1.显示装置，所述显示装置包含具有显示区域的基板，所述显示区域形成有多个像素，所述显示装置的特征在于，
所述像素包含使用了第一氧化物半导体的第一TFT，
在所述第一氧化物半导体之上，形成有第一栅极绝缘膜，
所述第一栅极绝缘膜由第一硅氧化膜与第一铝氧化膜的层叠构造形成，
在所述第一铝氧化膜之上形成有第一栅电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一栅电极由第二氧化物半导体及在所述第二氧化物半导体之上形成的金属的层叠构造构成。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，覆盖所述第一栅极绝缘膜和所述第一栅电极而形成有层间绝缘膜，所述第一硅氧化膜的缺陷密度低于所述层间绝缘膜的缺陷密度，所述第一硅氧化膜的缺陷密度经ESR分析为1×1018以下，其单位为spins/cm3。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，经TDS分析，在M/z＝32的条件下，所述第一硅氧化膜的氧(O2)放出量在100℃至250℃为1×1015以上，其单位为molec./cm2。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，经TDS分析，在M/z＝44的条件下，所述第一硅氧化膜的N2O的放出量在100℃至400℃为8×1013以下，其单位为molec./cm2。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体形成在第二硅氧化膜之上，所述第二硅氧化膜的缺陷密度经ESR分析为1×1018以下，其单位为spins/cm3。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体形成在第二铝氧化膜之上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一铝氧化膜的厚度为1至20nm。
9.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体的厚度小于所述第一氧化物半导体的厚度。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一栅极绝缘膜仅形成在所述第一栅电极之下。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体具有与漏电极连接的漏极区域、和与源电极连接的源极区域，在所述漏电极与所述漏极区域之间、及所述源电极与所述源极区域之间，形成有由金属或合金形成的保护层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述保护层由与视频信号线相同的材料形成。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述基板具有使用多晶硅的第二TFT，所述多晶硅与所述基板的距离小于所述第一氧化物半导体与所述基板的距离。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述基板具有使用多晶硅的第二TFT，所述多晶硅与所述基板的距离小于所述第一氧化物半导体与所述基板的距离。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述第一氧化物半导体之下，形成有包含第三硅氧化膜的第二栅极绝缘膜，在所述第二栅极绝缘膜之下形成有第二栅电极，
所述第一氧化物半导体形成在所述第三硅氧化膜之上。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述第二栅极绝缘膜由所述第三硅氧化膜和第三铝氧化膜的层叠膜形成，所述第二栅电极与所述第三铝氧化膜接触。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述第二栅电极由金属与第三氧化物半导体的层叠膜形成，所述第三氧化物半导体与所述第二栅极绝缘膜接触。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体具有与漏电极连接的漏极区域、和与源电极连接的源极区域，在所述漏电极与所述漏极区域之间、及所述源电极与所述源极区域之间形成有由金属或合金形成的保护层。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述基板具有使用多晶硅的第二TFT，所述多晶硅与所述基板的距离小于所述第二栅电极与所述基板的距离。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述基板具有使用多晶硅的第二TFT，所述多晶硅与所述基板的距离小于所述第二栅电极与所述基板的距离。