本发明涉及一种基板处理装置。
背景技术：
已知一种能够对以多层的方式被保持于基板保持具的多张基板统一地进行处理的、批量式的基板处理装置。
作为批量式的基板处理装置已知一种具有容纳基板的内管、包围内管的外管、在内管的侧壁设置的气体排气口、对被内管与外管夹持的空间进行排气的排气单元的装置(例如参照专利文献1)。在该装置中，气体排气口的开口宽度随着接近排气单元而逐渐变窄，因此调整排气的平衡，使向基板的表面供给的气体的流速在基板间均匀化。
专利文献1：日本专利第5284182号公报
技术实现要素：
发明要解决的问题
然而，在上述的基板处理装置中，气体排气口的开口形状是按装置而决定的，因此有时由于工艺条件、处理张数的变化而无法得到所期望的面间均匀性。这是因为不能够按工艺条件、处理张数来调整排气的平衡。
因此，在本发明的一个方式中，其目的在于提供一种能够控制面间均匀性的基板处理装置。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明的一个方式所涉及的基板处理装置具备：内管，其设置为能够容纳多张基板，并且具有第一开口部；外管，其包围所述内管；可动壁，其可移动地设置于所述内管内、或所述内管与所述外管之间，并且具有第二开口部；气体供给单元，其向所述内管内供给处理气体；排气单元，其设置于比所述可动壁靠外侧的位置，经由所述第一开口部和所述第二开口部对被供给到所述内管内的所述处理气体进行排气；以及压力检测单元，其检测所述内管内的压力。
发明的效果
根据公开的基板处理装置，能够控制面间均匀性。
附图说明
图1是第一实施方式所涉及的基板处理装置的概要图。
图2是用于说明图1的基板处理装置的处理容器的横剖面图。
图3是用于说明图1的基板处理装置的内管的一例的立体图。
图4是用于说明图1的基板处理装置的可动壁的一例的立体图。
图5是用于说明共通开口部的图。
图6是用于说明第一开口部与第二开口部之间的位置关系的图。
图7是表示第一实施方式所涉及的压力调整方法的流程图。
图8是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(1)。
图9是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(2)。
图10是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(3)。
图11是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(4)。
图12是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(5)。
图13是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(6)。
图14是第二实施方式所涉及的基板处理装置的概要图。
附图标记说明
1：基板处理装置；34：处理容器；41：排气单元；44：内管；46：外管；52：第一开口部；76：气体喷嘴；78：气体喷嘴；80：气体喷嘴；88：压力调整阀；100：可动壁；102：第二开口部；104：旋转轴；110：压力检测单元；112：传感器管；114：第二真空计；120：控制单元；122：存储介质；w：晶圆。
具体实施方式
下面，参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，由此省略重复的说明。
〔第一实施方式〕
(基板处理装置)
对本发明的第一实施方式所涉及的基板处理装置进行说明。图1是第一实施方式所涉及的基板处理装置的概要图。图2是用于说明图1的基板处理装置的处理容器的横剖面图。图3是用于说明图1的基板处理装置的内管的一例的立体图。图4是用于说明图1的基板处理装置的可动壁的一例的立体图。
如图1所示，基板处理装置1具有能够容纳作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆w”。)的处理容器34。
处理容器34具有下端部开放的有顶的圆筒形状的内管44、以及下端部开放且覆盖内管44的外侧的、有顶的圆筒形状的外管46。内管44和外管46由石英等耐热性材料形成，呈同轴状地配置而呈二层管结构。以规定的间隔保持多张晶圆w的基板保持具38相对于处理容器34内被搬入搬出。
内管44的顶部44a例如为平坦的。在内管44的一侧形成有喷嘴容纳部48，该喷嘴容纳部48沿着其长度方向(上下方向)容纳气体喷嘴。在第一实施方式中，如图2所示，使内管44的侧壁的一部分朝向外侧突出而形成凸部50，凸部50内形成为喷嘴容纳部48。
另外，如图3所示，在内管44的、与喷嘴容纳部48相对的一侧的侧壁沿着其长度方向(上下方向)形成有宽度l1的矩形的第一开口部52。
第一开口部52为形成为能够对内管44内的气体进行排气的气体排气口。第一开口部52的长度与基板保持具38的长度相同、或形成为比基板保持具38的长度长而分别向上下方向延伸。即，第一开口部52的上端延伸到而位于与基板保持具38的上端对应的位置以上的高度，第一开口部52的下端延伸到而位于与基板保持具38的下端对应的位置以下的高度。具体地说，如图1所示，基板保持具38的上端与第一开口部52的上端之间的高度方向的距离l2在0mm～5mm左右的范围内。另外，基板保持具38的下端与第一开口部52的下端之间的高度方向的距离l3在0mm～350mm左右的范围内。另外，第一开口部52的宽度l1在10mm～400mm左右的范围内，优选在40mm～200mm左右的范围内。另外，对第一开口部52的四个角部中的两个角部进行倒角。
处理容器34的下端由例如由不锈钢形成的圆筒形状的歧管54支承。在歧管54的上端部形成有凸缘部56，在凸缘部56上设置外管46的下端部来支承该外管46的下端部。在凸缘部56与外管46的下端部之间设置o环等密封构件58来使外管46内呈气密状态。
在歧管54的上部的内壁设置有圆环状的支承部60，在支持部60上设置内管44的下端部来支承该内管44的下端部。盖部36借助o环等密封构件62气密地安装于歧管54的下端的开口部，气密地堵塞处理容器34的下端的开口部一侧即歧管54的开口部。盖部36例如由不锈钢形成。
旋转轴66借助磁性流体密封部64贯通地设置于盖部36的中央部。旋转轴66的下部旋转自如地被支承于包括晶圆舟升降机的升降单元68的臂68a，被电动机进行旋转。
在旋转轴66的上端设置有旋转板70，保持晶圆w的基板保持具38借助石英制的保温台72来被载置于旋转板70上。因而，通过使升降单元68升降，盖部36与基板保持具38一体地上下移动，能够相对于处理容器34内来搬出搬入基板保持具38。
气体供给单元40设置于歧管54，向内管44内导入处理气体、吹扫气体等气体。气体供给单元40具有多个(例如三个)石英制的气体喷嘴76、78、80。各气体喷嘴76、78、80沿着内管44的长度方向设置于内管44内，并且以各气体喷嘴76、78、80的基端部弯曲为l字状而贯通歧管54的方式来支承各气体喷嘴76、78、80。
如图2所示，气体喷嘴76、78、80以沿着周向成为一列的方式设置于内管44的喷嘴容纳部48内。在各气体喷嘴76、78、80沿着其长度方向以规定的间隔形成有多个气体孔76a、78a、80a，能够由各气体孔76a、78a、80a朝向水平方向排出各气体。规定的间隔例如设定为与被基板保持具38支承的晶圆w的间隔相同。另外，关于高度方向的位置，设定为各气体孔76a、78a、80a位于在上下方向上相邻的晶圆w间的中间，能够高效地向晶圆w间的空间部供给各气体。
作为气体的种类使用原料气体、氧化气体和吹扫气体，能够一边对各气体进行流量控制一边根据需要经由各气体喷嘴76、78、80供给各气体。例如，作为原料气体使用硅含有气体、作为氧化气体使用臭氧气体、作为吹扫气体使用氮气体，由此能够利用原子层沉积(ald：atomiclayerdeposition)法形成氧化硅膜。此外，气体的种类能够根据要成膜的膜的种类来适当地进行选择。
另外，在歧管54的上部的侧壁且支承部60的上方处形成有气体出口82，能够经由内管44与外管46之间的空间部84对由第一开口部52排出的内管44内的气体进行排气。在气体出口82设置排气单元41。排气单元41具有与气体出口82连接的排气通路86，在排气通路86依次连接有作为压力调整单元的压力调整阀88和真空泵90，能够将处理容器34内排气为真空。另外，在排气通路86设置有非稳定波型磁控管传感器(日文：バラトロンセンサ)等第一真空计92，能够检测排气通路86内的压力。
在外管46的外周侧以覆盖外管46的方式设置有圆筒形状的加热单元42，对晶圆w进行加热。
另外，在内管44内沿着内管44的内侧壁设置有可动壁100。如图4所示，可动壁100具有半圆筒形状，在其侧壁形成有第二开口部102。
第二开口部102为形成为能够对内管44内的气体进行排气的气体排气口。例如图4所示，第二开口部102为与第一开口部52不同的形状，形成为平行四边形状。例如图1所示，第二开口部102的上端延伸到位于与第一开口部52的上端对应的位置的高度。例如图1所示，第二开口部102的下端延伸到位于与第一开口部52的下端对应的位置的高度。
旋转轴104借助磁性流体密封部64来被贯通地设置于可动壁100。旋转轴104构成为能够与旋转轴66彼此独立地被电动机进行移动(进行旋转)。通过使旋转轴104旋转来使可动壁100旋转，从而能够使第二开口部102相对于第一开口部52的位置变化。由此，能够使第一开口部52与第二开口部102重叠的区域(以下称作“共通开口部ca”。)的形状变化。其结果是，能够调整内管44内的气体的排气的平衡，从而能够控制向晶圆w的表面供给的气体的流速。
压力检测单元110被设置于歧管54。压力检测单元110具有石英制的传感器管112。传感器管112的一端与内管44内连通，传感器管112沿着内管44的长度方向被设置于该内管44内，并且该传感器管112以基端部弯曲为l字状并贯通歧管54的方式被支承。在传感器管112安装有检测传感器管112内的压力的非稳定波型磁控管传感器等第二真空计114，能够检测传感器管112内的压力。在图示的例子中，传感器管112的前端位于内管44内的下部，因此能够检测内管44内的下部处的压力。另外，传感器管112的前端也可以位于内管44内的中央部，还可以位于内管44内的上部。
传感器管112优选能够在其内部流通吹扫气体等气体。通过使在传感器管112内流通吹扫气体等气体，能够抑制沉积物附着于传感器管112内。另外，流通于传感器管112内的吹扫气体等气体优选为固定流量。通过为固定流量，内管44内的压力与传感器管112内的压力之比固定，因此能够通过预先测定内管44内的压力与传感器管112内的压力之间的关系来高精度地检测内管44内的压力。
返回图1，这样形成的基板处理装置1的整体的动作例如由包括计算机等的控制单元120进行控制。进行该动作的计算机的程序例如存储于存储介质122中。存储介质122例如可以为软盘、光盘、硬盘、闪存、dvd等。
控制单元120基于由压力检测单元110检测的内管44内的压力来控制压力调整阀88和可动壁100。
另外，在可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系同预先决定的、可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系不同的情况下，控制单元120将可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系向趋近预先决定的关系的方向进行校正。
预先决定的、可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系可以为在与基板处理装置1不同的基板处理装置(以下也称作“基准装置”。)中获取到的、可动壁的旋转角度与内管内的压力之间的关系。由此，控制单元120能够使基板处理装置1的可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系同基准装置的可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系一致。其结果是，能够使设备差异(装置间的偏差)减小。此外，预先决定的、可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系例如可以存储于存储介质122中。另外，在控制单元120与通信网络连接的情况下，预先决定的、可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系可以存储于经由通信网络所连接的其它基板处理装置、主机等中。
具体地说，在例如由压力检测单元110检测的内管44内的压力从大致固定值转为减少或增加时的可动壁100的位置与预先决定的第一位置不同的情况下，控制单元120将内管44内的压力从大致固定值转为减少或增加时的可动壁100的位置向趋近第一位置的方向进行校正。第一位置能够设为例如在基准装置中内管44内的压力从大致固定值转为减少或增加时的可动壁100的位置。
另外，在例如可动壁100处于第二位置的情况下的内管44内的压力与预先决定的第二压力不同的情况下，控制单元120将可动壁100处于第二位置的情况下的内管44内的压力向趋近第二压力的方向进行校正。第二压力能够设为例如在基准装置中可动壁处于第二位置的情况下的内管内的压力。第二位置能够设为例如使共通开口部ca为最大的位置或为最小的位置。
图5是用于说明共通开口部ca的图。图5的(a)为用于说明第二开口部102的一部分与第一开口部52重叠的情况下的共通开口部的图。图5的(b)为图5的(a)中的“top”所示的位置处的处理容器34的横剖面图。图5的(c)是图5的(a)中的“ctr”所示的位置处的处理容器34的横剖面图。图5的(d)是图5的(a)中的“btm”所示的位置处的处理容器34的横剖面图。此外，“top”表示处理容器34的上方侧的位置，“ctr”表示处理容器34的中央部的位置，“btm”表示处理容器34的下方侧的位置。
如图5的(a)所示，在可动壁100位于使得第二开口部102的一部分与第一开口部52重叠的位置的情况下，共通开口部ca的开口宽度随着从top侧朝向btm侧而变窄。
具体地说，如图5的(b)所示，在“top”的位置处，第二开口部102与第二开口部52完全重叠。因此，共通开口部ca的开口宽度为第一开口部52的宽度。另外，如图5的(c)所示，在“ctr”的位置处，第二开口部102的一部分与第一开口部52重叠。因此，共通开口部ca的开口宽度为第一开口部52与第二开口部102重叠的部分的宽度，比“top”的位置处的共通开口部ca的开口宽度窄。另外，如图5的(d)所示，在“btm”的位置处，第二开口部102极小的一部分与第一开口部52重叠。因此，共通开口部ca的开口宽度为第一开口部52与第二开口部102重叠的部分的宽度，比“ctr”的位置处的共通开口部ca的开口宽度窄。像这样，共通开口部ca的开口宽度随着从top侧朝向btm侧而变窄。
图6是用于说明第一开口部52与第二开口部102之间的位置关系的图。从图6的(a)至图6的(f)示出通过使可动壁100移动(旋转)来使第二开口部102相对于第一开口部52的位置变化时的共通开口部ca的形状的变化。
如图6的(a)至图6的(f)所示，通过使可动壁100旋转，能够使共通开口部ca的形状变化。
在图6的(a)中，第一开口部52与第二开口部102完全不重叠，共通开口部ca的开口面积为0。由此，内管44内的气体不被排气、或几乎不被排气。
在图6的(b)中，在第一开口部52的上方侧，第一开口部52与第二开口部102重叠。相对于此，在第一开口部52的下方侧，第一开口部52与第二开口部102不重叠。由此，内管44内的气体不从第一开口部52的下方侧排气，而选择性地从第一开口部52的上方侧排气。
在图6的(c)中，在第一开口部52的上方侧和下方侧中，第一开口部52与第二开口部102重叠，关于其重叠的宽度，第一开口部52的上方侧的该宽度比下方侧的该宽度宽。由此，相比于第一开口部52的下方侧，内管44内的气体容易从第一开口部52的上方侧进行排气。
在图6的(d)中，第二开口部102与第一开口部52完全重叠。由此，内管44内的气体从整个第一开口部52进行排气。
在图6的(e)中，在第一开口部52的上方侧和下方侧中，第一开口部52与第二开口部102重叠，关于其重叠的宽度，第一开口部52的下方侧的该宽度比上方侧的该宽度宽。由此，相比于第一开口部52的上方侧，内管44内的气体容易从第一开口部52的下方侧进行排气。
在图6的(f)中，在第一开口部52的下方侧，第一开口部52与第二开口部102重叠。相对于此，在第一开口部52的上方侧，第一开口部52与第二开口部102不重叠。由此，内管44内的气体不从第一开口部52的上方侧进行排气，而选择性地从第一开口部52的下方侧进行排气。
像这样，能够通过使可动壁100旋转来使共通开口部ca的形状变化。由此，能够按工艺条件、处理张数的变化来使可动壁100的位置移动，由此能够根据工艺条件、处理张数来调整排气的平衡。其结果是，能够得到所期望的面间均匀性。
然而，第一实施方式的基板处理装置1在检测排气通路86内的压力的第一真空计92以外还具有用于检测内管44内的压力的压力检测单元110，这是基于如下的理由。
在从内管44内到排气通路86内为止的流路的导通变化不存在的情况下，内管44内的压力与排气通路86内的压力之比为固定的值。因此，如果预先测定内管44内的压力与排气通路86内的压力之比，则能够通过测定排气通路86内的压力而求出内管44内的压力。
然而，在沿着内管44的内侧壁设置有可动壁100的情况下，共通开口部ca的形状根据可动壁100的旋转角度而变化，从内管44内经由共通开口部ca到排气通路86内的流路的导通变化。因此，内管44内的压力与排气通路86内的压力之比变化，即使测定排气通路86内的压力也不能够准确地求出内管44内的压力。
因此，在第一实施方式所涉及的基板处理装置1中，设置有能够检测内管44内的压力的压力检测单元110。由此，能够直接检测内管44内的压力变动，因此即使在内管44内的压力与排气通路86内的压力之比变化了的情况下，也能够高精度地检测内管44内的压力。
(压力调整方法)
对使用了前述的基板处理装置1的压力调整方法的一例进行说明。在以下，举出使基板处理装置1(以下也称作“校正对象装置1”。)的可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系同另一个基板处理装置(以下称作“基准装置1r”。)的可动壁100r的旋转角度与内管44r内的压力之间的关系一致的情况为例来进行说明。
图7是表示第一实施方式所涉及的压力调整方法的流程图。图8至图13为第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图。在图8中示出基准装置1r中的第一开口部52r与第二开口部102r之间的位置关系。在图9至图13中示出可动壁100、100r的旋转角度与内管44、44r内的压力之间的关系。在图9至图13中，横轴表示可动壁100、100r的旋转角度，纵轴表示内管44、44r内的压力。
首先，进行基准装置1r的压力测定(步骤s1)。具体地说，一边使基准装置1r的可动壁100r旋转一边利用压力检测单元检测内管44r内部的压力。由此，能够获取基准装置1r中的可动壁100r的旋转角度与内管44r内的压力之间的关系。可动壁100r的旋转角度与内管44r内的压力之间的关系例如存储于存储介质中。
图8示出可动壁100r处于第一闭位置、靠上排气位置、最大开口位置、靠下排气位置和第二闭位置的情况下的、第一开口部52r与第二开口部102r之间的位置关系。图9示出一边使可动壁100r按照如下顺序依次旋转到第一闭位置、靠上排气位置、最大开口位置、靠下排气位置和第二闭位置一边利用压力检测单元测定内管44r内的压力时的、可动壁100r的旋转角度与内管44r内的压力之间的关系。
如图8所示，第一闭位置为第一开口部52r与第二开口部102r不重叠时的位置。因此，在第一闭位置处，内管44r内的气体几乎不排气，因此如图9所示，内管44内的压力最高。
另外，如图8所示，靠上排气位置为第一开口部52r与第二开口部102r之间的重叠在上方侧大、在下方侧小的位置。因此，如图9所示，相比于第一闭位置，在靠上排气位置处内管44r内的压力小，相比于最大开口位置，在靠上排气位置处内管44r内的压力大。
另外，如图8所示，最大开口位置为第二开口部102r与第一开口部52r完全重叠时的位置。因此，在最大开口位置处，内管44r内的气体最容易进行排气，因此如图9所示，内管44内的压力最低。
另外，如图8所示，靠下排气位置为第一开口部52r与第二开口部102r之间的重叠在下方侧大、在上方侧小的位置。因此，如图9所示，相比于第一闭位置，在靠下排气位置处内管44r内的压力小，相比于最大开口位置，在靠下排气位置处内管44r内的压力大。
另外，如图8所示，第二闭位置为第一开口部52r与第二开口部102r不重叠时的位置。因此，在第二闭位置处，与第一闭位置相同，内管44r内的气体几乎不进行排气，因此如图9所示，内管44内的压力最高。
接着，进行校正对象装置1的压力测定(步骤s2)。具体地说，与基准装置1r的情况相同，一边使校正对象装置1的可动壁100旋转一边利用压力检测单元110检测内管44内的压力。由此，能够获取校正对象装置1中的可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系。可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系例如存储于存储介质122中。
图10示出一边使可动壁100按照如下顺序依次旋转到第一闭位置、靠上排气位置、最大开口位置、靠下排气位置和第二闭位置一边利用压力检测单元110检测内管44内的压力时的、可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系。在图10中，粗的实线表示校正对象装置1中的可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系，细的实线表示基准装置1r中的可动壁100r的旋转角度与内管44r内的压力之间的关系。如图10所示，校正对象装置1中的可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系同基准装置1r中的可动壁100r的旋转角度与内管44r内的压力之间的关系不一致。
接着，进行校正对象装置1的旋转角度校正(步骤s3)。具体地说，如图11所示，在校正对象装置1的内管44内的压力从大致固定值转为减少时的可动壁100的旋转角θ1与基准装置1r的内管44r内的压力从大致固定值转为减少时的可动壁100r的旋转角θ1r不同的情况下，控制单元120将旋转角θ1向趋近旋转角θ1r的方向进行校正。另外，在校正对象装置1的内管44内的压力从减少转为大致固定值时的可动壁100的旋转角θ2与基准装置1r的内管44r内的压力从减少转为大致固定值时的可动壁100r的旋转角θ2r不同的情况下，控制单元120将旋转角θ2向趋近旋转角θ2r的方向进行校正。由此，能够使在校正对象装置1中内管44内的压力发生变化时的可动壁100的旋转角度与在基准装置1r中内管44r内的压力发生变化时的可动壁100r的旋转角度一致。
接着，进行校正对象装置1的压力校正(步骤s4)。具体地说，控制单元120将校正对象装置1的内管44内的压力向趋近基准装置1r的内管44内的压力的方向进行校正。例如图12所示，在校正对象装置1的可动壁100处于最大开口位置的情况下的内管44内的压力p1与基准装置1r的可动壁100r处于最大开口位置的情况下的内管44r内的压力p1r不同的情况下，控制单元120将压力p1向趋近压力p1r的方向进行校正。另外，在校正对象装置1的可动壁100处于闭位置的情况下的内管44内的压力p2与基准装置1r的可动壁100r处于闭位置的情况下的内管44r内的压力p2r不同的情况下，控制单元120将压力p2向趋近压力p2r的方向进行校正。具体地说，通过使校正对象装置1的压力调整阀88的开度减小，能够使p1(p2)趋近p1r(p2r)。另外，通过使校正对象装置1的真空泵90的转速减少，也能够使p1(p2)趋近p1r(p2r)。并且，控制单元120利用基于压力p1与压力p1r的差分和压力p2与压力p2r的差分的线性插值对校正对象装置1的可动壁100处于靠上排气位置和靠下排气位置的情况下的内管44内的压力进行校正。
像这样进行步骤s1至步骤s4，如图13所示，能够使校正对象装置1的可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系同基准装置1r的可动壁100r的旋转角度与内管44r内的压力之间的关系一致。其结果是，能够减小设备差异(装置间的偏差)。
〔第二实施方式〕
对本发明的第二实施方式所涉及的基板处理装置进行说明。图14为第二实施方式所涉及的基板处理装置的概要图。
第二实施方式所涉及的基板处理装置1a在具有三个压力检测单元110a、110b、110c这一点上与图1所示的第一实施方式所涉及的基板处理装置1不同。此外，关于其它点，具有与第一实施方式所涉及的基板处理装置1相同的结构，因此省略关于与第一实施方式所涉及的基板处理装置1相同的结构的说明，对不同的结构进行说明。
在第二实施方式中，在歧管54设置有三个压力检测单元110a、110b、110c。压力检测单元110a、110b、110c分别具有石英制的传感器管112a、112b、112c。传感器管112a、112b、112c沿着内管的长度方向设置于内管44内，并且以该传感器管112a、112b、112c的基端部弯曲为l字状并贯通歧管54的方式被支承。在传感器管112a、112b、112c安装有用于检测传感器管内的压力的非稳定波型磁控管传感器等第二真空计114a、114b、114c，能够检测传感器管112a、112b、112c的内部的压力。
传感器管112a、112b、112c的前端分别位于内管44的下部、中央部、上部。由此，通过利用第二真空计114a、114b、114c检测传感器管112a、112b、112c的内部的压力，能够检测内管44内的下部、中央部、上部中的压力。即，能够直接检测内管44内的压力变动，因此即使在内管44内的压力与排气通路86内之比变化的情况下，也能够以高的精度检测内管44内的压力。
尤其是，在第二实施方式所涉及的基板处理装置1a中，能够检测内管44内的下部、中央部、上部中的压力，因此能够以高的精度获取可动壁100的旋转角度与内管44内的压力之间的关系。
以上对用于实施本发明的方式进行了说明，但上述内容并不限定发明的内容，能够在本发明的范围内进行各种变形和改良。
在上述的实施方式中，对可动壁100沿着内管44的内侧壁进行设置的方式进行了说明，但不限定于此，例如也可以设置于内管44与外管46之间。在该情况下，沿着内管44的外侧壁设置可动壁100。
另外，在上述的实施方式中，对不使用等离子体的成膜处理进行了说明，但不限定于此，在进行利用等离子体的成膜处理的情况下也能够应用本发明。在该情况下，例如在划分出喷嘴容纳部48的凸部50的划分壁的外侧，沿着该划分壁的长度方向设置用于施加等离子体产生用的高频电力的电力板来使产生等离子体。
另外，在上述的实施方式中，作为基板举出半导体晶圆为例来进行了说明，但半导体晶圆也包括硅基板、gaas、sic、gan等化合物半导体基板。并且，不限定于这些基板，在液晶显示装置使用的玻璃基板、陶瓷基板等中也能够应用本发明。