技术特征：
技术总结
本发明公开了一种带有雪崩增益的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、源极、漏极与石墨烯薄膜；源极和漏极水平间隔布置于绝缘层的上表面；石墨烯覆盖在源极、漏极及其之间的绝缘层上表面；阵列中所有像素共用一个栅极，栅极和每个像素的源极之间分别设置一个栅压，每个像素的源极和漏极之间设置一个偏置电压。入射光照射到本发明的器件表面，被半导体衬底吸收。由于石墨烯的特殊性质，其通过电容耦合可以有效收集载流子，产生的光电流直接从单个像素结构输出，实现本地随机读取，无需采用像素间横向转移电荷方式，从根本上改变电荷耦合器件的信号读出方式，提高系统的响应速度和可靠性。
技术研发人员：徐杨;郭宏伟;李炜
受保护的技术使用者：杭州紫元科技有限公司
技术研发日：2018.01.29
技术公布日：2018.07.13