1.一种铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺，包括前处理、一级发孔腐蚀、二级扩孔腐蚀、后处理，其特征在于，所述一级发孔腐蚀用腐蚀液中添加络合剂，所述络合剂为含羧酸类化合物或其盐。
2.根据权利要求1所述的铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺，其特征在于，所述含羧酸类化合物或其盐在一级发孔腐蚀用腐蚀液中的含量为0.1～100mM。
3.根据权利要求1或2所述的铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺，其特征在于，所述含羧酸类化合物或其盐为乙二胺四乙酸或其盐、二乙烯三胺五羧酸或其盐、葡萄糖酸或其盐、草酸或其盐中的一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求3所述的铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺，其特征在于，所述乙二胺四乙酸或其盐在一级发孔腐蚀用腐蚀液中的含量为15～50mM，所述二乙烯三胺五羧酸或其盐在一级发孔腐蚀用腐蚀液中的含量为8～40mM，所述葡萄糖酸或其盐在一级发孔腐蚀用腐蚀液中的含量为0.4～80mM，所述草酸或其盐在一级发孔腐蚀用腐蚀液中的含量为1～50mM。
5.根据权利要求1所述的铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺，其特征在于，所述一级发孔腐蚀用腐蚀液为盐酸、硫酸、硝酸、磷酸及其所述酸的盐中的两种或两种以上的混合液。
6.根据权利要求5所述的铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺，其特征在于，所述一级发孔腐蚀用腐蚀液中，盐酸的浓度为1～11wt％，硫酸的浓度为40～63wt％，硝酸的浓度为1～18wt％，磷酸的浓度为1～57wt％。
7.根据权利要求6所述的铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺，其特征在于，所述一级发孔腐蚀用腐蚀液为3wt％HCl和30wt％H2SO4的水溶液。
8.根据权利要求1所述的铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺，其特征在于，所述一级发孔腐蚀的条件为：腐蚀温度为50～85℃，电流密度为0.1～2.5A/cm2，腐蚀时间为1～5min。
9.根据权利要求8所述的铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺，其特征在于，所述一级发孔腐蚀的条件为：腐蚀温度为70℃，电流密度为0.6A/cm2，腐蚀时间为1min。