技术特征：
技术总结
柱状半导体装置的制造方法包括如下工序：形成包围在Si柱6b上通过外延结晶生长而形成的P+层38a、N+层38b、8c的侧面的圆带状的SiO2层及在包围所述SiO2层的外周部形成AlO层51，以所述AlO层51为掩模，对圆带状的SiO2层进行蚀刻而形成圆带状的接触孔，在所述接触孔埋入W层52c、52d、52e，由此形成圆带状的W层52c、52d、52e(包括缓冲导体层)，所述圆带状的W层52c、52d、52e(包括缓冲导体层)与P+层38a、N+层38b、8c的顶部的侧面相接且在俯视时为等宽度。
技术研发人员：舛冈富士雄;原田望;中村広记;菲利普·马塔根;菊池善明
受保护的技术使用者：新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
技术研发日：2017.12.21
技术公布日：2019.10.22