形成电容器阵列的方法、形成个别包括电容器及晶体管的存储器单元的阵列的方法、电容器阵列以及个别包括电容器及晶体管的存储器单元的阵列与流程

本文中所揭示的实施例涉及形成电容器阵列的方法、形成存储器单元的阵列，所述存储器单元个别包括电容器及晶体管的方法，涉及电容器阵列以及存储器单元的阵列，所述存储器单元个别包括电容器及晶体管。

背景技术：

存储器是一种集成电路类型，且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制作成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线、感测线或数据线/感测线)及存取线(其也可称为字线)来对存储器单元进行写入或从所述存储器单元进行读取。数字线可沿着阵列的列而将存储器单元导电互连，且存取线可沿着阵列的行而将存储器单元导电互连。可通过数字线与存取线的组合而对每一存储器单元进行唯一寻址。

存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可长时间周期地存储数据(包含计算机关断时)。易失性存储器耗散且因此需要被刷新/重写(在许多例子中，达每秒多次)。无论如何，存储器单元经配置而以至少两种不同可选择状态存留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被称为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储两个以上电平或状态的信息。

电容器是可用于存储器单元中的一种电子组件类型。电容器具有由电绝缘材料分隔开的两个电导体。能量作为电场可以静电方式存储于此材料内。取决于绝缘体材料的组成，所存储的场将是易失性或非易失性的。举例来说，仅包含sio2的电容器绝缘体材料将是易失性的。一种非易失性电容器类型是铁电电容器，其具有铁电材料作为绝缘材料的至少一部分。铁电材料的特征在于具有两种稳定极化状态且借此可包括电容器及/或存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态可因施加适当编程电压而改变，且在移除所述编程电压之后保持(至少一段时间)。每一极化状态具有与另一极化状态不同的电荷存储电容，且在理想情况下所述极化状态可用于在不使极化状态反转的情况下写入(即，存储)及读取存储器状态直到期望使此极化状态反转为止。较不期望地，在具有铁电电容器的一些存储器中，读取存储器状态的动作可使极化反转。因此，在确定极化状态后，立即对存储器单元进行重写以在其确定之后立刻将存储器单元置于预读取状态中。无论如何，由于形成铁电电容器的一部分的铁电材料的双稳态特性，因此并入有所述电容器的存储器单元理想地是非易失性的。其它可编程材料可用作电容器绝缘体以使电容器变为非易失性的。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的工艺中的衬底构造的图解性透视图。

图2是穿过图1中的线2-2截取的图1构造的前视立面图。

图3是处于在图1及1所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图2构造的视图。

图4是穿过图3中的线4-4截取的横截面图。

图5是处于图3及4所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图3及4构造的前视立面图。

图6是处于图5所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图5构造的视图。

图7是处于图6所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图6构造的视图。

图8是处于图7所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图7构造的视图。

图9是处于图8所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图8构造的视图。

图10是处于图9所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图9构造的视图，且所述视图是穿过图11中的线10-10而截取。

图11是图10构造的透视图。

图12是处于图10及11所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图10及11构造的前视立面图。

图13是处于图12所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图12构造的视图，且所述视图是穿过图14中的线13-13而截取。

图14是图13构造的透视图。

图15是处于图13及14所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图14构造的视图。

图16是处于图15所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图15构造的视图。

图17是穿过图16中的线17-17截取的横截面图。

图17a对应于图17且具有与图17中所展示相同的构造。

图18是处于图16、17及17a所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图16构造的视图。

图19是穿过图18中的线19-19截取的图18构造的前视立面图。

图20是根据本发明的实施例的衬底构造的图解性透视图。

图21是根据本发明的实施例的工艺中的衬底构造的图解性前视立面图。

图22是处于图21所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图21构造的视图。

图23是处于图22所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图22构造的视图。

图24处于图23所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图23构造的视图，且所述视图是穿过图25中的线24-24而截取。

图25是图24构造的透视图。

图26是处于图24及25所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图24及25构造的前视立面图，且所述前视立面图是穿过图27中的线26-26而截取。

图27是图26构造的透视图。

图28是处于图26及27所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图27构造的视图。

图29是处于图28所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图28构造的视图。

图30是穿过图29中的线30-30截取的横截面图。

图31是根据本发明的实施例的双晶体管/双电容器(2t/2c)存储器单元的示意图。

图32是根据本发明的实施例的2t/2c构造的混合示意图与图解性前视立面图。

具体实施方式

本发明的实施例囊括形成电容器阵列的方法及独立于所述制造方法的电容器阵列。本发明的实施例也囊括形成存储器单元的阵列，所述存储器单元个别包括电容器及晶体管的方法以及独立于制造方法的存储器单元的阵列。首先参考图1到19描述形成这些阵列的方法的实例性实施例。

参考图1及2，此绘示包括基底衬底12的衬底片段或构造10的一部分，所述基底衬底12具有阵列或阵列区域14，将在所述阵列或阵列区域内制作个别包括晶体管及电容器的存储器单元的阵列。区域(未展示)在阵列14外围且可被制作成包含电路组件(即，电路系统)。个别存储器单元将制作在阵列14内且阵列14可包括存取线的行及数据线/感测线的列。本文中分别关于一系列存取线及一系列数据线/感测线而使用“行”及“列”，且个别存储器单元已经或将会纵向沿着所述“行”及“列”而形成于阵列14内。行可以是笔直的及/或弯曲的及/或相对于彼此是平行及/或不平行的，列可同样如此。此外，行与列可以90°或者以一或多个其它角度相对于彼此相交。外围区域可被视为开始且阵列14可被视为停止，在所述阵列处存储器单元的重复图案停止(例如，在此重复图案的外围边缘处)，但存取线的行及/或数据线/感测线的列可以且可能将延伸到外围区域中。

基底衬底12可包含导电/导体/传导(即，在本文中是电传导)材料、半导电材料或者绝缘性/绝缘体/绝缘(即，在本文中是电绝缘)材料中的任一者或多者。各种材料被展示为位于基底衬底12上面。材料可在所绘示的图1及2材料旁边、从所述图1及2材料竖向向内或竖向向外。举例来说，其它的部分制作或完全制作的集成电路系统组件可设置于衬底12上面、周围或其内的某处。用于操作存储器阵列内的组件的控制及/或其它外围电路系统也可被制作，且可或可不完全或部分位于阵列或子阵列内。此外，多个子阵列也可被制作且独立地、串联地或以其它方式相对于彼此操作。如本文件中所使用，“子阵列”也可被视为阵列。无论如何，本文中所描述的材料、区及结构中的任一者可为均质或非均质的，且无论如何可在这些材料、区及结构所上覆的任何材料上方是连续或不连续的。此外，除非另外陈述，否则使用任何适合现有或尚待开发的技术来形成每一材料，例如原子层沉积、化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长、扩散掺杂及离子植入。

数据线/感测线18的列16已在基底衬底12上方形成。依据以下论述将明了，在一个实施例中，列16是下部列且数据线/感测线18是下部数据线/感测线，。在此文件中，除非另有指示，否则“在垂直方向上”、“较高”、“上部”、“下部”、“顶部”、“在顶部上”、“底部”、“上面”、“下方”、“下边”、“下面”、“上”、“下”通常指的是垂直方向。此外，在三维空间中，本文中所使用“垂直”及“水平”是独立于衬底的定向而相对于彼此垂直或在垂直的10度以内的方向。“水平”是指沿着主衬底表面的大体方向(即，在10度以内)且可在制作期间相对于所述方向而处理衬底。而且，本文件中的“竖向延伸(extend(ing)elevationally)”及“竖向延伸的(elevationally-extending)”囊括从垂直到距垂直不超过45°的范围。此外，相对于场效应晶体管“竖向延伸”、“竖向延伸的”及“垂直(地)”是指晶体管沟道长度的定向，电流在操作中沿着所述定向在晶体管的处于两个不同高度的两个源极/漏极区之间流动。为简单及易于绘示起见，仅展示两个数据线/感测线18，但将可能在阵列14内形成数千个、数万个数据线/感测线等。此外，这些线及列展示为直线型的，但也可使用弯曲、非平行、弯曲与笔直分段的组合等配置。

导电数据线/感测线18的实例性材料是元素金属、两种或两种以上元素金属的混合物或合金、导电金属化合物及经导电掺杂的半导电材料中的一或多者，其中tin是一个具体实例。数据线/感测线18的实例性立面厚度是150埃到350埃。

在本文件中，“厚度”本身(前面不存在方向性形容词)定义为从不同组成的紧邻材料或紧邻区的最接近表面垂直地穿过给定材料或区的平均直线距离。另外，本文中所描述的各种材料或区可具有实质上恒定厚度或具有可变厚度。如果具有可变厚度，那么厚度是指平均厚度，除非另外指示，且此材料或区将由于厚度是可变的而具有某一最小厚度及某一最大厚度。如本文中所使用，“不同组成”仅需要可彼此直接抵靠的两个所陈述材料或区的所述部分在化学上及/或物理上是不同的(举例来说，假定这些材料或区并非均质的)。如果两个所陈述材料或区并不彼此直接抵靠，那么“不同组成”仅需要彼此最接近的两个所陈述材料或区的所述部分在化学上及/或物理上是不同的(假定这些材料或区并非均质的)。在本文件中，当材料、区或结构相对于彼此存在至少某一物理触碰接触时，所陈述材料、区或结构“直接抵靠”另一者。相比来说，前面无“直接”的“在...上方”、“在...上”、“邻近”、“沿着”及“抵靠”囊括“直接抵靠”以及其中介入材料、区或结构不致使所陈述材料、区或结构相对于彼此的不物理触碰接触的构造。

晶体管20已在数据线/感测线18的列16上方形成。在一个实施例中，晶体管20竖向延伸且在一个实施例中是垂直晶体管。在一个实施例中，晶体管20是下部晶体管。个别晶体管20包括电耦合(在一个实施例中，直接电耦合)到数据线/感测线18中的一者的源极/漏极区21(例如，下部源极/漏极区)、源极/漏极区22(例如，下部源极/漏极区)以及介于源极/漏极区21与22之间的沟道23(例如，多晶硅)。在本文件中，如果在正常操作中，电流能够从区/材料/组件中的一者连续流动到另一者，那么所述区/材料/组件相对于彼此“电耦合”，且主要通过亚原子正电荷及/或负电荷的移动(在充分产生这些亚原子正电荷及/或负电荷时)而进行此电耦合。另一电子组件可介于区/材料/组件之间且电耦合到所述区/材料/组件。相比来说，当将区/材料/组件称为被“直接电耦合”时，在直接电耦合的区/材料/组件之间无介入电子组件(例如，无二极管、晶体管、电阻器、换能器、开关、熔断器等)。针对竖向延伸的晶体管20，源极/漏极区21、22及沟道23个别展示为在水平横截面中具有四边形形状，且具有四个笔直横向侧。可使用包含更少、更多、非笔直及/或弯曲侧的替代形状。出于继续论述的目的，在所绘示实施例中，沟道23具有四个侧，其中在图2中仅以数字形式标出两个横向相对侧25及27。

晶体管20包括位于数据线/感测线18上面的存取线26的行24，所述行操作地邻近晶体管沟道23而延伸且将所述行中的晶体管20互连。在其中晶体管20是竖向延伸的晶体管的一个实施例中，存取线26跨越且操作地横向邻近晶体管沟道23的横向侧25及/或27而横向延伸。在此处如此邻近的情况下，此包括存取线的有效地形成用于个别晶体管的存取栅极的一部分。在一个实施例中，存取线26可被视为下部存取线。图1及2仅展示四个晶体管20及两个存取线26，但可能将包含数千个、数万个存取线等且从而在阵列14内形成数十万、数百万等晶体管20。在其中晶体管20竖向延伸的一个实施例中且如所展示，个别存取线26呈存取线对28、29的形式，所述存取线对横向跨越且操作地横向邻近阵列14内的个别沟道23的横向相对侧25、27。存取线26的材料可以是如上文关于数据线/感测线18所描述，且这些可相对于彼此具有相同或不同组成。对28及29中的每一者的实例性横向厚度是30埃到750埃。存取线26被展示为直线型，但也可使用弯曲、非平行、弯曲与笔直分段的组合等配置。存取线可个别完全地环绕(未展示)相应的个别晶体管沟道或可仅位于这些沟道的圆周的一部分上方，举例来说仅位于晶体管沟道的相对横向侧上方。

栅极绝缘体30(例如，二氧化硅、氮化硅、高k电介质、铁电材料等)位于存取线对28、29与晶体管沟道23之间。介电材料15(例如，si3n4及/或经掺杂及/或未经掺杂sio2)位于衬底12的顶部上且介于数据线/感测线18之间并且为操作电路组件的清晰起见而未展示于图1或其它透视图中。

参考图3及4，材料32(例如，可用作蚀刻停止件的si3n4)已在介电材料15(未展示)上方形成作为构造10的一部分。竖向延伸且纵向伸长的电容器电极线34已在材料32上方形成，且在一个实施例中横向于晶体管20的线(例如，个别行线24)的一侧。电容器电极线34可以是任何适合的导电材料，例如包含上文针对数据线/感测线18及存取线26所描述的材料中的任一者。电容器电极线34中的个别者将为纵向沿着电容器的线(例如，个别线19)的个别电容器的两个电容器电极所共有且是所述两个电容器电极的共享电容器电极线，电容器的所述线是纵向沿着晶体管20的线(例如，24)而形成。可使用任何适合技术来制作电容器电极线34，举例来说使用相对于线34的材料的经毯覆沉积层具有或不具有间距倍增效果的光微影。个别电容器电极线34的实例性横向厚度及高度方向厚度分别是100埃到1，000埃及200埃到1微米。电容器电极线34被展示为直线型，但可使用弯曲、非平行、弯曲与笔直分段的组合等配置。出于继续论述的目的，电容器电极线34可被视为包括横向相对侧33、35、底部31及顶部36。在一个实施例中，形成电容器电极线34的成对的横向相对侧33、35会使得将这些横向相对侧对形成为在从电容器电极线34的顶部36到底部31截取的水平横截面中(举例来说，如图4中的一个水平横截面中所明确展示)从顶部36到底部31是个别直线型/线性笔直的。在一些实施例中，电容器电极线34被称为第二电容器电极或第二电容器电极线。

参考图5，电容器绝缘体38已在个别电容器电极线34的成对的横向相对侧33、35上方且纵向沿着所述个别电容器电极线形成，且在一个实施例中如所展示地在个别电容器电极线34的顶部36上方形成。实例性电容器绝缘体材料包含sio2、si3n4及/或高k电介质且借此电容器是非易失性的。另一选择是，在其它实例性实施例中，电容器绝缘体38包括可编程材料，使得电容器形成为是非易失性的且可编程为至少两个不同量值电容器状态(例如，借此可编程材料既足够厚又在不同状态中保持绝缘，使得足以将所存储的状态擦除的电流在操作电压下不会流过所述可编程材料)。这些实例性可编程材料包含铁电材料、导电桥接ram(cbram)材料、相变材料及电阻ram(rram)材料，其中认为铁电体是理想材料。实例性铁电材料包含具有过渡金属氧化物、锆、氧化锆、铌、氧化铌、铪、氧化铪、锆钛酸铅及钛酸钡锶中的一或多者的铁电体，且其中可具有包括硅、铝、镧、钇、铒、钙、镁、锶及稀土元素中的一或多者的掺杂剂。在一个实施例中，电容器绝缘体38包括介电材料，因此电容器是易失性的。举例来说，此介电材料可包括诸如二氧化硅、氮化硅、氧化铝、高k电介质等多种不可编程介电材料中的一或多者，因此在从电容器的两个电容器电极中的一者或两者移除或充分减小电压/电位后，电荷不会存留在材料38中。非易失性可编程电容器可具有电容器绝缘体，所述电容器绝缘体具有可编程材料与不可编程材料的适合组合。无论如何，电容器绝缘体38的实例性厚度是30埃到100埃。

出于继续论述的目的，电容器绝缘体38可被视为包括竖向延伸的第一电容器绝缘体38x，所述竖向延伸的第一电容器绝缘体包括一对横向相对侧38x1及38x2，相对侧38x1及38x2两者皆横向位于电容器电极线34的一侧35上方。此外，电容器绝缘体38可被视为包括竖向延伸的第二电容器绝缘体38y，所述竖向延伸的第二电容器绝缘体包括一对横向相对侧38y1与38y2，横向相对侧38y1与38y2两者皆横向位于电容器电极线34的一侧33上方。

导电材料40已形成在电容器绝缘体38上方且将最终包括所形成的个别电容器的两个电容器电极中的另一者的导电材料。材料40可具有与电容器电极线34的材料的组成相同或不同的组成。材料40的实例性厚度是25埃到50埃。

参考图6，且在一个实施例中，已对导电材料40进行无掩模各向异性蚀刻(即，至少在所有阵列14内不存在掩模)以从电容器电极线顶部36上方且从横向邻近的电容器电极线34之间的互连处移除所述导电材料。

参考图7，已(举例来说)通过相对于材料40以及电容器电极线34的材料、至少相对于电容器电极线34的顶部36进行的选择性各向异性蚀刻而回移除电容器绝缘体38。在本文件中，选择性蚀刻或选择性移除是其中一种材料相对于另一种所陈述材料以至少2.0:1的比率被移除的蚀刻或移除。

参考图8，暴露的材料32已被移除(例如，通过相对于其它暴露的材料进行的无掩模[至少在阵列14内]选择性各向异性蚀刻)以使个别晶体管20的上部源极/漏极区22暴露。

参考图9，导电材料42(其可具有与材料40的组成相同或不同的组成)已被沉积作为构造10的一部分。在一个实施例中且如所展示，此导电材料已被沉积达到与导电材料40相同的厚度，且在一个实施例中具有与导电材料40相同的组成，如由材料40与42之间的虚界面线所展示。

参考图10及11且在一个实施例中，已对导电材料40及42进行无掩模各向异性蚀刻(即，至少在所有阵列14不存在无掩模)以从电容器电极线34的顶部36上方移除这些导电材料且从横向邻近的导电电容器电极线34之间的互连处移除材料42。此纵向沿着个别晶体管线24、纵向沿着个别电容器电极线34的横向相对侧33及35中的一者(例如，线44的侧35)而在电容器绝缘体38上方形成竖向延伸的导线(例如，44)。个别导线44电耦合(在一个实施例中，直接电耦合)到纵向沿着晶体管20的所述线24的个别晶体管20的上部源极/漏极区22。在一个实施例中且如所展示，从图9进行到图10及11的处理已纵向沿着个别电容器电极线34的横向相对侧33而在电容器绝缘体38上方形成另一竖向延伸的导线46。沟槽47展示为位于紧邻的导线44与46之间。

参考图12，已(举例来说)通过相对于所展示的其它暴露出材料进行选择性蚀刻而回移除了电容器电极线34的材料，从而在电容器电极线34上面形成空隙空间39。

参考图13及14，沟槽47及空隙空间39已被填充且过填充有绝缘体材料48，后续接着将此绝缘体材料连同电容器绝缘体38及线44、46一起回平坦化(例如，通过cmp)以形成所绘示构造。可使用任何适合绝缘体材料48且所述绝缘体材料可具有与电容器绝缘体38的组成相同或不同的组成，其中通过此绝缘体材料与电容器绝缘体38之间的实界面线而将此绝缘体材料展示为具有与电容器绝缘体38的组成不同的组成。

参考图15，绝缘体材料48已被图案化(例如，使用具有或不具有间距倍增效果的光微影)以暴露出导线44、46的横向最外侧的部分，如所展示。

参考图16及17，图15的导线44及导线46(这两者在图16、图17中皆未以数字形式标出)已被横向切断，以形成个别电容器(例如，分别为52x或52y)的两个电容器电极中的间隔开的个别其它电极(例如，50x或50y)。可(例如)通过相对于其它暴露出材料对材料40及42进行选择性湿式或干式各向同性或各向异性蚀刻来进行此切割。切割动作可使材料40及/或42相对于材料38及48中的一或多者形成高度方向上凹陷及/或纵向凹陷(两者皆未展示)。出于继续论述的目的，电容器电极50y可被视为具有横向侧53且电容器电极50x可被视为具有横向侧55。在一些实施例中，电容器电极50x及50y中的任一者可被视为第一电容器电极。在一些实施例中，电容器电极50y可被视为第一电容器电极，且电容器电极50x可被视为第三电容器电极。

图17标出四对(图16仅展示两对)电容器52x、52y，其中每一对共享呈共享电容器电极线34中的一者的形式的单个/共同电容器电极。举例来说，多个额外这些成对的电容器将通过位于沿着导线34纵向紧邻电容器电极50x与电容器电极50y之间的所绘示空间51而沿着电容器电极线34彼此纵向间隔开。在一个实施例中且如所展示，电极50x、50y形成为沿着其相应的电容器电极线34个别纵向延伸达比纵向紧邻电容器电极50x及/或50y之间的空间51的水平距离大的水平距离。

在一个实施例中，其它电容器电极50x及/或50y形成为个别从顶部到底部在底部处是横向最薄的，例如如所展示。在一个实施例中，其它电容器电极50x及/或50y形成为在水平横截面中侧向地从顶部到底部是完全实心的(即，此电容器电极不包含中空中心或其它中空部分及/或不具有容器状形状)，例如如所展示。在一个实施例中，其它电容器电极50y中的个别者形成为直接抵靠个别晶体管20的个别上部源极/漏极区22的最上部表面。在一个此实施例中，个别其它电容器电极50y直接抵靠不足上部源极/漏极区22的相应的最上部表面的全部(图16)，且在一个实施例中直接抵靠不超过所述整个相应的最上部表面的一半(展示了一半)。

在一个实施例中，纵向沿着个别电容器电极线的横向相对侧中的一者而在电容器绝缘体上方形成竖向延伸的导线包括在阵列内的衬底顶部上不具有任何掩模的情况下且在切割动作之前蚀刻导线的导电材料(例如，40及/或42)。在一个实施例中，纵向沿着个别电容器电极线的横向相对侧中的一者而在电容器绝缘体上方形成竖向延伸的导线包括在切割之前有时间间隔地沉积两次导线的导电材料(即，图5中的材料40及图9中的材料42)。在一个此实施例中，在两次有时间间隔的沉积之间对导电材料(例如，图6中的材料40)进行蚀刻，且在进行两次有时间间隔的沉积中的第二次之后，在切割之前蚀刻导电材料(例如，图10中的材料42)。在一个此实施例，蚀刻中的每一者是在阵列内的衬底顶部上不具有任何掩模的情况下进行。

在一个实施例中，第一电容器绝缘体(例如，38x)的一个横向相对侧(例如，38x1)及第一电容器电极(例如，50x)的横向侧(例如，55)的从顶部到底部的至少大部分(在一个实施例中，全部)(这些侧在此处彼此直接抵靠)在水平横截面中是各自线性笔直的。在一个实施例中，第一电容器绝缘体的另一横向相对侧(例如，38x2)及第二电容器电极(例如，34)的一个横向相对侧(例如，35)的从顶部到底部的至少大部分(在一个实施例中，全部)(这些侧在此处彼此直接抵靠)在水平横截面中是各自线性笔直的。在一个实施例中，第二电容器绝缘体(例如，38y)的一个横向相对侧(例如，38y1)及第二电容器电极的另一横向相对侧(例如，33)的从顶部到底部的至少大部分(在一个实施例中，全部)(这些侧在此处彼此直接抵靠)在水平横截面中是各自线性笔直的。在一个实施例中，第二电容器绝缘体的另一横向相对侧(例如，38y2)及第三电容器电极(例如，50x)的横向侧(例如，55)的从顶部到底部的至少大部分(在一个实施例中，全部)(这些侧在此处彼此直接抵靠)在水平横截面中是各自线性笔直的。

在一个实施例中，电容器绝缘体(例如，38x)的另一横向相对侧(例如，38x2)纵向沿着且直接抵靠相应的第二电容器电极线(例如，35)的一个横向相对侧(例如，35)而延伸，所述相应的第二电容器电极线是沿着纵向紧邻电容器(例如，50y)的个别线(例如，19)位于所述电容器之间。

在一个实施例中，图18及19绘示已进行的后续处理。具体来说，竖向延伸的上部晶体管20x已在个别电容器电极线34的其它横向相对侧33上形成于个别电容器52x的其它电极50x中的个别者上方。其它电容器电极50x中的个别者纵向沿着上部晶体管20x的线24x而电耦合(在一个实施例中，直接电耦合)到个别上部晶体管20x的下部源极/漏极区21。在一个实施例中且如所展示，上部晶体管20x包括在个别电容器电极线34的横向相对侧33上的个别电容器52x的其它电容器电极50x上面的上部存取线26x的上部行。上部存取线26中的个别者跨越且操作地横向邻近晶体管20x的上部晶体管沟道23的横向侧而横向延伸并且将所述上部行24x中的上部晶体管20x互连。

上部数据线/感测线18x的上部列16x已在上部晶体管20x的沟道23上面形成。上部晶体管20x的上部源极/漏极区22中的个别者电耦合(在一个实施例中，直接电耦合)到上部数据线/感测线18x中的一者，其中一个数据线/感测线18x将所述上部列16x中的上部晶体管20x互连。上部存储器单元85u及下部存储器单元85l已形成。所绘示的构造10中仅存在总共八个此类存储器单元(图19中以编号仅标出了四个)，其中阵列14内更可能形成数十万个、数百万个存储器单元85u/85l等。

在一个实施例中且如图18及19中所展示，存取线26(且在一个实施例中，线26x)如第二电容器电极线34一般相对于彼此平行，其中线34也相对于存取线26平行(且在一个实施例中，也相对于线26x平行)。在一个实施例中且如所展示，数据线/感测线18(且在一个实施例中，数据线/感测线18x)如第二电容器电极线34一般相对于彼此平行，而其中线34相对于数据线/感测线18不平行(且在一个实施例中，其中线34相对于线18x不平行)。可形成介电材料15，且为清晰起见图18中未展示介电材料15。

上文参考图1到19所描述的实施例中可使用本文中所描述及/或所展示的任何其它属性或方面。

图20展示与图18的构造形成对比的替代实施例构造10a。已在适当的情况下使用来自上文所描述的实施例的相同编号，其中以后缀“a”来指示一些构造差异。图20展示实例性实施例，其中平行存取线26a(且在一个实施例中，存取线26xa)相对于第二电容器电极线34不平行。图20也展示实例性实施例，其中平行数据线/感测线18a(且在一个实施例中，数据线/感测线18xa)相对于第二电容器电极线34平行。可使用如本文中所描述及/或所展示的任何其它属性或方面。

接下来参考图21到30及构造10b描述形成存储器单元的阵列，所述存储器单元个别包括电容器及晶体管的额外实施例方法。已在适当的情况下使用来自上文所描述的实施例的相同编号，其中以后缀“b”或以不同编号来指示一些构造差异。

参考图21，展示图5所绘示的处理的替代处理。已沉积了导电材料40b，使得与位于这些线之间以及横向位于电容器绝缘体38的侧表面上方两者的导电材料相比，在电容器电极线34顶部上的此导电材料更厚。可通过物理气相沉积或通过化学气相沉积与物理气相沉积的组合对材料40b进行沉积来实现此情形。

参考图22，展示与在上文所描述实施例中由图6到8所绘示的处理形成对比的替代处理。具体来说，材料40b、电容器绝缘体38及材料32已被移除，借此导电材料40b仍横跨电容器绝缘体38的顶部。实例性移除技术是使用一或多种蚀刻化学品的干式各向异性蚀刻，且在一个实施例中，在阵列内的衬底顶部上不具有任何掩模的情况下进行所述干式各向异性蚀刻。

参考图23，已沉积了导电材料42。

参考图24及25，如所展示，已对材料42进行了各向异性回蚀(例如，在一个实施例中，在阵列内的衬底顶部上不具有任何掩模的情况下)。此已有效地形成竖向延伸的导线44及46，其中在电容器绝缘体38顶部上的横向延伸的导电材料40b位于个别电容器电极线34的顶部36上方且将沿着个别电容器电极线34的一对横向相对侧33、35中的每一者的导线44与46直接电耦合在一起。

参考图26及27，绝缘体材料48已被沉积且至少被回平坦化到导线44、46及导电材料40b竖向的最外表面。

参考图28，绝缘体材料48已被图案化(例如，使用具有或不具有间距倍增效果的光微影)以暴露出导线44、46的横向最外侧的若干部分。

参考图29及30，已横向切断位于个别电容器电极线34的横向相对侧33、35中的每一者上的图28的导线44及导线46(这两者在图29、30中皆未以数字形式标出)且横向切断横向延伸的导电材料40b以形成个别电容器52b的两个电容器电极中的间隔开的个别其它/第一电极50b。此切割形成包括竖向延伸的第一部件69的个别其它/第一电容器电极50b，所述竖向延伸的第一部件直接电耦合到个别晶体管20的上部源极/漏极区22且在个别电容器电极线34的横向相对侧35上纵向沿着晶体管20的所述线24而从所述上部源极/漏极区竖向向上延伸。此切割动作也形成包括竖向延伸的第二部件67的个别其它/第一电容器电极50b，所述竖向延伸的第二部件与第一部件69横向间隔开且位于个别电容器电极线34的其它横向相对侧33上。此切割动作也形成横向延伸的导电材料40b，来作为个别电容器52b中的间隔开的个别其它/第一电极50b的互连部件/互连部分71(图29)。因此，且在一个实施例中，其它/第一电容器电极50b的一部分是位于第二电容器电极线34的其它横向相对侧33上。在第一实施例中，另一电容器(例如，52x)的第一/其它电容器电极(例如，50x)位于第二电容器电极线34的其它横向相对侧33上。图29及30展示四个存储器单元85b的制作(图29中仅以数字形式标出了两个存储器单元)，但除外之外阵列14内可能形成数十万个、数百万个存储器单元85b等。

在一个实施例中，第一部件69侧向地形成为在水平横截面中从顶部到底部是完全实心的，例如如所展示。在一个实施例中且如所展示，第二部件67侧向地形成为在水平横截面中从顶部到底部是完全实心的，例如如所展示。可使用如本文中所描述及/或展示的任何其它属性或方面。

本发明的实施例囊括形成电容器阵列的方法，所述方法与这些电容器是否形成为存储器阵列的一部分或个别作为存储器单元的一部分无关，且与是否形成晶体管无关。此实施例包括在衬底(例如，12)上方形成竖向延伸且纵向伸长的电容器电极线(例如，34)。电容器电极线中的个别者为个别电容器(例如，52x、52y、52b或52c[下文])的纵向沿着所形成的电容器的线(例如，19或19x)的两个电容器电极所共有且是所述两个电容器电极的共享电容器电极线。在电容器电极线中的个别者的一对横向相对侧(例如，33、35)上方且纵向沿着所述电容器电极线中的个别者形成电容器绝缘体(例如，38)。竖向延伸的导线(例如，44或46)纵向沿着个别电容器电极线的横向相对侧中的一者而形成于电容器绝缘体上方。导线被横向切断以形成个别电容器(例如，52x、52y或52b)的两个电容器电极中的间隔开的个别其它电极(例如，50x、50y或50b)。可使用如本文中所描述及/或所展示的任何其它属性或方面。

图18到20展示上部存储器单元85u及下部存储器单元85l在存储器单元的阵列的一个叠层/层面/层级内的制作。图29及30也展示存储器单元85b的阵列的一个叠层/层面/层级的制作。在任何实施例中，可在图中所绘示的一个叠层/层面/层级上面或下面设置或制作额外叠层/层面/层级。另一选择是，仅可制作单个此类叠层/层面/层级。

在一个实施例中，根据本发明的方法包括将个别存储器单元形成为1t-1c。这些个别存储器单元的特征在于仅具有一个晶体管且仅具有一个电容器且无其它/额外可操作电子组件(例如，无其它选择装置等)，但也可包含将晶体管与电容器互连在一起且将个别存储器单元与个别存储器单元外部的其它组件互连的导电材料。

在一个实施例中，存储器单元的叠层内的阵列形成为具有平移对称性，其中存储器单元中的个别者是1t-1c且占据2f²的水平面积，其中“f”是水平地、横向地且正交地通过电容器电极线、电容器绝缘体及其它电容器电极中的个别者而获取的存储器单元间距。在一个实施例中，“f”是水平地、横向地且正交地通过第二电容器电极线、电容器绝缘体及第一电容器电极中的个别者而获取的存储器单元间距。在一个实施例中，“f”是水平地、横向地且正交地通过第一电容器电极、第一电容器绝缘体、共享第二电容器电极、第二电容器绝缘体及第三电容器电极中的个别者而获取的存储器单元间距。在任何此类实施例中的一者中，所述水平面积形成为由1f×2f矩形(举例来说，如图17a中关于矩形99所展示)水平地限界。

本发明的实施例也囊括将个别存储器单元形成为2t-2c。这些存储器单元的特征在于仅具有两个晶体管且仅具有两个电容器且无其它/额外可操作电子组件(例如，无其它选择装置等)，但也可包含将两个晶体管与两个电容器互连且将个别存储器单元与个别存储器单元外部的其它组件互连的导电材料。图31中将2t-2c存储器单元架构示意性地展示为存储器单元2。存储器单元的两个晶体管标记为t1及t2，且两个电容器标记为cap-1及cap-2。第一晶体管t1的源极/漏极区与第一电容器(cap-1)的节点连接，且t1的另一源极/漏极区与第一比较位线(bl-1)连接。t1的栅极与字线(wl)连接。第二晶体管t2的源极/漏极区与第二电容器(cap-2)的节点连接，且t2的另一源极/漏极区与第二比较位线bl-2连接。t2的栅极与字线wl连接。第一电容器及第二电容器(cap-1及cap-2)中的每一者具有与共同板(cp)电耦合的节点。所述共同板可与任何适合电压耦合。比较位线bl-1及bl-2延伸到电路4，所述电路对所述两个位线的电性质(例如，电压)进行比较以确定存储器单元2的存储器状态。2t-2c存储器单元的优点是可通过将两个比较性位线bl-1及bl-2的电性质彼此进行比较而确定存储器状态。因此，可省略与其它存储器(举例来说，1t-1c存储器)相关联的参考位线。在此实施例中，bl-1及bl-2可电耦合到作为电路4的一部分的同一感测放大器。

图32中展示图19的构造的替代实施例构造，所述替代实施例构造可包括图31中所展示的2t-2c架构的2t-2c架构。已在适当的情况下使用来自上文所描述的实施例的相同编号，其中以后缀“c”指示一些构造差异。构造10c包括2t-2c架构的个别存储器单元85c且所述个别存储器单元可取决于电容器绝缘体的组成而是易失性或非易失性的。将竖向紧邻的成对的晶体管20、20x展示为使其相应的栅极直接电耦合在一起以构成阵列的一个2t-2c存储器单元85c。此在图32中由延伸到所绘示两个这些个别对的节点80的导电互连件79以及将相应的节点80对连接在一起的导电互连件81示意性地展示。互连件79、81及节点80的构造(未展示)可位于图32所在页面的平面内及/或平面外，且可位于阵列14内及/或所述阵列外部。数据线/感测线18d及18xd(或其延伸部)已如所展示且根据针对bl-1及bl-2的图31示意图而被重新配置。可使用如本文中所描述及/或所展示的任何其它属性或方面。

本发明的实施例囊括独立于制造方法的存储器单元(例如，85b、85c、85u、85l)的阵列。然而，独立于制作方法的存储器单元的阵列可具有如上文所描述及/或所展示的属性或方面中的任一者。

在一个实施例中，个别包括电容器(例如，52y、52b、52c)及晶体管(例如，20)的存储器单元(例如，85b、85c、85l)的阵列(例如，14)，且其中所述阵列包括存取线(例如，26)的行(例如，24)及数据线/感测线(例如，18)的列(例如，16)，具有：所述列中的个别者，其包括数据线/感测线，所述数据线/感测线与所述阵列内的个别存储器单元的个别晶体管的一个源极/漏极区(例如，21)电耦合且将所述列中的晶体管互连。所述行中的个别者包括位于所述数据线/感测线上面的存取线。所述存取线操作地邻近晶体管沟道(例如，23)而延伸且将所述行中的晶体管互连。所述阵列内的个别存储器单元的电容器个别包括第一电容器电极(例如，50y、50b、50c)，所述第一电容器电极电耦合到个别晶体管中的一者的另一源极/漏极区(例如，22)且从所述另一源极/漏极区竖向向上延伸。竖向延伸的电容器绝缘体(例如，38x)包括一对横向相对侧(例如，38x1及38x2)。电容器绝缘体的横向相对侧中的一者(例如，38x1)直接抵靠第一电容器电极的横向侧(例如，53)。竖向延伸的第二电容器电极(例如，34)包括一对横向相对侧(例如，33、35)。第二电容器电极的横向相对侧中的一者(例如，35)直接抵靠电容器绝缘体的另一横向相对侧(例如，38x2)。所述阵列内的第二电容器电极是沿着电容器的线(例如，19)水平地延伸的间隔开的纵向伸长线。所述第二电容器电极线中的个别者由纵向沿着电容器的所述线的电容器共享。可使用如本文中所描述及/或所展示的任何其它属性或方面。

在一个实施例中，个别包括电容器(例如，52y、52b、52c)及晶体管(例如，20)的存储器单元(例如，85、85b、85c、85l)的阵列(例如，14)，且其中所述阵列包括存取线(例如，26)的行(例如，24)及数据线/感测线(例如，18)的列(例如，16)，具有：所述列中的个别者，其包括数据线/感测线，所述数据线/感测线与所述阵列内的个别存储器单元的个别晶体管的一个源极/漏极区(例如，21)电耦合、位于沟道(例如，23)下方且将所述列中的晶体管互连。所述行中的个别者包括位于所述数据线/感测线上面的存取线。所述存取线操作地邻近晶体管沟道(例如，23)而延伸且将所述行中的晶体管互连。所述阵列内的个别存储器单元的电容器个别包括第一电容器电极(例如，50y、50b、50c)，所述第一电容器电极电耦合到个别晶体管中的一者的另一源极/漏极区(例如，22)且从所述另一源极/漏极区竖向向上延伸。所述第一电容器电极个别从顶部到底部在所述底部处是横向最薄的。竖向延伸的电容器绝缘体(例如，38x)包括一对横向相对侧(例如，38x1及38x2)。电容器绝缘体的横向相对侧中的一者(例如，38x1)直接抵靠第一电容器电极的横向侧(例如，53)。竖向延伸的第二电容器电极(例如，34)包括一对横向相对侧(例如，33、35)。第二电容器电极的横向相对侧中的一者(例如，35)直接抵靠电容器绝缘体的另一横向相对侧(例如，38x2)(例如，与阵列内的第二电容器电极是否是沿着电容器的线水平地延伸的间隔开的纵向伸长线无关，且与由纵向沿着电容器的所述线的电容器共享的任何这些线无关)。可使用如本文中所描述及/或所展示的任何其它属性或方面。

在一个实施例中，个别包括电容器(例如，52y、52b、52c)及竖向延伸的晶体管(例如，20)的存储器单元(例如，85b、85c、85l)的阵列(例如，14)，且其中所述阵列包括存取线(例如，26)的行(例如，24)及数据线/感测线(例如，18)的列(例如，16)，具有：所述列中的个别者，其包括数据线/感测线，所述数据线/感测线位于所述阵列内的个别存储器单元的竖向延伸的晶体管的沟道(例如，23)下方且将所述列中的晶体管互连。所述行中的个别者包括位于所述数据线/感测线上面的存取线。所述存取线跨越且操作地横向邻近晶体管沟道的横向侧(例如，25及/或27)而横向延伸并且将所述行中的晶体管互连。所述阵列内的个别存储器单元的电容器个别包括第一电容器电极(例如，50y、50b、50c)，所述第一电容器电极直接抵靠晶体管中的一者的上部源极/漏极区(例如，22)的最上部表面且从所述最上部表面竖向向上延伸，此第一电容器电极直接抵靠不足上部源极/漏极区的最上部表面的全部。竖向延伸的电容器绝缘体(例如，38x)包括一对横向相对侧(例如，38x1及38x2)。电容器绝缘体的横向相对侧中的一者(例如，38x1)直接抵靠第一电容器电极的横向侧(例如，53)。竖向延伸的第二电容器电极(例如，34)包括一对横向相对侧(例如，33、35)。第二电容器电极的横向相对侧中的一者(例如，35)直接抵靠电容器绝缘体的另一横向相对侧(例如，38x2)(例如，与阵列内的第二电容器电极是否是沿着电容器的线水平地延伸的间隔开的纵向伸长线无关，且与由纵向沿着电容器的所述线的所述电容器共享的任何这些线无关)。可使用如本文中所描述及/或所展示的任何其它属性或方面。

在一个实施例中，个别包括电容器(例如，52x、52y、52c)及竖向延伸的晶体管(例如，20、20x)的存储器单元(例如，85u、85l、85c)的阵列(例如，14)，且其中所述阵列包括存取线(例如，26、26x)的行(例如，24、24x)及数据线/感测线(例如，18、18x)的列(例如，16、16x)，具有：下部列(例如，16)，其包括下部数据线/感测线(例如，18)，所述下部数据线/感测线位于所述阵列内的个别下部存储器单元(例如，85l)的竖向延伸的下部晶体管(例如，20)的沟道(例如，23)下方且将所述下部列中的下部晶体管互连。包括上部数据线/感测线(例如，18x)的上部列(例如，16x)位于所述阵列内的个别上部存储器单元(例如，85u)的竖向延伸的上部晶体管(例如，20x)的沟道(例如，23)上面且将所述上部列中的上部晶体管互连。包括下部存取线(例如，26)的下部行(例如，24)位于下部数据线/感测线上面。下部存取线跨越且操作地横向邻近下部晶体管的沟道的横向侧(例如，25及/或27)而横向延伸并且将所述下部行中的下部晶体管互连。包括上部存取线(例如，26x)的上部行(例如，24x)位于上部数据线/感测线下面。所述上部存取线跨越且操作地横向邻近所述上部晶体管的沟道的横向侧而横向延伸且将所述上部行中的所述上部晶体管互连。所述阵列包含成对的横向邻近电容器(例如，52x与52y)，其中这些对个别包括第一电容器电极(例如，50y)，所述第一电容器电极电耦合(在一个实施例中，直接电耦合)到下部晶体管中的一者的上部源极/漏极区(例如，22)且从所述上部源极/漏极区竖向向上延伸。竖向延伸的第一电容器绝缘体(例如，38x)包括一对横向相对侧(例如，38x1及38x2)，所述对横向相对侧中的一者(例如，38x1)直接抵靠第一电容器电极的横向侧(例如，53)。竖向延伸的共享第二电容器电极(例如，34)由个别成对的电容器中的电容器共享且包括一对横向相对侧(例如，33、35)。这些侧中的一者(例如，35)直接抵靠第一电容器绝缘体的另一横向相对侧(例如，38x2)。竖向延伸的第二电容器绝缘体(例如，38y)包括一对横向相对侧(例如，38y1、38y2)。这些侧中的一者(例如，38y1)直接抵靠共享第二电容器电极的另一横向相对侧(例如，33)。第三电容器电极(例如，50x)电耦合(在一个实施例中，直接电耦合)到上部晶体管中的一者的下部源极/漏极区(例如，21)且从所述下部源极/漏极区竖向向下延伸。第二电容器绝缘体的另一横向相对侧(例如，38y2)直接抵靠第三电容器电极的横向侧(例如，55)。可使用如本文中所描述及/或所展示的任何其它属性或方面。

在一个实施例中，个别包括电容器(例如，52b)及竖向延伸的晶体管(例如，20)的存储器单元(例如，85b)的阵列(例如，14)，且其中所述阵列包括存取线(例如，26)的行(例如，24)及数据线/感测线(例如，18)的列(例如，16)，具有：所述列中的个别者，其包括数据线/感测线，所述数据线/感测线位于所述阵列内的个别存储器单元的竖向延伸的晶体管的沟道(例如，23)下方且将所述列中的晶体管互连。所述行中的个别者包括位于所述数据线/感测线上面的存取线。所述存取线跨越且操作地横向邻近晶体管沟道的横向侧(例如，25及/或27)而横向延伸并且将所述行中的晶体管互连。所述阵列内的个别存储器单元的电容器个别包括第一电容器电极(例如，50b)，所述第一电容器电极包括竖向延伸的第一部件(例如，69)，所述竖向延伸的第一部件直接电耦合到晶体管中的一者的上部源极/漏极区(例如，22)且从所述上部源极/漏极区竖向向上延伸。竖向延伸的第二部件(例如，67)与第一部件横向间隔开。横向延伸的导电部件(例如，71)将第一部件与第二部件直接电耦合在一起。所述第一部件与所述第二部件仅通过所述横向延伸的导电部件直接电耦合在一起。竖向延伸的第二电容器电极(例如，34)横向位于第一电容器电极的第一部件与第二部件之间。竖向延伸的电容器绝缘体(例如，38x)横向位于第一电容器电极的第一部件之间且竖向延伸的电容器绝缘体(例如，38y)横向位于第一电容器电极的第二部件与第二电容器电极之间。可使用如本文中所描述及/或展示的任何其它属性或方面。

本发明的实施例囊括独立于制造方法的电容器阵列。然而，独立于制作方法的电容器阵列可具有如上文所描述及/或所展示的属性或方面中的任一者。在仅一个实施例中，电容器阵列中的电容器(例如，52y、52b、52c)个别包括第一电容器电极(例如，50y、50b、50c)，所述第一电容器电极电耦合(在一个实施例中，直接电耦合)到晶体管中的一者的上部源极/漏极区(例如，22)且从所述上部源极/漏极区竖向向上延伸。竖向延伸的电容器绝缘体(例如，38x)包括一对横向相对侧(例如，38x1及38x2)。电容器绝缘体的横向相对侧中的一者(例如，38x1)直接抵靠第一电容器电极的横向侧(例如，53)。竖向延伸的第二电容器电极(例如，34)包括一对横向相对侧(例如，33、35)。第二电容器电极的横向相对侧中的一者(例如，35)直接抵靠电容器绝缘体的另一横向相对侧(例如，38x2)。所述阵列内的第二电容器电极是沿着电容器的线(例如，24)水平地延伸的间隔开的纵向伸长线。所述第二电容器电极线中的个别者由纵向沿着所述电容器线的电容器共享。可使用如本文中所描述及/或所展示的任何其它属性或方面。

conclusion

在一些实施例中，一种形成电容器阵列的方法包括：在衬底上方形成竖向延伸且纵向伸长的电容器电极线。所述电容器电极线中的个别者为纵向沿着所形成的电容器线的个别电容器的两个电容器电极所共有且是所述两个电容器电极的共享电容器电极线。在所述电容器电极线中的个别者的一对横向相对侧上方且纵向沿着所述电容器电极线中的个别者形成电容器绝缘体。纵向沿着所述个别电容器电极线的所述横向相对侧中的一者而在所述电容器绝缘体上方形成竖向延伸的导线。横向切断所述导线以形成所述个别电容器的所述两个电容器电极中的间隔开的个别另一者。

在一些实施例中，一种形成个别包括电容器及晶体管的存储器单元的阵列的方法包括：在数据线/感测线的列上方形成晶体管。所述晶体管中的个别者包括电耦合到所述数据线/感测线中的一者的源极/漏极区。所述晶体管包括位于所述数据线/感测线上面的存取线的行。所述存取线中的个别者操作地邻近晶体管沟道而延伸且将所述行中的所述晶体管互连。形成竖向延伸且纵向伸长的电容器电极线。所述电容器电极线中的个别者为纵向沿着电容器线的个别电容器的两个电容器电极所共有且是所述两个电容器电极的共享电容器电极线，所述电容器线是纵向沿着所述晶体管的线而形成。在所述电容器电极线中的个别者的一对横向相对侧上方且纵向沿着所述电容器电极线中的个别者形成电容器绝缘体。纵向沿着所述晶体管的所述线中的个别者、纵向沿着所述个别电容器电极线的所述横向相对侧中的一者而在所述电容器绝缘体上方形成竖向延伸的导线。所述导线中的个别者电耦合到纵向沿着晶体管的所述线的个别晶体管的个别源极/漏极区。横向切断所述导线以形成所述个别电容器的所述两个电容器电极中的间隔开的个别另一者。

在一些实施例中，一种形成个别包括电容器及竖向延伸的晶体管的存储器单元的阵列的方法包括：在下部数据线/感测线的下部列上方形成竖向延伸的下部晶体管。所述下部晶体管中的个别者包括直接电耦合到所述下部数据线/感测线中的一者的下部源极/漏极区。所述下部晶体管包括位于所述下部数据线/感测线上面的下部存取线的下部行。所述下部存取线中的个别者跨越且操作地横向邻近下部晶体管沟道的横向侧而横向延伸且将所述下部行中的所述下部晶体管互连。形成竖向延伸且纵向伸长的电容器电极线。所述电容器电极线中的个别者为纵向沿着电容器线的个别电容器的两个电容器电极所共有且是所述两个电容器电极的共享电容器电极线，所述电容器线是纵向沿着所述下部晶体管的线而形成。纵向沿着所述电容器电极线中的个别者而在横向相对侧上方形成电容器绝缘体。纵向沿着所述下部晶体管的所述线中的个别者、纵向沿着所述个别电容器电极线的一对横向相对侧中的每一者而在所述电容器绝缘体上方形竖向延伸的导线。位于所述个别电容器电极线的所述横向相对侧中的一者上的所述导线中的个别者纵向沿着下部晶体管的所述线而直接电耦合到个别下部晶体管的上部源极/漏极区。位于所述个别电容器电极线的所述横向相对侧中的每一者上的所述导线以形成所述个别电容器的所述两个电容器电极中的间隔开的个别另一者。在位于所述个别电容器电极线的所述横向相对侧中的另一者上的所述个别电容器的所述两个电容器电极中的另一者的个别者上方形成竖向延伸的上部晶体管。所述两个电容器电极中的所述个别另一者是纵向沿着上部晶体管的线而直接电耦合到个别上部晶体管的下部源极/漏极区。所述上部晶体管包括位于所述个别电容器电极线的所述横向相对侧中的所述另一者上的所述个别电容器的所述两个电容器电极中的所述另一者上面的上部存取线的上部行。所述上部存取线中的个别者跨越且操作地横向邻近上部晶体管沟道的横向侧而横向延伸且将所述上部行中的所述上部晶体管互连。在所述上部晶体管的沟道上面形成上部数据线/感测线的上部列。所述上部晶体管的上部源极/漏极区中的个别者直接电耦合到所述上部数据线/感测线中的一者，其中所述一个数据线/感测线将所述上部列中的所述上部晶体管互连。

在一些实施例中，一种形成个别包括电容器及竖向延伸的晶体管的存储器单元的阵列的方法包括：在数据线/感测线的列上方形成竖向延伸的晶体管。所述晶体管中的个别者包括直接电耦合到所述数据线/感测线中的一者的下部源极/漏极区。所述晶体管包括位于所述数据线/感测线上面的存取线的行。所述存取线中的个别者跨越且操作地横向邻近晶体管沟道的横向侧而横向延伸且将所述行中的所述晶体管互连。形成竖向延伸且纵向伸长的电容器电极线。所述电容器电极线中的个别者为纵向沿着电容器线的个别电容器的两个电容器电极所共有且是所述两个电容器电极的共享电容器电极线，所述电容器线是纵向沿着所述晶体管的线而形成。在所述电容器电极线中的个别者的一对横向相对侧上方且纵向沿着所述电容器电极线中的个别者且在所述个别电容器电极线的顶部上方形成电容器绝缘体。纵向沿着所述个别电容器电极线的一对横向相对侧中的每一者而在所述电容器绝缘体上方形成竖向延伸的导线。位于所述个别电容器电极线的所述横向相对侧中的一者上的所述导线中的个别者直接电耦合到纵向沿着晶体管的所述线的个别晶体管的上部源极/漏极区。位于在所述相应的个别电容器电极线的所述顶部上方的所述电容器绝缘体顶部上的横向延伸的导电材料将沿着所述相应的个别电容器电极线的一对横向相对侧中的每一者的所述导线直接电耦合在一起。位于所述个别电容器电极线的所述横向相对侧中的每一者上的所述导线且横向切断所述横向延伸的导电材料以形成所述个别电容器的所述两个电容器电极中的间隔开的个别另一者。所述切割将所述其它电容器电极中的个别者形成为包括竖向延伸的第一部件，所述竖向延伸的第一部件直接电耦合到所述个别晶体管的所述上部源极/漏极区且在所述个别电容器电极线的一个横向相对侧上纵向沿着晶体管的所述线而从所述上部源极/漏极区竖向向上延伸。所述切割将所述其它电容器电极中的个别者形成为包括竖向延伸的第二部件，所述竖向延伸的第二部件在所述个别电容器电极线的另一横向相对侧上与所述第一部件横向间隔开。所述切割将所述横向延伸的导电材料形成为所述个别电容器的所述两个电容器电极中的所述间隔开的个别另一者的一部分。

在一些实施例中，一种电容器阵列具有位于所述阵列内的个别电容器，所述个别电容器包括位于衬底上方的第一电容器电极。所述电容器个别包括：竖向延伸的电容器绝缘体，其包括一对横向相对侧。所述电容器绝缘体的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述第一电容器电极的横向侧。所述电容器个别包括：竖向延伸的第二电容器电极，其包括一对横向相对侧。所述第二电容器电极的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述电容器绝缘体的另一横向相对侧。位于所述阵列内的所述第二电容器电极是沿着所述电容器的线水平地延伸的间隔开的纵向伸长线。所述第二电容器电极线中的个别者由纵向沿着所述电容器线的电容器共享。

在一些实施例中，一种存储器单元的阵列，所述存储器单元个别包括电容器及晶体管，其中所述阵列包括存取线的行及数据线/感测线的列，具有：所述列中的个别者，其包括与所述阵列内的个别存储器单元的个别晶体管的一个源极/漏极区电耦合的数据线/感测线且将所述列中的所述晶体管互连。所述行中的个别者包括位于所述数据线/感测线上面的存取线。所述存取线操作地邻近晶体管沟道而延伸且将所述行中的所述晶体管互连。位于所述阵列内的所述个别存储器单元的电容器个别包括：第一电容器电极，其电耦合到所述个别晶体管中的一者的另一源极/漏极区且从所述另一源极/漏极区竖向向上延伸。所述电容器个别包括：竖向延伸的电容器绝缘体，其包括一对横向相对侧。所述电容器绝缘体的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述第一电容器电极的横向侧。所述电容器个别包括：竖向延伸的第二电容器电极，其包括一对横向相对侧。所述第二电容器电极的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述电容器绝缘体的另一横向相对侧。位于所述阵列内的所述第二电容器电极是沿着所述电容器的线水平地延伸的间隔开的纵向伸长线。所述第二电容器电极线中的个别者由纵向沿着所述电容器线的电容器共享。

在一些实施例中，一种存储器单元的阵列，所述存储器单元个别包括电容器及晶体管，所述阵列包括存取线的行及数据线/感测线的列，其中所述阵列具有：所述列中的个别者，其包括与所述阵列内的个别存储器单元的个别晶体管的一个源极/漏极区电耦合的数据线/感测线且将所述列中的所述晶体管互连。所述行中的个别者包括位于所述数据线/感测线上面的存取线。所述存取线操作地邻近晶体管沟道而延伸且将所述行中的所述晶体管互连。位于所述阵列内的所述个别存储器单元的电容器个别包括：第一电容器电极，其电耦合到所述个别晶体管中的一者的另一源极/漏极区且从所述另一源极/漏极区竖向向上延伸。所述第一电容器电极个别从顶部到底部在所述底部处是横向最薄的。所述电容器个别包括竖向延伸的电容器绝缘体，所述电容器绝缘体包括一对横向相对侧。所述电容器绝缘体的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述第一电容器电极的横向侧。竖向延伸的第二电容器电极包括一对横向相对侧。所述第二电容器电极的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述电容器绝缘体的另一横向相对侧。

在一些实施例中，一种存储器单元的阵列，所述存储器单元个别包括电容器及竖向延伸的晶体管，其中所述阵列包括存取线的行及数据线/感测线的列，具有：所述列中的个别者，其包括数据线/感测线，所述数据线/感测线位于所述阵列内的个别存储器单元的竖向延伸的晶体管的沟道下方且将所述列中的所述晶体管互连。所述行中的个别者包括位于所述数据线/感测线上面的存取线。所述存取线跨越且操作地横向邻近所述晶体管沟道的横向侧而横向延伸且将所述行中的所述晶体管互连。位于所述阵列内的所述个别存储器单元的电容器个别包括：第一电容器电极，其直接抵靠所述晶体管中的一者的上部源极/漏极区的最上部表面且从所述最上部表面竖向向上延伸。所述第一电容器电极直接抵靠不足所述上部源极/漏极区的所述最上部表面的全部。所述电容器个别包括：竖向延伸的电容器绝缘体，其包括一对横向相对侧。所述电容器绝缘体的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述第一电容器电极的横向侧。所述电容器个别包括：竖向延伸的第二电容器电极，其包括一对横向相对侧。所述第二电容器电极的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述电容器绝缘体的另一横向相对侧。

在一些实施例中，一种存储器单元的阵列，所述存储器单元个别包括电容器及竖向延伸的晶体管，其中所述阵列包括存取线的行及数据线/感测线的列，具有：下部列，其包括下部数据线/感测线，所述下部数据线/感测线位于所述阵列内的个别下部存储器单元的竖向延伸的下部晶体管的沟道下方且将彼下部列中的所述下部晶体管互连。上部列包括位于所述阵列内的个别上部存储器单元的竖向延伸的上部晶体管的沟道上面的上部数据线/感测线且将所述上部列中的所述上部晶体管互连。下部行包括位于所述下部数据线/感测线上面的下部存取线。所述下部存取线跨越且操作地横向邻近所述下部晶体管的沟道的横向侧而横向延伸且将所述下部行中的所述下部晶体管互连。上部行包括位于所述上部数据线/感测线下面的上部存取线。所述上部存取线跨越且操作地横向邻近所述上部晶体管的沟道的横向侧而横向延伸且将所述上部行中的所述上部晶体管互连。包含成对的横向邻近电容器，其中所述成对的的横向邻近电容器个别包括：第一电容器电极，其直接电耦合到所述下部晶体管中的一者的上部源极/漏极区且从所述上部源极/漏极区竖向向上延伸。所述对个别包括：竖向延伸的第一电容器绝缘体，其包括一对横向相对侧。所述第一电容器绝缘体的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述第一电容器电极的横向侧。竖向延伸的共享第二电容器电极由所述个别成对的电容器中的所述电容器共享。所述共享第二电容器电极包括一对横向相对侧。所述共享第二电容器电极的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述第一电容器绝缘体的另一横向相对侧。所述对个别包括：竖向延伸的第二电容器绝缘体，其包括一对横向相对侧。所述第二电容器绝缘体的所述横向相对侧中的一者直接抵靠所述共享第二电容器电极的另一横向相对侧。第三电容器电极直接电耦合到所述上部晶体管中的一者的下部源极/漏极区且从所述下部源极/漏极区竖向向下延伸。所述第二电容器绝缘体的另一横向相对侧直接抵靠所述第三电容器电极的横向侧。

在一些实施例中，一种存储器单元的阵列，所述存储器单元个别包括电容器及竖向延伸的晶体管，其中所述阵列包括存取线的行及数据线/感测线的列，具有：所述列中的个别者，其包括数据线/感测线，所述数据线/感测线位于所述阵列内的个别存储器单元的竖向延伸的晶体管的沟道下方且将所述列中的所述晶体管互连。所述行中的个别者包括位于所述数据线/感测线上面的存取线。所述存取线跨越且操作地横向邻近所述晶体管沟道的横向侧而横向延伸且将所述行中的所述晶体管互连。位于所述阵列内的所述个别存储器单元的电容器个别包括第一电容器电极，所述第一电容器电极包括：竖向延伸的第一部件，其直接电耦合到所述晶体管中的一者的上部源极/漏极区且从所述上部源极/漏极区竖向向上延伸。所述第一电容器电极个别包括：竖向延伸的第二部件，其与所述第一部件横向间隔开。所述第一电容器电极个别包括：横向延伸的导电部件，其将所述第一部件与所述第二部件直接电耦合在一起。所述第一部件与所述第二部件仅通过所述横向延伸的导电部件而直接电耦合在一起。所述电容器个别包括：竖向延伸的第二电容器电极，其横向位于所述第一电容器电极的所述第一部件与所述第二部件之间。所述电容器个别包括：竖向延伸的电容器绝缘体，其横向位于所述第一电容器电极的所述第一部件与所述第二电容器电极之间且横向位于所述第一电容器电极的所述第二部件与所述第二电容器电极之间。