的至少一个被碳原子数1～10的烷基取代而成的基团，可列举例如：甲苯基、二甲苯基等。
另外，作为芳基含有的氢原子的至少一个被氟原子取代而成的基团，可列举例如：对氟苯基、五氟苯基等。
作为r1、r2，其中，从在2,3-二氢苯并呋喃中的溶解性、及具有高载流子迁移率的方面出发，优选相同或不同，为c1-20烷基、c6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基、更优选为c1-20烷基。
在上述特定的有机半导体材料之中，从即使超过在120℃的高温环境中也可以保持结晶状态、容易获得热稳定性优异的薄膜结晶的方面，特别优选上述式(1-1)所示的化合物、上述式(1-4)所示的化合物、上述式(1-6)所示的化合物。
作为上述特定的有机半导体材料，特别优选下述式(1-7)所示的化合物、下述式(1-8)所示的化合物、下述式(1-9)所示的化合物、下述式(1-10)所示的化合物。
[化学式5]
在上述式中，r3、r4相同或不同，为c1-20烷基、c6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基或噻唑基，可列举与上述r1、r2中的c1-20烷基、c6-13芳基、吡啶基、呋喃基、噻吩基及噻唑基同样的例子。对r3与r4而言，其中，从在2,3-二氢苯并呋喃中的溶解性、及具有高载流子迁移率的方面出发，优选为同一基团，更优选为c1-20烷基、苯基、呋喃基或噻吩基，进一步优选为c1-20烷基(其中优选为c4-15烷基、更优选为c6-12烷基、进一步优选为c6-10烷基)。
上述式(1-1)所示的化合物及上述式(1-2)所示的化合物，可以通过国际公开第2014/136827号中记载的制造方法等制造。另外，上述特定的有机半导体材料也可以使用例如：商品名“c10-dnbdt-nw”、“c6-dnbdt-nw”、“c8-dnbdt”、“c6-dnt-vw”(均为pi-crystal(株)制)等、商品名“c10-dntt”((株)daicel制)、商品名“c8-btbt”(sigmaaldrich公司制)等市售品。
对上述特定的有机半导体材料而言，形成以基于硫族原子的桥连部分为拐点且苯环与两翼连接的分子结构，具有在两末端的苯环导入有取代基的构造。因此，与具有同程度的环数的直线型分子相比，在2,3-二氢苯并呋喃中的溶解性高，在低温环境中也不易析出。
本发明的组合物也可以含有除了上述特定的有机半导体材料以外的有机半导体材料，对本发明的组合物中包含的有机半导体材料总量(100重量％)中的上述特定的有机半导体材料的含量没有特别限定，优选为50重量％以上(例如：50～100重量％)、更优选为80重量％以上、进一步优选为90重量％以上、特别优选为95重量％以上。需要说明的是，在包含两种以上上述特定的有机半导体材料的情况下，上述含量为两种以上上述特定的有机半导体材料的总和含量。
[有机半导体器件制造用组合物]
本发明的组合物(有机半导体器件制造用组合物)含有作为溶剂的2,3-二氢苯并呋喃和作为有机半导体材料的选自以下的至少一种化合物：式(1-1)所示的化合物、式(1-2)所示的化合物、式(1-3)所示的化合物、式(1-4)所示的化合物、式(1-5)所示的化合物及式(1-6)所示的化合物。本发明的组合物通过将2,3-二氢苯并呋喃与上述特定的有机半导体材料进行组合而使用，由此在将本发明的组合物涂布、干燥之后，可以沿基板的平面方向容易地制作鲱鱼骨结构的薄膜单晶，可得到显示高载流子迁移率，适于用于作为有机半导体表现高的晶体管特性的结晶构造。另外，溶剂的含水率为0.25重量％以下。由此，本发明的组合物与含水率高于0.25重量％的情况相比，稳定而显示高的载流子迁移率。需要说明的是，有机半导体材料可以单独使用一种或组合使用两种以上。
本发明的组合物总量(100重量％)中的溶剂的含量例如为99.999重量％以下。其下限例如为90.000重量％、优选为93.000重量％、特别优选为95.000重量％，其上限优选为98.990重量％。特别优选2,3-二氢苯并呋喃的含量在上述范围内。
对本发明的组合物中的有机半导体材料的含量没有特别限定，相对于溶剂100重量份，例如为0.005重量份以上、优选为0.008重量份以上、更优选为0.01重量份以上。有机半导体材料的含量的上限例如为1重量份、优选为0.5重量份、更优选为0.2重量份。特别优选上述特定的有机半导体材料的含量在上述范围内。
在本发明的组合物中，除了溶剂与有机半导体材料以外，也可以根据需要适当配合一般在有机半导体器件制造用组合物中包含的成分(例如：环氧树脂、丙烯酸树脂、纤维素树脂、丁缩醛树脂等)。
根据本发明的组合物，可以在与玻璃基板相比耐热性低但耐冲击性强、轻质且为柔性的塑料基板上直接形成有机半导体器件，可以形成耐冲击性强、轻质且柔性的显示器、计算机设备。进一步，在将本发明的组合物涂布于基板上时，组合物中包含的上述特定的有机半导体材料通过自组装作用而形成结晶，可得到具有高载流子迁移率(例如为0.0005cm2/vs以上、优选为0.001cm2/vs以上、更优选为0.05cm2/vs以上、进一步优选为0.1cm2/vs以上、特别优选为1.0cm2/vs以上)的有机半导体器件。
本发明的组合物由于可以将上述特定的有机半导体材料溶解为高浓度，因此即使在比较低温(例如20～100℃、优选为20～80℃)下也可以将上述特定的有机半导体材料溶解为高浓度。因此，即使在耐热性低于玻璃基板但耐冲击、轻质且为柔性的塑料基板上也可以直接形成有机el元件，可以形成耐冲击、轻质且为柔性的显示器、计算机设备。另外，由于本发明的组合物作为溶剂含有2,3-二氢苯并呋喃，因此在涂布于基板上时，上述特定的有机半导体材料通过自组装作用而形成结晶，可得到具有高结晶性的有机半导体结晶薄膜(例如：有机el元件)。进一步，能够通过印刷法、旋涂法等简便的涂布法而容易地进行上述有机半导体结晶薄膜的形成，能够实现成本的大幅削减。
本发明的组合物可以通过例如，将2,3-二氢苯并呋喃与上述特定的有机半导体材料进行混合，在空气氛围、氮气氛围或氩气氛围中，于70～150℃左右的温度加热0.1～5小时左右而制备。
实施例
以下，结合实施例对本发明进行更为详细的说明，但本发明并不受这些实施例的限定。需要说明的是，2,3-二氢苯并呋喃的含水率利用商品名“karlfischer水分仪aq-6aquacounter”(平沼产业(株)制)进行了测定。
实施例1
在25℃环境中，将作为有机半导体材料的“c10-dntt”混合在含水率0.04重量％的溶剂2,3-二氢苯并呋喃中而使得有机半导体材料浓度为0.03重量％，在氮气氛围、遮光条件下，于100℃加热3小时而得到了有机半导体器件制造用组合物(1)。对于得到的有机半导体器件制造用组合物(1)，通过目测而确认了有机半导体材料的溶解。
将硅基板(sio2，厚度100μm)利用丙酮及异丙醇进行了基于超声波的洗涤后，于室温进行了uv臭氧处理30分钟。于120℃进行了30分钟的基于β-苯乙基三氯硅烷的sam覆盖。之后，利用甲苯及异丙醇进行了基于超声波的洗涤。使用国际公开第2013/125599号中记载的边缘流延法将有机半导体器件制造用组合物(1)涂布在硅基板上。之后，在真空下于100℃干燥10小时，在其上真空蒸镀了金(40nm)而形成了源电极及漏电极。这样进行而制作了底栅极顶接触(bottomgate-topcontact)型有机fet(通道长100μm、通道宽2mm)。针对制成的元件，使用半导体参数分析仪(型号“keithley4200”，keithleyinstruments(株)制)测定了载流子迁移率。
实施例2～8
使用表1所示的有机半导体材料，如表1所示地改变了溶剂及有机半导体材料的含量，除此以外，和实施例1同样地进行而制备了有机半导体器件制造用组合物，制作了有机fet，对载流子迁移率进行了评价。
比较例1～4
使用表1所示的有机半导体材料及含水率的溶剂2,3-二氢苯并呋喃，如表1所示地改变了溶剂及有机半导体材料的含量，除此以外，和实施例1同样地进行，制备了有机半导体器件制造用组合物，制作了有机fet，对载流子迁移率进行了评价。
[表1]
[表1]
<有机半导体材料>
c10-dntt：下述式(1-11)所示的化合物，商品名“c10-dntt”，(株)daicel制
[化学式6]
c8-dnbdt：下述式(1-12)所示的化合物，商品名“c8-dnbdt，pi-crystal(株)制
[化学式7]
c6-dnt-vw：下述式(1-13)所示的化合物，商品名“c6-dnt-vw”，pi-crystal(株)制
[化学式8]
c8-btbt：下述式(1-14)所示的化合物，商品名“c8-btbt”，sigmaaldrich公司制
[化学式9]
<溶剂>
dhbf：2,3-二氢苯并呋喃，(株)daicel制
工业实用性
本发明的组合物可以用于通过印刷法制造有机半导体器件的用途。