本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置及制备方法。
背景技术：
现有技术中，人们在生活中使用的显示装置较为广泛的为TFT-LCD，其中在的制备过程中，在基板的膜层中有用于连接的过孔，在基板上的膜层制备过程中，其中在过孔上的ITO形成后，在对该ITO层制备过程中，容易有灰尘杂志进入过孔内，难以清除，同时ITO致密性差，水汽容易穿过ITO并直接与栅极层以及源漏极层的金属Mo、AL、Nd等接触，由此会发生电化学腐蚀，导致器件膜层性能受损，降低产品的良率。
技术实现要素：
本发明提供了一种阵列基板、显示面板、显示装置及制备方法，该阵列基板中，第二钝化层的一部分形成于第一过孔和第二过孔内的ITO层上，可以在后续制备过程中对第一过孔和第二过孔内的ITO层及ITO层下的金属层起到保护作用，避免第一过孔和第二过孔内的ITO层与灰尘、杂质、水汽等接触，避免水汽透过ITO层与ITO层下的金属层接触，切断腐蚀源头，避免ITO层及金属层被腐蚀，进而提高产品良率。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种阵列基板，包括在基板上依次形成的栅极层、栅绝缘层、源漏极层、第一钝化层、ITO层，设于所述第一钝化层的第一过孔和设于所述栅绝缘层的第二过孔；第二钝化层，其中，所述第二钝化层的一部分位于所述第一过孔和第二过孔内，以覆盖所述ITO层位于所述第一过孔和第二过孔内的部位。
上述阵列基板中，设置有第二钝化层，第二钝化层的一部分在第一过孔和第二过孔内的ITO层上，在后续制备过程中，当灰尘、杂质、水汽等进入孔内，难以被清除时，第二钝化层在第一过孔和第二过孔内的ITO层上的部分可以将ITO层与灰尘、杂质、水汽等隔开，对第一过孔和第二过孔内的ITO层及ITO层下的金属层起到保护作用，避免第一过孔和第二过孔内的ITO层与灰尘、杂质、水汽等接触，避免水汽透过ITO层与ITO层下的金属层接触，切断腐蚀源头，避免了ITO层及金属层被腐蚀。
因此，上述阵列基板中，第二钝化层的一部分形成于第一过孔和第二过孔内的ITO层上，可以在后续制备过程中对第一过孔和第二过孔内的ITO层及ITO层下的金属层起到保护作用，避免第一过孔和第二过孔内的ITO层与灰尘、杂质、水汽等接触，避免水汽透过ITO层与ITO层下的金属层接触，切断腐蚀源头，避免ITO层及金属层被腐蚀，进而提高产品良率。
优选地，所述第二钝化层中的一部分还覆盖于所述ITO层中在周边布线区域的部位上。
优选地，所述第二钝化层的厚度小于所述第一钝化层的厚度。
优选地，所述ITO层与所述源漏极层通过所述第一过孔连接，所述ITO与所述栅极层通过所述第二过孔连接。
本发明还提供了一种显示面板，包括上述技术方案中提供的任意一种阵列基板。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述技术方案中提供的任意一种显示面板。
本发明还提供了一种阵列基板对的制备方法，在基板上依次形成栅极层、栅绝缘层、源漏极层、第一钝化层、ITO层，设于所述第一钝化层的第一过孔和设于所述栅绝缘层的第二过孔，在ITO层形成之后，且在ITO层图案化处理之前：
在所述ITO层上形成第二钝化层；
在所述第二钝化层上形成光刻胶层，并采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影处理，将所述光刻胶层与过孔区域中的所述第一过孔和第二过孔对应的部分全部保留，将所述光刻胶层中与有效显示区域中ITO层需要刻蚀的部位相对的部分全部去除，并且将所述光刻胶层与有效显示区域中ITO层不需要刻蚀的部位以及所述过孔区域中除所述第一过孔和第二过孔之外设的区域相对的部分的厚度部分去除；
对所述第二钝化层进行刻蚀，以使所述有效显示区域内ITO层需要刻蚀的部位裸露；
对光刻胶进行灰化，将有效显示区域内的光刻胶以及过孔区域内除所述第一过孔和第二过孔之外部位的光刻胶去除，且对ITO层裸露的部位进行刻蚀，形成ITO层的图案；
对所述第二钝化层进行第二次刻蚀，将第二钝化层在所述过孔区域中除所述第一过孔和第二过孔之外的部位和在所述有效显示区域ITO层不需要刻蚀的部位全部去除；
对所述光刻胶剥离。
优选地，在所述对ITO层裸露的部位进行刻蚀之前，对所述光刻胶进行第一次灰化；或者，
在所述对ITO层裸露的部位进行刻蚀之后，对所述光刻胶进行第一次灰化。
优选地，对所述光刻胶进行曝光显影处理时还包括：对所述光刻胶层与周边布线区域相对的部分全部保留。
优选地，所述第二钝化层的厚度小于所述第一钝化层的厚度。
附图说明
图1a至图1g为本发明实施例提供阵列基板的制备过程中过孔区域的部位的结构变化示意图；
图2a至图2f为本发明实施例提供阵列基板的制备过程中周边布线区域的部位的结构变化示意图；
图3a至图3h为本发明实施例提供阵列基板的制备过程中有效显示区域的部位的结构变化示意图；
图4为本发明实施例提供的制备方法的流程示意图；
图标：1-基板；2-栅极层；3-栅绝缘层；4-源漏极层；5-第一钝化层；
6-ITO层；7-第二钝化层；8-光刻胶层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1g，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括在基板1上依次形成的栅极层2、栅绝缘层3、源漏极层4、第一钝化层5、ITO层6，设于第一钝化层5的第一过孔和设于栅绝缘层4的第二过孔；第二钝化层7，其中，第二钝化层7的一部分位于第一过孔和第二过孔内，以覆盖ITO层6位于第一过孔和第二过孔内的部位。
上述阵列基板中，设置有第二钝化层7，第二钝化层7的一部分在第一过孔和第二过孔内的ITO层6上，在后续制备过程中，当灰尘、杂质、水汽等进入孔内，难以被清除时，第二钝化层7在过孔内的ITO层6上的部分可以将ITO层6与灰尘、杂质、水汽等隔开，对第一过孔和第二过孔内的ITO层6及ITO层6下的金属层起到保护作用，避免第一过孔和第二过孔内的ITO层6与灰尘、杂质、水汽等接触，避免水汽透过ITO层6与ITO层6下的金属层接触，切断腐蚀源头，避免了ITO层6及金属层被腐蚀。
因此，上述阵列基板中，第二钝化层7的一部分形成于第一过孔和第二过孔内的ITO层6上，可以在后续制备过程中对第一过孔和第二过孔内的ITO层6及ITO层6下的金属层起到保护作用，避免第一过孔和第二过孔内的ITO层6与灰尘、杂质、水汽等接触，避免水汽透过ITO层6与ITO层6下的金属层接触，切断腐蚀源头，避免ITO层6及金属层被腐蚀，进而提高产品良率。
如图2f所示，上述阵列基板中，第二钝化层7中的一部分还覆盖于ITO层6中在周边布线区域的部位上。第二钝化层7的一部分覆盖于ITO层6中在周边布线区域的部位上，增加了周边布线区域的钝化层的厚度，增加对周边布线区域的金属走线的保护，缓解周边布线区域的金属走线容易被划的问题，降低周边布线区域的金属走线被破坏的风险。
具体地，第二钝化层7的厚度小于第一钝化层5的厚度。设置第二钝化层7的厚度小于第一钝化层5的厚度，即第二钝化层7覆盖于第一过孔和第二过孔处的部分厚度小于第一过孔和第二过孔的深度，则第二钝化层7覆盖于第一过孔和第二过孔处的部分不会超出第一过孔和第二过孔，便于第二钝化层7的图案化处理。
具体地，ITO层6与源漏极层4通过第一过孔连接，ITO与栅极层2通过第二过孔连接。
基于相同的发明构思，本发明还提供了一种显示面板，包括上述技术方案中提供的任意一种阵列基板。
另外，本发明还提供了一种显示装置，包括上述技术方案中提供的任意一种显示面板。
参考图1a至图1g，图2a至图2f，图3a至图3h，以及图4，本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，在基板1上依次形成栅极层2、栅绝缘层3、源漏极层4、第一钝化层5、ITO层6，第一钝化层5以及栅绝缘层3中在过孔区域设有第一过孔和第二过孔，在ITO层6形成之后，且在ITO层6图案化处理之前进行如下步骤：
步骤S101，如图1a、图2a、图3a所示，在ITO层6上形成第二钝化层7；
步骤S102，如图1b至图1d、图3b至图3d所示，在第二钝化层7上形成光刻胶层8，并采用半色调掩膜板对光刻胶层8进行曝光显影处理，将光刻胶层8与过孔区域中的第一过孔和第二过孔对应的部分全部保留，将光刻胶层8中与有效显示区域中ITO层6需要刻蚀的部位相对的部分全部去除，并且将光刻胶层8与有效显示区域中ITO层6不需要刻蚀的部位以及过孔区域中除第一过孔和第二过孔之外设的区域相对的部分的厚度部分去除；
步骤S103，如图3e所示，对第二钝化层7进行刻蚀，以使有效显示区域内ITO层6需要刻蚀的部位裸露；
步骤S104，如图1e、图3f、图3g所示，对光刻胶进行灰化，将有效显示区域内的光刻胶以及过孔区域内除第一过孔和第二过孔之外部位的光刻胶去除，且对ITO层6裸露的部位进行刻蚀，形成ITO层6的图案；
步骤S105，如图1f、图3h所示，对第二钝化层7进行第二次刻蚀，将第二钝化层7在过孔区域中除第一过孔和第二过孔之外的部位和在有效显示区域ITO层6不需要刻蚀的部位全部去除；
步骤S106，如图1g所示，对光刻胶剥离。
上述制备方法中，在ITO层6形成之后，且在ITO层6进行图案化处理之前，如图1a所示，根据步骤S101在ITO层6上形成第二钝化层7；如图1b至图1d以及图3b至图3d所示，根据步骤S102在第二钝化层7上形成光刻胶层8，并采用半色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影处理，在对光刻胶进行曝光显影处理时，将光刻胶层8中与过孔区域内的第一过孔和第二过孔相对的部分全部保留，将光刻胶层8中与有效显示区域内ITO层6需要刻蚀的部位的光刻胶全部去除，将光刻胶层8与有效显示区域中ITO层6不需要刻蚀的部位以及过孔区域中除第一过孔和第二过孔之外的区域相对的部分的厚度部分去除，则，可以利用一次曝光显影处理，在后续制备过程中，将ITO层6图案化的同时，如图1g所示，第二钝化层7的一部分形成于第一过孔和第二过孔内的ITO层6上，第二钝化层7在第一过孔和第二过孔内的ITO层6上的部分在后续制备过程中对第一过孔和第二过孔内的ITO层6及ITO层6下的金属层起到保护作用，避免第一过孔和第二过孔内的ITO层6与灰尘、杂质、水汽等接触，避免水汽透过ITO层6与ITO层6下的金属层接触，切断腐蚀源头，避免ITO层6及金属层被腐蚀，且第二钝化层7的形成与ITO层6图案化在一次制备工艺过程中形成，没有增加Mask次数，节约制备成本。
上述制备方法中，对光刻胶的第一次灰化的工艺顺序有以下选择方式：
方式一
如图3e至图3g所示，在对ITO层6裸露的部位进行刻蚀之前，对光刻胶进行第一次灰化。
方式二
在对ITO层6裸露的部位进行刻蚀之后，对光刻胶进行第一次灰化。
对光刻胶的第一次灰化可以在对ITO层6裸露的部位进行刻蚀之前进行，也可以在对ITO层6裸露的部位进行刻蚀之后进行，对形成后的阵列基板没有影响，增加膜层制备工艺的便利性、灵活性。
如图2c、图2d所示，上述制备方法中，对光刻胶进行曝光显影处理时还包括：对光刻胶层8与周边布线区域相对的部分全部保留。如图2e、图2f所示，经过后续制备，其中，后续制备过程与过孔区域的第一过孔和第二过孔对应的部分的制备过程相同且同步，此处不再赘述，使得第二钝化层7的一部分覆盖于ITO层6中在周边布线区域的部位上，第二钝化层7的一部分覆盖于ITO层6中在周边布线区域的部位上，增加了周边布线区域的钝化层的厚度，增加对周边布线区域的金属走线的保护，缓解周边布线区域的金属走线容易被划的问题，降低周边布线区域的金属走线被破坏的风险。
具体地，第二钝化层7的厚度小于第一钝化层5的厚度。设置第二钝化层7的厚度小于第一钝化层5的厚度，即第二钝化层7覆盖于第一过孔和第二过孔处的部分厚度小于第一过孔和第二过孔的深度，则第二钝化层7覆盖于第一过孔和第二过孔处的部分不会超出第一过孔和第二过孔，便于第二钝化层7的图案化处理。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。