本发明涉及湿刻蚀领域，尤其涉及一种湿刻蚀装置。
背景技术：
湿法刻蚀工艺主要是指采用液态化学药品对刻蚀物进行去除的刻蚀技术，具体为通过刻蚀液与刻蚀物进行化学反应，改变刻蚀物的结构，使无光刻胶覆盖的刻蚀物部分脱离基板表面，而把有光刻胶覆盖的刻蚀物区域保存下来，这样在基板上就得到了所需要的刻蚀物图形。
湿法刻蚀设备一般是在刻蚀槽内利用酸性液体通过喷嘴对待刻蚀基板进行喷淋，从而达到刻蚀目的。随着平板显示行业中基板尺寸的增大，高世代线规模变大，以8.5g为例，参考图1所示，待刻蚀基板依次经过三个刻蚀槽01的最快传送时间一般为38.4s，由于在刻蚀槽01中停留时间较长，导致高世代线上只能针对较厚膜层进行刻蚀，而无法对厚度较低的膜层进行刻蚀，即无法精细对应较薄膜层的刻蚀工艺，进而导致高世代线的湿法刻蚀设备的适用范围较窄。
技术实现要素：
本发明的实施例提供一种湿刻蚀装置，能够解决由于高世代线区域过大而导致的待刻蚀件在刻蚀槽中传送时间较长，无法实现对于较薄膜层的精细刻蚀的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例提供一种湿刻蚀装置，包括依次设置的缓冲单元、刻蚀单元和冲洗单元，所述刻蚀单元包括多个刻蚀槽；还包括：传送单元，用于在其正向运转时传送待刻蚀件依次经过所述缓冲单元、所述刻蚀单元和所述冲洗单元；搬运单元，所述搬运单元设置在所述刻蚀单元的外侧，所述搬运单元用于将位于所述刻蚀单元的入口侧的所述待刻蚀件沿所述刻蚀单元的外侧搬运至所述冲洗单元处；控制单元，所述控制单元用于在所述待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时，控制所述搬运单元启动，以使所述搬运单元将所述待刻蚀件搬运至所述冲洗单元处的所述传送单元上；并控制所述传送单元反向运转后再正向运转，以使所述待刻蚀件从所述刻蚀单元的出口进入所述刻蚀单元的刻蚀槽中进行刻蚀，再从所述刻蚀单元的出口返回到所述冲洗单元内进行冲洗。
可选的，所述搬运单元包括第一升降机构、第二升降机构和传送机构，所述第一升降机构位于所述刻蚀单元的入口侧的上方；所述第二升降机构位于所述冲洗单元的上方；所述传送机构位于所述刻蚀单元的上方；所述第一升降机构用于将位于所述刻蚀单元的入口侧的所述待刻蚀件升至所述传送机构上；所述传送机构用于将所述待刻蚀件传送到所述第二升降机构处；所述第二升降机构用于将所述传送机构上的所述待刻蚀件降至所述冲洗单元处的所述传送单元上。
可选的，还包括有机物处理单元，所述有机物处理单元设置在所述缓冲单元和所述刻蚀单元之间；所述第一升降机构设置在所述有机物处理单元的上方，用于将经过所述有机物处理单元的所述待刻蚀件升至所述传送机构上。
可选的，沿所述传送单元正向运转时的传送方向，所述刻蚀单元包括第一刻蚀槽、第二刻蚀槽和第三刻蚀槽；所述控制单元用于在所述待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时，控制所述传送单元反向运转后再正向运转，以使所述待刻蚀件从所述刻蚀单元的出口进入所述第三刻蚀槽中进行刻蚀，再从所述第三刻蚀槽返回到所述冲洗单元内进行冲洗。
可选的，还包括终极冲洗单元，所述终极冲洗单元位于所述冲洗单元远离所述刻蚀单元的一侧；所述传送单元还用于在其正向运转时传送所述待刻蚀件经过所述终极冲洗单元。
可选的，还包括干燥单元，所述干燥单元位于所述终极冲洗单元远离所述冲洗单元的一侧；所述传送单元还用于在其正向运转时传送所述待刻蚀件经过所述干燥单元。
可选的，还包括设置在所述干燥单元和所述终极冲洗单元之间的气刀单元；所述传送单元还用于在其正向运转时传送所述待刻蚀件经过所述气刀单元。
可选的，所述第一升降机构和所述第二升降机构均为升降机。
可选的，所述传送机构为传送带。
本发明实施例提供的湿刻蚀装置，包括依次设置的缓冲单元、刻蚀单元和冲洗单元，刻蚀单元包括多个刻蚀槽；还包括：传送单元，用于在其正向运转时传送待刻蚀件依次经过缓冲单元、刻蚀单元和冲洗单元；搬运单元，搬运单元设置在刻蚀单元的外侧，搬运单元用于将位于刻蚀单元的入口侧的待刻蚀件沿刻蚀单元的外侧搬运至冲洗单元处；控制单元，控制单元用于在待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时，控制搬运单元启动，以使搬运单元将待刻蚀件搬运至冲洗单元处的传送单元上；并控制传送单元反向运转后再正向运转，以使待刻蚀件从刻蚀单元的出口进入刻蚀单元的刻蚀槽中进行刻蚀，再从刻蚀单元的出口返回到冲洗单元内进行冲洗。相较于现有技术，本发明实施例提供的湿刻蚀装置通过设置搬运单元，利用搬运单元将待刻蚀膜层厚度较小的待刻蚀件在不经过刻蚀单元的情况下直接搬运至冲洗单元处，然后再从刻蚀单元的出口进入刻蚀单元的刻蚀槽中进行刻蚀，刻蚀完成后再从刻蚀单元的出口返回到冲洗单元内进行冲洗。由于本发明实施例中的待刻蚀件不必经过所有的刻蚀槽，即待刻蚀件在刻蚀槽中停留的时间可控，因而可以实现对于较薄膜层的精细刻蚀，进而扩大湿刻蚀装置的适用范围。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术提供的湿刻蚀装置结构示意图；
图2为本发明实施例提供的湿刻蚀装置结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种湿刻蚀装置，如图2所示，包括依次设置的缓冲单元11、刻蚀单元12和冲洗单元13，刻蚀单元12包括多个刻蚀槽；还包括：传送单元，用于在其正向运转时传送待刻蚀件依次经过缓冲单元11、刻蚀单元12和冲洗单元13；搬运单元，搬运单元设置在刻蚀单元12的外侧，搬运单元用于将位于刻蚀单元12的入口侧的待刻蚀件沿刻蚀单元12的外侧搬运至冲洗单元13处；控制单元，控制单元用于在待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时，控制搬运单元启动，以使搬运单元将待刻蚀件搬运冲洗单元13处的传送单元上；并控制传送单元反向运转后再正向运转，以使待刻蚀件从刻蚀单元12的出口进入刻蚀单元12的刻蚀槽中进行刻蚀，再从刻蚀单元12的出口返回到冲洗单元13内进行冲洗。
其中，预设阈值为预先设置的值，本领域技术人员可以根据实际情况进行设定，本发明实施例对此不做限定。
本发明实施例对于刻蚀单元12中包含的刻蚀槽的具体设置数量不做限定。
搬运单元用于将位于刻蚀单元12的入口侧的待刻蚀件沿刻蚀单元12的外侧搬运至冲洗单元13处。本发明实施例对于搬运单元的具体结构不做限定。需要说明的是，搬运单元可以从刻蚀单元12的上方避让刻蚀单元12，以搬运待刻蚀件；也可以从刻蚀单元12的侧边避让刻蚀单元12，以搬运待刻蚀件，本发明实施例对此亦不做限定。
参考图2所示，对于待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值的待刻蚀件，可以利用搬运单元将位于刻蚀单元12的入口侧的待刻蚀件避开刻蚀单元12直接搬运至冲洗单元13处，控制单元控制传送单元反向运转后再正向运转，以使待刻蚀件从刻蚀单元12的出口进入刻蚀单元12的刻蚀槽中进行刻蚀，刻蚀完成后再从刻蚀单元12的出口返回到冲洗单元13内进行冲洗。由于本发明实施例中的待刻蚀件不必经过所有的刻蚀槽，即待刻蚀件在刻蚀槽中停留的时间可控，因而可以实现对于较薄膜层的精细刻蚀，进而扩大湿刻蚀装置的适用范围。图2中的箭头示出了待刻蚀件的移动路径。
可选的，参考图2所示，沿传送单元正向运转时的传送方向，刻蚀单元12包括第一刻蚀槽121、第二刻蚀槽122和第三刻蚀槽123；控制单元用于在待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时，控制传送单元反向运转后再正向运转，以使待刻蚀件从刻蚀单元12的出口进入第三刻蚀槽123中进行刻蚀，再从第三刻蚀槽123返回到冲洗单元13内进行冲洗。由于待刻蚀件只经过第三刻蚀槽123的刻蚀，即刻蚀时间较短，因而可以实现对于较薄膜层的精细刻蚀。
进一步的，参考图2所示，搬运单元包括第一升降机构、第二升降机构和传送机构，第一升降机构位于刻蚀单元12的入口侧的上方；第二升降机构位于冲洗单元13的上方；传送机构位于刻蚀单元12的上方；第一升降机构用于将位于刻蚀单元12的入口侧的待刻蚀件升至传送机构上；传送机构用于将待刻蚀件传送到第二升降机构处；第二升降机构用于将传送机构上的待刻蚀件降至冲洗单元13处的传送单元上。其中，第一升降机构和第二升降机构一般为升降机；传送机构一般为传送带。
参考图2所示，所述湿刻蚀装置还包括有机物处理单元14，有机物处理单元14设置在缓冲单元11和刻蚀单元12之间；第一升降机构设置在有机物处理单元14的上方，用于将经过有机物处理单元14的待刻蚀件升至传送机构上。所述湿刻蚀装置还包括终极冲洗单元15，终极冲洗单元15位于冲洗单元13远离刻蚀单元12的一侧；传送单元还用于在其正向运转时传送待刻蚀件经过终极冲洗单元15。所述湿刻蚀装置还包括干燥单元16，干燥单元16位于终极冲洗单元15远离冲洗单元13的一侧；传送单元还用于在其正向运转时传送待刻蚀件经过干燥单元16。干燥单元16和终极冲洗单元15之间还设置有气刀单元17；传送单元还用于在其正向运转时传送待刻蚀件经过气刀单元17。
在对待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值的待刻蚀件进行刻蚀工艺时，参考图2所示，待刻蚀件在传送单元的传送下先进入缓冲(buffer)单元11，然后再进入有机物处理(app)单元14进行有机物处理，接着第一升降机构将待刻蚀件升至传送机构上；传送机构将待刻蚀件传送到第二升降机构处；第二升降机构再将传送机构上的待刻蚀件降至冲洗(rinse)单元13处的传送单元上，此时传送单元逆向反转，使得待刻蚀件进入到第三刻蚀槽(etchtank)123中，完成刻蚀后，再顺向至冲洗(rinse)单元13、终极冲洗(finalrinse)单元15、气刀(ak)单元17和干燥单元(dryunit)16进行冲洗和干燥，最后从装置出口运出。相比于现有的依次经过三个刻蚀槽(最少传送时间38.4s)的路径，本发明实施例中只需经过一个刻蚀槽(最少传送时间12.8s)就可完成刻蚀工艺，这样使得对于oxidelcd、oxideoled及顶发射工艺中存在的100nm铝、100nm银等超薄膜层的刻蚀，其对应的刻蚀时间可以控制在10s～20s，从而实现对于较薄膜层的精确刻蚀，提升了湿刻蚀装置的刻蚀能力。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。