技术特征：
技术总结
本发明提供一种自对准沟槽的形成方法，包括：于半导体衬底上形成离子阻隔层、掩膜层及图形化的光刻胶层；于离子阻隔层上形成掩膜结构，相邻掩膜结构之间具有暴露离子阻隔层的第一开口；对掩膜结构的侧壁进行离子注入，于其两侧形成掺杂侧壁，掺杂侧壁之间具有非掺杂的掩膜凸块，掺杂侧壁对离子阻隔层的刻蚀选择比大于掩膜凸块对离子阻隔层的刻蚀选择比；基于第一开口对所得结构进行第一次刻蚀，于半导体衬底中形成预沟槽；同时去除掩膜凸块以形成第二开口；基于预沟槽和第二开口对上述所得结构进行刻蚀，于半导体衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；及去除掺杂侧壁及离子阻隔层，形成自对准沟槽。通过本发明解决了现有方法步骤复杂、成本高的问题。
技术研发人员：杨军
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2018.04.03
技术公布日：2019.10.18