技术特征：
技术总结
一种半导体晶圆的洗净方法，对于在表面形成有氧化膜的半导体晶圆予以供给得以除去该氧化膜的洗净液，且在旋转该半导体晶圆的同时予以进行洗净，而将形成于该半导体晶圆的表面的氧化膜予以除去，其中该氧化膜的除去，系自该洗净液的洗净开始直至疏水面出现前为止，以该半导体晶圆的旋转速度为300rpm以上而进行，之后以切换该半导体晶圆的旋转速度为100rpm以下而进行而将该氧化膜完全除去。由此提供能兼得表面粗糙度的改善及表面缺陷的抑制的半导体晶圆的洗净方法。
技术研发人员：五十岚健作;阿部达夫
受保护的技术使用者：信越半导体株式会社
技术研发日：2017.12.20
技术公布日：2019.08.16