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镀钴过孔集成方案的制作方法
文档序号:18127197
发布日期:2019-07-10 09:58
阅读:
来源:国知局
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镀钴过孔集成方案的制作方法
技术特征:
技术总结
本发明涉及镀钴过孔集成方案。本公开涉及半导体结构,更特别地,涉及镀钴过孔集成方案和制造方法。所述结构包括:由钴材料构成的过孔结构;以及位于所述过孔结构上方的布线结构。所述布线结构被阻挡衬里和所述钴材料加衬并被导电材料填充。
技术研发人员:
方强;S·艾哈迈德;孙志国;舒杰辉;D·R·科里;曾伟志
受保护的技术使用者:
格芯公司
技术研发日:
2018.05.03
技术公布日:
2019.07.09
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