技术特征：
技术总结
本发明提供一种氮化铝膜的生长方法和应用，生长方法包括以下步骤：1)通入三甲基铝和氨气，在衬底上生成第一氮化铝层；2)对第一氮化铝层进行纳米级柱体蚀刻处理，得到柱体凹陷氮化铝层，所述柱体凹陷氮化铝层中具有多个纳米级柱体凹陷；3)控制反应室的温度和压力，通入三甲基铝和氨气，在柱体凹陷氮化铝层上生成第二氮化铝层；4)控制反应室的温度和压力，通入三甲基铝和氨气，在第二氮化铝层上生成第三氮化铝层；其中，步骤3)中氨气和三甲基铝的摩尔流量比小于步骤4)中氨气和三甲基铝的摩尔流量比；氮化铝膜为第一氮化铝层、第二氮化铝层和第三氮化铝层的集合。本发明能够显著提高AlN薄膜晶体质量。
技术研发人员：黄小辉;梁旭东;郑远志
受保护的技术使用者：马鞍山杰生半导体有限公司
技术研发日：2018.03.01
技术公布日：2018.09.14