用于纳米线半导体器件的内间隔的制作方法

文档序号:15452249发布日期:2018-09-15 00:15阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种在纳米线之间形成内间隔的方法(100):提供(110)鳍片,所述鳍片包含交替的牺牲材料(4)的层与纳米线材料(3)的层的堆叠;选择性地除去(130)部分牺牲材料(4),从而形成凹陷(5);将电介质材料(10)沉积(140)到凹陷(5)中,形成在凹陷(5)中的电介质材料和在凹陷(5)外的多余的电介质材料,其中在各凹陷(5)中的电介质材料中保持缝隙(11);使用第一蚀刻剂除去(150)多余的电介质材料;使用第二蚀刻剂扩大(160)缝隙(11),形成间隙(12),使得余下的电介质材料仍然覆盖牺牲材料并部分覆盖纳米线材料,使得外端可接近;在外端上生长(170)电极材料,使得从相邻外端生长的电极材料合并,从而覆盖间隙(12)。

技术研发人员:K·沃斯汀;H·梅尔腾斯;L·维特斯;A·西卡维;堀口直人
受保护的技术使用者:IMEC非营利协会
技术研发日:2018.03.02
技术公布日:2018.09.14
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