基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序与流程

本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序。

背景技术：

在立式成膜装置等基板处理装置中，将搭载有多个基板(以下也称为晶片)的基板保持器(以下也称为晶舟)收容于处理室内且供给处理气体并加热，将处理室内的压力和温度设定为规定值，在基板表面上进行各种处理。在这种基板处理装置中，例如在虚设基板(以下也称为虚设晶片)与产品基板(以下也称为产品晶片)混在一起的状态下将处理气体向处理炉内导入而进行处理的情况下，可知堆积于产品基板的膜厚会根据搭载于晶舟的产品基板的枚数而变动。例如如下述专利文献1记载那样，利用与产品枚数相应的控制参数进行配方(recipe)制作。例如如下述专利文献2记载那样，显示设定基板收容位置的画面，能够设定基板的种类、位置、枚数的各种组合。但是，虚设基板的枚数、移载位置的变更每次都必须根据产品枚数来创建基板的种类、位置、枚数的组合，是很费事的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-075574号公报

专利文献2：日本特开2009-231748号公报

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供一种以成为恰当的基板配置的方式使基板的移载机构动作的结构。

根据本发明的一个方式提供一种结构，具备：基板保持器，其对包括产品基板和虚设基板的多枚基板进行保持；移载机构，其将基板装填到基板保持器；主控制部，其根据与载置于基板保持器的产品基板的枚数、装填于产品基板上下的虚设基板的枚数、和表示装填于基板保持器的虚设基板中的最上方的载置位置的编号分别对应的设定项目，来决定针对基板的基板载置位置；和搬送控制部，其根据该基板载置位置使移载机构动作。

发明效果

根据上述结构，能够以成为恰当的基板配置的方式使基板的移载机构动作。

附图说明

图1是本发明的实施方式的基板处理装置的立体图。

图2是本发明的实施方式的基板处理装置的侧面透视图。

图3是本发明的实施方式的基板处理装置的控制部及存储部的构成例。

图4是用于说明本发明的第1实施方式的图。

图5是本发明的第2及第3实施方式的对规定项目进行设定的设定画面例。

图6中，(a)是表示基于图5中的设定而载置了基板的例子的图。(b)是表示基于图5中的设定而载置了基板的例子的图。(c)是表示基于图5中的设定而载置了基板的例子的图。

图7是本发明的实施方式的流程图的图示例。

图8是用于说明本发明的第4实施方式的图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的实施方式中的基板处理装置。在本实施方式中，基板处理装置作为一个例子而构成为实施半导体器件(ic：integratedcircuit(集成电路))的制造方法中的处理工序的半导体制造装置。此外，在以下说明中，对作为基板处理装置而应用对基板进行氧化、扩散处理或cvd处理等的批量式立式半导体制造装置(以下简称为处理装置)的情况进行叙述。图1是应用本发明的处理装置的透视图，示出为立体图。另外，图2是图1所示的处理装置的侧面透视图。

如图1和图2所示，本实施方式的处理装置100使用晶片盒(pod)110作为收纳由硅等构成的晶片(基板)200的载体，并具备壳体111。在壳体111的正面壁111a上以将壳体111的内外连通的方式开设有晶片盒搬入搬出口112，晶片盒搬入搬出口112由前闸门113进行开闭。在晶片盒搬入搬出口112的正面前方侧设置有加载端口114，加载端口114载置晶片盒110。晶片盒110由工序内搬送装置(未图示)搬入到加载端口114上，并且还被从加载端口114上搬出。

在壳体111内的前后方向的大致中央部的上部设置有旋转架105，旋转架105以支柱116为中心旋转，并在搁板117上保管多个晶片盒110。如图2所示，在壳体111内的加载端口114与旋转架105之间设置有晶片盒搬送装置118。晶片盒搬送装置118由能够在保持着晶片盒110的情况下升降的晶片盒升降机118a和作为水平搬送机构的晶片盒搬送机构118b构成，并在与加载端口114、旋转架105、晶片盒开启器121之间搬送晶片盒110。

如图2所示，在壳体111内的前后方向的大致中央部的下部，遍及整个后端而构筑有子壳体119。在子壳体119的正面壁119a上以沿垂直方向排列成上下两层的方式开设有一对用于将晶片200相对于子壳体119内搬入搬出的晶片搬入搬出口120，在上下层的晶片搬入搬出口120分别设置有一对晶片盒开启器121。晶片盒开启器121具备载置晶片盒110的载置台122和对晶片盒110的盖(盖体)进行装拆的盖装拆机构123。晶片盒开启器121通过利用盖装拆机构123对载置于载置台122的晶片盒110的盖进行装拆，来开闭晶片盒110的晶片出入口。载置台122是在移载基板时供基板收容器载置的移载架。

如图2所示，子壳体119构成与晶片盒搬送装置118和旋转架105的设置空间的环境气体隔绝的移载室124。在移载室124的前侧区域设置有晶片移载机构125。晶片移载机构125由能够将晶片200载置于钳状件125c并沿水平方向旋转和直动的晶片移载装置125a以及用于使晶片移载装置125a升降的晶片移载装置升降机125b构成。通过这些晶片移载装置升降机125b及晶片移载装置125a的连续动作来将晶片200相对于晶舟217装填及卸载。

如图1所示，在移载室124内设置有由供给风扇及防尘过滤器构成的清洁单元134，以供给净化后的环境气体或非活性气体即清洁空气133。如图2所示，在晶舟217的上方设有处理炉202。处理炉202在内部具备基板处理室(未图示，以下称为处理室)，并在该处理室的周围具备对处理室内进行加热的加热器(未图示)。处理炉202的下端部由炉口闸阀147进行开闭。

如图1所示，设置有用于使晶舟217升降的晶舟升降机115。在与晶舟升降机115连结的臂128上水平地安装有密封盖219，密封盖219构成为能够将晶舟217垂直地支承并封闭处理炉202的下端部。晶舟217是具备多根支柱的基板保持器，在支柱上刻设有用于装填多枚(例如30枚～125枚左右)晶片200的槽(之后也称为插槽)。晶舟217构成为将晶片200以中心对齐且沿垂直方向排列的状态分别水平地保持。此外，在晶舟217的上端部和下端部分别搭载多枚侧虚设晶片(sidedummywafer)，产品晶片搭载于上端侧的侧虚设晶片与下端侧的侧虚设晶片之间。在更换产品晶片的同时多次进行批量处理的期间，能够重复使用相同的侧虚设晶片。

接着，对本实施方式的处理装置的动作进行说明。如图1、图2所示，当晶片盒110被供给至加载端口114时，利用前闸门113将晶片盒搬入搬出口112开放，晶片盒110被从晶片盒搬入搬出口112搬入。被搬入的晶片盒110通过晶片盒搬送装置118而被向旋转架105的指定的搁板117自动地搬送并交接。

晶片盒110在由旋转架105暂时保管之后被从搁板117搬送至一个晶片盒开启器121并移载到载置台122，或者被从加载端口114直接搬送至晶片盒开启器121并移载到载置台122。此时，晶片盒开启器121的晶片搬入搬出口120由盖装拆机构123关闭，清洁空气133向移载室124内流通并将其充满。

如图2所示，载置于载置台122上的晶片盒110的盖由盖装拆机构123拆下，从而开放晶片盒110的晶片出入口。另外，晶片200由晶片移载机构125从晶片盒110中拾取，并被移载且装填入晶舟217。将晶片200交接给晶舟217后的晶片移载机构125返回至晶片盒110，将下一枚晶片110装填至晶舟217。

在这一个(上层或下层)晶片盒开启器121中的由晶片移载装置125a进行的晶片200向晶舟217的装填作业中，通过晶片盒搬送装置118从旋转架105或加载端口114向另一个(下层或上层)晶片盒开启器121搬送另一晶片盒110，并同时进行基于晶片盒开启器121的晶片盒110的开放作业。

当预先指定枚数的晶片200被装填至晶舟217时，处理炉202的下端部由炉口闸阀147开放。接着，密封盖219通过晶舟升降机115而上升，支承于密封盖219的晶舟217被向处理炉202内的处理室搬入。加载之后，在处理室内对晶片200实施任意处理。处理之后，通过晶舟升降机115将晶舟217引出，之后，按照大致与上述相反的步骤将晶片200及晶片盒110向壳体111的外部交付。

接着，参照图3对基板处理装置的控制部和存储部的构成进行说明。图3是本实施方式的基板处理装置的控制部和存储部的构成例。如图3所示，控制部10具备主控制部11、温度控制部12、气体流量控制部13、压力控制部14和搬送控制部15。在主控制部11电连接有温度控制部12、气体流量控制部13、压力控制部14、搬送控制部15、受理来自操作人员(操作者)的指示的操作部31、显示操作画面和各种数据等信息的显示部32、存储基板处理装置100的基板处理顺序即处理配方的存储部20等构成基板处理装置100的构成部。此外，操作部31和显示部32在例如触摸面板等的情况下能够一体地构成。

温度控制部12对加热反应炉202的加热器的温度进行控制，从测量处理炉202内的温度的温度传感器接收温度数据，并将其发送至主控制部11。另外，温度控制部12从主控制部11接收例如使处理炉202内的温度上升的加热器的加热温度指示，并以成为所指示的温度的方式使加热器加热。

气体流量控制部13例如从设于向处理炉202内供给处理气体的处理气体供给管上的mfc(以下也称为流量控制器)接收气体的流量数据，并将其发送至主控制部11。另外，从主控制部11接收例如针对设于处理气体供给管上的开闭阀的阀开闭指示、泵驱动指示等气体控制指示，并根据该指示进行气体流量控制。

压力控制部14从设于从处理炉202内将气体排出的排气管上的压力传感器接收处理炉202内的压力信息，并将其发送至主控制部11。另外，从主控制部11接收针对设于上述排气管上的压力调节阀、泵等的阀开度指示、泵驱动指示等，并根据该指示进行处理炉202内压力的控制。这样，控制部10基于由压力传感器检测到的压力，通过压力调节装置在所希望的时机进行控制以使处理室内的压力成为所希望的压力。

搬送控制部15对晶片盒搬送装置118、晶片移载机构125和晶舟升降机115等的位置进行控制，在搬送控制部15电连接有光传感器(未图示)和晶片盒传感器(未图示)，从这些传感器接收例如收容晶片200的晶片盒110的有无、位置等的数据，并将其发送至主控制部11。另外，搬送控制部15从主控制部11接收例如晶片盒110、晶舟217、晶片200的搬送指示，并将晶片盒110、晶舟217、晶片200搬送至所指示的场所或位置。

主控制部11的硬件结构包括cpu(centralprocessingunit：中央处理器)和储存主控制部11的动作程序等的存储器，cpu以如下方式动作：基于例如来自操作部31的操作者的指示而根据该动作程序将存储部20内存储的配方下载到上述存储器并执行。此时，主控制部11针对温度控制部12、气体流量控制部13、压力控制部14、搬送控制部15等各副控制部使其测定处理室内的温度和压力、气体流量等，并基于该测定数据对上述各副控制部输出控制信号，以使上述各副控制部根据配方而动作的方式进行控制。

存储部20由eeprom、闪存、硬盘等构成，也包括存储上述cpu的动作程序的存储介质、和存储配方的存储介质。存储于存储部20内的动作程序例如在基板处理装置启动时被转送至主控制部11的存储器内并进行动作。

如图3所示，存储部20至少具备配方存储部21、wap(waferarrangementparameter：晶片排列参数)存储部22、工艺条件存储部23和工作存储部24。

配方存储部21存储包括用于进行基板处理的工艺配方在内的多种配方，例如用于在晶片200表面进行膜厚a的成膜的配方a、用于在晶片200表面进行膜厚b的成膜的配方b等。一个配方通常由多个处理步骤构成，在各处理步骤中包含多个用于处理基板200的工艺参数。在wap存储部22内至少保存有由操作者决定的向晶舟217移载的晶片200的种类(产品、虚设等)、作为基板载置位置的基板移载位置(移载开始起始插槽编号)、基板枚数等内容(设定项目)。这样，在wap存储部22内包含处理基板200时的产品基板枚数、起始插槽no.、上虚设基板枚数和下虚设基板枚数的多个组合。再者，在wap存储部22内，在产品基板200比晶舟217的插槽数量(能够保持的数量)少的情况下，补充虚设基板的有无及枚数、和监控基板200的移载有无、枚数等信息也包含在各设定项目中。再者，也可以包含侧虚设基板的上下各自的枚数及位置等信息。

工艺条件存储部23将接下来执行的工作中的、搭载于晶舟217的产品基板的枚数和堆积于晶舟217、处理炉202的炉壁、虚设基板上的累积膜厚等工艺条件作为工艺条件管理信息进行存储。该工艺条件管理信息例如能够由操作者从操作部31输入并设定。工作(job)是指将多个产品基板搭载于晶舟217并向处理炉202内搬入、在处理炉202内进行处理、之后从处理炉202搬出并从晶舟217取出产品基板的一系列处理。

工作存储部24存储在接下来执行的工作中使用的配方名称、和该工作的开始顺序或开始时刻等。建立对应利用被称为工作id的自动生成的id。例如，工作存储部24在工作id、作为配方名称的“test(测试)”、表示开始顺序的连续编号“002”或开始时刻“14:00”建立了对应的状态下进行存储。之后，有时也将工作称为工艺配方。

接着，利用图7对本实施方式中的基板配置顺序进行说明。在本实施方式中执行到向晶舟217的基板移载为止，但也可以构成为执行基板移载后的基板处理(工艺配方)。

(s1)至少向基板处理装置100投入规定枚数的产品基板200，当控制部10从上级计算机或操作部31受理了处理产品基板200的指示时，开始本实施方式中的基板配置顺序。

(s2)控制部10从存储部20获取用于向晶舟217配置(布局)基板的各种数据。具体而言，获取预先保存于wap存储部22内的数据中的包含恰当的移载条件的数据。或者，也可以构成为，控制部10为了从操作者获取基板布局制作用数据而在显示部32上恰当显示后述的图4或图5所示的设定表。

(s3)控制部10在通过s2获取到各种数据之后，确认与产品基板200的枚数相应的设定项目(参数)的设定表是否有效。具体而言，确认从后述的图4或图5所示的设定表例中的哪个设定表获取了配置基板的数据。

控制部10在s3中为否(利用图4所示的设定表例获取数据)的情况下向(s7)转移。在该情况下，与产品基板200的枚数无关地根据设定项目(参数)的内容来决定基板的配置。具体而言，构成为在处理产品基板200时，根据起始插槽no.、上虚设基板枚数和下虚设基板枚数的组合来决定基板的配置。

(s4)控制部10在s3中为是(利用图5所示的设定表例获取数据)的情况下，根据与产品基板200的枚数相应的设定项目(参数)的内容来决定基板的配置。首先，确认产品基板200的枚数。(s5)其次，从设定表中选择与产品基板200的枚数相应的虚设基板枚数和起始位置。

(s6)控制部10将虚设基板枚数和起始位置与在(s2)中获取到的基板配置布局制作用数据进行比较。在该情况下，直接根据与产品基板200的枚数相应的设定项目(参数)的内容来决定基板的配置。具体而言，(s7)控制部10构成为根据处理产品基板200时的产品基板枚数、起始插槽no.、上虚设基板枚数和下虚设基板枚数的组合来决定基板的配置。

(s8)控制部10将根据处理产品基板200时的产品基板枚数、起始插槽no.、上虚设基板枚数和下虚设基板枚数的组合而决定的基板的配置发送至搬送控制部15。搬送控制部15构成为控制晶片移载机构125，使其根据所决定的基板载置位置将基板200移载到晶舟217。

虽未图示，但也可以构成为，在将基板200向晶舟217搬送的搬送工序(s8)之后，控制部10从配方存储部21获取工艺配方、并执行该工艺配方来执行处理基板200的工序。

(第1实施例)

接着，利用图4来说明从由向晶舟217移载的基板200的种类、基板200的载置位置、基板200的枚数构成的组中至少选择一个、并根据所选择的条件来控制晶片移载机构125的第1实施例。图4的(a)是设定表的画面例，其设定以下任一项：开始上虚设基板200a的载置的、作为表示载置于基板保持器上的上端的基板载置位置的编号的起始插槽no.；作为从该表示上端的基板载置位置的编号起被载置的虚设基板的上虚设基板200a的枚数；和作为从表示载置于基板保持器上的下端的基板载置位置的编号起被载置的虚设基板的下虚设基板200c的枚数。图4的(b)是根据在图4的(a)中设定的开始上虚设基板200a的载置的起始插槽no.、上虚设基板200a的枚数、下虚设基板200c的枚数而在晶舟217上载置了上下虚设基板(200a、200c)、产品基板200b的例子。在第1实施例的处理中，产品基板200b搭载于上端侧的虚设基板200a与下端侧的虚设基板200c之间。例如，当受理了至少包含通过操作者的操作而被指定的产品基板的枚数和被决定的基板移载位置在内的材料信息时，主控制部11根据基板移载位置将基板200移载到晶舟217。

首先，操作者预先利用操作部31在显示于显示部32的对用于向基板保持器217装填基板200的规定条件进行设定的设定画面中，设定好开始上虚设基板200a的载置的起始插槽no.、上虚设基板200a的枚数、下虚设基板200c的枚数中的至少一个。图4的(a)是将开始移载上虚设基板200a的起始插槽no.设定为120、将上虚设基板200a的枚数设定为10枚、并将下虚设基板200c的枚数设定为5枚的例子。根据该设定，通过控制部10内的主控制部11，晶片移载机构125将所设定的种类的基板在所设定的位置上载置所设定的枚数。此外，在本实施例中，与产品基板的枚数无关地预先固定了开始上侧虚设基板200a的载置的起始插槽no.、上侧虚设基板200a的枚数、下侧虚设基板200c的枚数。

在图4的(b)中，示出了根据由本实施例输入的设定值而利用控制部10的控制对基板保持器217进行了动作控制、并在所设定的基板移载位置移载了基板的状态。

根据以上所说明的第1实施例，不管产品基板枚数是多少，都预先在存储部20(wap存储部22)内登记有上虚设基板的载置开始位置即起始插槽no.、上虚设基板枚数、下虚设基板枚数，因此能够抑制由操作者造成的参数的输入错误。

(第2实施例)

接着，利用图5、图6对根据产品基板枚数来决定虚设基板的载置位置、枚数的第2实施例进行说明。图5中示出了设定有产品基板枚数、开始载置上虚设基板的起始插槽no.、上虚设基板枚数、下虚设基板枚数的表。操作者通过操作部32选择产品基板枚数。主控制部11根据与所选择的产品基板枚数相应的、开始载置虚设基板的起始插槽no.、上虚设基板枚数、下虚设基板枚数来控制移载机构125，从而载置虚设基板、产品基板。图6的(a)表示将产品基板枚数选择为25枚的例子，图6的(b)表示将产品基板枚数选择为75枚的例子，图6的(c)表示将产品基板枚数设定为200枚的例子。如图6的(a)至图6的(c)所示，在实施例的处理中产品基板200b也搭载于上端侧的虚设基板200a与下端侧的虚设基板200c之间。例如构成为，当受理了至少包含通过操作者的操作而被指定的产品基板的枚数和被决定的基板移载位置在内的材料信息时，主控制部11参照设定画面(例如图5)来确认有无产品基板的枚数指定，若有指定则选择与产品枚数相应的参数并决定基板移载位置。

另外，在上述实施例中，作为工艺条件而利用了产品基板的枚数，但也能根据工艺而将虚设基板与产品基板的枚数合计后的基板枚数作为工艺条件。

根据以上所说明的第2实施例，能够获得第1实施例的效果以及至少以下(1)～(3)的效果中的至少一个效果。(1)由于在配方执行时，基板处理装置自动地选择适合产品基板枚数的工艺参数，所以能够抑制由操作者造成的工艺参数的设定错误。另外，与产品基板枚数对应的膜厚控制变得容易，能够抑制产品基板的整个批次不合格的发生。(2)在产品基板枚数针对每个处理发送变动的情况下，也能通过指定恰当的基板配置来抑制伴随产品基板枚数变动产生的堆积于产品基板上的膜厚变动，能提高产品品质的稳定性。(3)无需再根据产品基板枚数来分配wap，能够缩短操作者的作业时间。

(第3实施例)

第3实施例是将第2实施例中的虚设基板换成图案虚设基板的实施方式。以下，仅对与第2实施例不同的点及需要补充说明的部分进行说明。在此，图案虚设基板是指针对通常的虚设基板上如在表面形成有微细图案的产品基板那样在表面设有规定图案的基板。

关于第3实施例中的控制部10的流程图，在图7的s3中与产品基板的枚数相应的参数的设定表(图5)并非有效的情况下，与第1实施例同样地向(s7)转移，与产品基板200的枚数无关地根据在(s2)中获取到的设定项目(参数)的内容来决定基板的配置。

另外，控制部10构成为以使第3实施例中的图案虚设基板成为图6所示的基板配置的方式，根据产品基板枚数、起始插槽no.、上图案虚设基板枚数和下图案虚设基板枚数的组合来决定基板的配置。此外，图5及图6所示的虚设基板枚数是一个例子，并不限定于这些数值，能够适当设定。

在近几年的多品种小批量化的基础上，由于图案的超微细化，从而即使将到目前为止所使用的虚设基板配置于产品基板的上下，处理炉202内的基板表面的处理气体的消耗量也明显不同，无法进行所希望的处理，但根据第3实施例，通过根据图6所示的那种基板配置用图案虚设基板夹着图案晶片的上下，能够使在基板表面上的气体消耗量一致，能够进行所希望的处理。

另外，根据第3实施例，不会用高价的图案虚设基板保持晶舟217的全部插槽。再者，能够根据产品基板的枚数使装填于上下的图案虚设基板的枚数不同或者使载置于产品基板上侧的图案虚设基板的枚数比载置于产品基板下侧的图案虚设基板的枚数多来使用恰当枚数的图案虚设基板，能够谋求成本的降低。

此外，根据第3实施例，当然也包括第1实施例及第2实施例的效果。

(第4实施例)

第4实施例是在第3实施例中进一步移载侧虚设基板200s及补充虚设基板100f的实施方式。如图8所示，是向晶舟217的各插槽移载了补充虚设基板200f并向晶舟217的全部插槽移载了各种基板的图。

主要以图7所示的流程图为中心对第4实施例进行说明，另外，还恰当地利用图4及图5进行说明。此外，关于与第1实施例至第3实施例相同的内容省略说明。

(s1)至少向基板处理装置100投入规定枚数的产品基板200，当控制部10从上级计算机或操作部31受理了处理产品基板200的指示时，开始本实施方式中的基板配置顺序。

(s2)控制部10从存储部20获取用于向晶舟217配置(布局)基板的各种数据。具体而言，获取预先保存于wap存储部22内的数据中的包含恰当条件的数据。另外，也可以构成为，控制部10为了从操作者获取基板布局制作用数据而在显示部32上恰当显示图4和图5所示的设定表双方。

(s3)控制部10在未获取到与产品基板的枚数相应的参数的设定表(图5)的情况下(s3中为否的情况下)，判定为异常且使本流程图强制结束，并发出警报来通知异常的发生。在s3中为是的情况下，向下一个步骤转移。

(s4)控制部10在s3中为是(利用图5所示的设定表例获取数据)的情况下，根据与产品基板200的枚数相应的设定项目(参数)的内容来决定基板的配置。首先，确认产品基板200的枚数。(s5)其次，从图5所示的设定表中选择与产品基板200的枚数相应的图案虚设基板枚数和图案虚设基板的起始位置。

(s6)控制部10将图案虚设基板枚数和图案虚设基板的起始位置与在(s2)中获取到的基于图4所示的设定表的基板配置布局制作用数据进行比较，并根据与产品基板200的枚数相应的设定项目(参数)的内容来决定图案晶片及图案虚设基板的配置。

(s7)控制部10根据图4所示的设定表中规定的载置各种基板的起始插槽no.、上下侧虚设基板的枚数与图5所示的图案虚设基板的起始插槽no.、产品基板枚数、上下图案虚设基板的枚数的组合来决定基板的配置。另外，在实施例4中，在(s2)中获取到的数据包含使用补充虚设基板的信息，如图8所示，决定为在侧虚设基板与图案虚设基板之间的插槽内配置补充虚设基板。

(s8)控制部10将根据上侧侧虚设基板的起始插槽no.、上侧侧虚设基板的枚数(10枚)、下侧侧虚设基板的枚数(5枚)、补充虚设基板的有无及枚数、处理产品基板200b的枚数、上侧图案虚设基板的起始插槽no.、上侧图案虚设基板枚数和下侧图案虚设基板枚数的组合而决定的基板的配置发送至搬送控制部15。搬送控制部15控制晶片移载机构125，使其根据所决定的基板载置位置将基板200移载到晶舟217。

根据第4实施例能够获得第1实施例及第3实施例的效果。

再者，根据第4实施例，通过补充虚设基板，不会使处理炉202内的处理气体产生对流，能够使处理气体比第3实施例更稳定，能够使基板的处理品质提高。

本发明并不限定于所述实施方式，在不脱离其要旨的范围内当然也能进行各种变更。用于进行在所述实施方式中说明的第1实施例的vp处理至第4实施例的cp处理的控制部、操作部、显示部和存储部也可以不是基板处理装置专用的装置，例如能够使用个人电脑(个人计算机)等通常的计算机系统来实现。例如，通过从储存有用于执行上述处理的程序的记录介质(软盘、cd-rom、usb存储器等)向通用计算机安装该程序，能够构成执行上述处理的控制部、操作部、显示部和存储部。

另外，用于供给执行上述处理的程序的收到能够任意选择。除了如上述那样经由规定的记录介质进行供给之外，例如还能够经由通信线路、通信网络、通信系统等进行供给。在该情况下，例如也可以在通信网络的公告板上公告该程序并经由网络进行供给。然后，启动像这样提供的程序，并在基板处理装置的os(operatingsystem：操作系统)的控制下将其与其它应用程序同样地执行，由此能够执行上述处理。

再者，根据第1实施例至第4实施例，在将搭载有多个基板的基板保持器装入处理炉内、并在处理基板时根据处理对象的基板枚数来补充虚设基板而实施基板处理的处理装置100中，例如即使在累积于虚设基板上的膜影响基板品质的情况下，也能进行考虑了处理对象的基板枚数及堆积于处理炉202的内壁上的累积膜厚的工艺参数的管理。

本发明不仅能应用于半导体制造装置，还能应用于如lcd制造装置那样的处理玻璃基板的装置和其它基板处理装置。另外，也可以是立式以外的其它型式，尤其优选应用于具备供多个基板载置的基板载置部(基座)的多片式基板处理装置。

该申请以2017年2月24日提交的日本申请特愿2017-033214为基础主张优先权的利益，其公开内容全部通过引用而并入于此。

工业实用性

能够应用于将搭载有多个基板的晶舟收容于处理炉内且供给处理气体并加热以对基板进行处理的基板处理装置。

附图标记说明

10：控制部，11：主控制部，15：搬送控制部，100：基板处理装置，125：晶片移载机构，200：晶片(基板)，202：处理炉，217：晶舟(基板保持器)。