微粒诊断方法和微粒诊断装置与流程

本发明涉及用于诊断离子束照射装置中的微粒产生部位的微粒诊断方法和微粒诊断装置。

背景技术：

例如在离子注入装置和离子掺杂装置等离子束照射装置中，由于各种原因产生微粒，如果微粒产生量变多，则会导致注入不良等各种各样的故障。

因此，在专利文献1中记载了一种清扫方法，通过在构成离子源的等离子体生成室内产生氢等离子体，利用其热量和溅射等使附着在等离子体生成室的壁面上的附着物剥落。

但是，由于微粒的产生部位不仅存在于离子源，还存在于输送基板的输送机构中，所以像专利文献1那样仅清扫装置的一部分，不能充分降低微粒的产生。

但是，如果想要对有可能成为微粒的产生部位的所有部位都进行清扫，则取决于装置的大小，例如需要一周左右的时间，这会使装置的运转率大幅度下降。

现有技术文献

专利文献1：日本专利公开公报特开平6-267475号

技术实现要素：

因此，本发明的主要目的在于能够诊断离子束照射装置中的微粒产生部位，通过高效的清扫来降低微粒的产生。

本发明提供一种微粒诊断方法，其用于诊断离子束照射装置中的微粒产生部位，所述微粒诊断方法包括：输送和照射步骤，通过规定的输送线路将第一基板向离子束的照射位置输送，并向输送到所述照射位置的所述第一基板照射离子束；第一判断步骤，判断在所述输送和照射步骤中被照射了离子束的所述第一基板上附着的微粒是多是少；输送步骤，当在所述第一判断步骤中判断为微粒多时，通过所述输送线路将第二基板输送到所述照射位置；以及第二判断步骤，判断在所述输送步骤中输送到所述照射位置的所述第二基板上附着的微粒是多是少。

按照这样的微粒诊断方法，首先把第一基板输送到照射位置并照射离子束，当判断为附着在所述第一基板上的微粒多时，将第二基板输送到照射位置，判断附着在所述第二基板上的微粒是多是少，因此如果附着在第二基板上的微粒少，则可以判明起因于离子束的照射的微粒附着在第一基板上。另一方面，如果第二基板的附着量多，则可以判明至少起因于输送的微粒附着在第一基板上。

由此，按照本发明，由于能够判明是起因于离子束的照射而产生微粒还是起因于基板的输送而产生微粒，所以能够从整个装置中缩小微粒产生部位的范围，从而能够通过高效的清扫来降低微粒的产生。

优选的是，所述离子束照射装置具有离子束线路形成部件，所述离子束线路形成部件形成所述离子束通过的离子束线路，所述微粒诊断方法还包括离子束线路清扫步骤，当在所述第二判断步骤中判断为微粒少时，所述离子束线路清扫步骤对所述离子束线路形成部件进行清扫。。

如果这样做，则能够降低起因于离子束的照射而产生的微粒。

优选的是，所述输送线路形成为遍布多个区域，所述微粒诊断方法还包括：分区输送步骤，当在所述第二判断步骤中判断为微粒多时，对彼此不同的第三基板进行在所述输送和照射步骤中在各个所述区域对所述第二基板进行的分区作业；以及第三判断步骤，判断在所述分区输送步骤中进行了各个所述分区作业的所述第三基板上附着的微粒是多是少。

如果这样做，则当判明了起因于输送线路而产生了微粒时，可以判明在形成输送线路的哪个区域产生了微粒，从而能够进一步缩小微粒产生部位的范围。

为了降低起因于输送线路而产生的微粒，优选的是，所述微粒诊断方法还包括输送线路清扫步骤，所述输送线路清扫步骤清扫与在所述第三判断步骤中判断为微粒多的所述第三基板对应的所述区域。

例如考虑下述情况：输送线路例如由第一区域、第二区域和第三区域的三个区域形成，第三基板以所述顺序通过各区域并输送到照射位置。在该情况下，如果假设第一区域是微粒的产生部位，则向第一区域、第二区域和第三区域输送的第三基板都通过第一区域，所以附着在这些第三基板上的微粒的多少难以显现出差异而难以缩小微粒产生部位的范围。

因此，优选的是，在所述分区输送步骤中对所述第三基板反复多次进行各个所述分区作业。

如果这样做，则即使在所述情况下，也由于在多次反复进行了第一区域的分区作业的第三基板上附着的微粒特别多，所以能够更可靠地缩小微粒产生部位的范围。

优选的是，在所述离子束线路清扫步骤中对至少一个所述区域进行清扫，或者在所述分区输送步骤中对所述离子束线路形成部件进行清扫。

如果这样做，则能够在对离子束线路形成部件进行清扫期间的输送线路的空闲时间、或使第三基板通过输送线路期间的离子束线路的空闲时间，例如通过简单的清扫方法对空闲的线路进行清扫。如果能够利用所述简单的清扫抑制微粒的产生，则能够提高在下次微粒诊断时输送线路和离子束线路不会成为微粒的产生部位的可能性，由此能够延长维保周期，从而能够提高装置的运转率。

此外，本发明还提供一种微粒诊断装置，其用于诊断离子束照射装置中的微粒产生部位，所述微粒诊断装置包括：个数数据接收部，接收个数数据，所述个数数据表示附着在基板上的微粒的个数或与个数相关的值；以及判断部，基于由所述个数数据接收部接收到的所述个数数据，判断附着在所述基板上的微粒是多是少，所述个数数据接收部接收附着在通过规定的输送线路输送到离子束的照射位置并在所述照射位置被照射了离子束的第一基板上的微粒的第一个数数据以及附着在通过所述输送线路输送到所述照射位置的第二基板上的微粒的第二个数数据，所述判断部基于所述第一个数数据判断附着在所述第一基板上的微粒是多是少，并且基于所述第二个数数据判断附着在所述第二基板上的微粒是多是少。

按照这样的微粒诊断装置，能够利用所述微粒诊断方法自动地确定微粒的产生部位。

按照如上所述地构成的本发明，能够诊断离子束照射装置中的微粒产生部位，并且能够通过高效的清扫来降低微粒的产生。

附图说明

图1是表示本实施方式的离子束照射装置的结构的示意图。

图2是说明同一实施方式的微粒诊断方法的流程图。

图3是说明同一实施方式的第一分区作业的流程图。

图4是说明同一实施方式的第三分区作业的流程图。

图5是说明同一实施方式的第五分区作业的流程图。

图6是表示其它实施方式的微粒诊断装置的功能的功能框图。

附图标记说明

100离子束照射装置

ib离子束

w目标物

l1输送线路

l2离子束线路

r1a第一装载锁定室

r1b第二装载锁定室

r2输送室

r3处理室

具体实施方式

参照附图，对本发明的微粒诊断方法的一种实施方式进行说明。

本实施方式的微粒诊断方法例如用于诊断离子注入装置和离子掺杂装置等离子束照射装置100中是否产生微粒和微粒产生部位。

首先，对离子束照射装置100进行说明。

如图1所示，离子束照射装置100向离子束ib的照射位置输送基板w(以下称为目标物w)并照射离子束ib，形成有输送目标物w的输送线路l1和离子束ib通过的离子束线路l2。

输送线路l1形成为遍布多个区域(室)，由存放目标物w的装载锁定室r1、与装载锁定室r1相邻的输送室r2、以及向从装载锁定室r1通过输送室r2输送来的目标物w照射离子束ib的处理室r3形成。

装载锁定室r1是将目标物w从外部送入或向外部送出的区域，在此设置有两个装载锁定室r1(以下也称为第一装载锁定室r1a和第二装载锁定室r1b)。通过第一闸阀v1将第一装载锁定室r1a与外部隔开，通过第二闸阀v2将第二装载锁定室r1b与外部隔开。

输送室r2是在装载锁定室r1和处理室r3之间输送目标物w的区域，并且设置有例如搬运机器人等未图示的目标物输送机构。通过第三闸阀v3隔开输送室r2和第一装载锁定室r1a，通过第四闸阀v4隔开输送室r2和第二装载锁定室r1b，通过第五闸阀v5隔开输送室r2和处理室r3，从而能够将各室r1～r3保持为真空状态。

处理室r3是接收从输送室r2输送来的目标物w并且将接收到的目标物w向照射位置移动的区域。在该处理室r3内设置有：台板p，从所述目标物输送机构接收目标物w；未图示的夹持机构，保持或放开放置在台板p上的目标物w；未图示的倾角变更机构，改变目标物w的倾角；以及未图示的扫描机构，使目标物w沿与离子束ib交叉的方向进行扫描；等等。另外，无需一定设置所有的所述机构。

接着，对离子束线路l2进行说明。

离子束线路l2形成为从离子源1到离子束ib的照射位置，由多个离子束线路形成部件形成。此处的离子束线路形成部件可以例举的是：等离子体生成容器2，在内部生成等离子体；引出电极3，从等离子体生成容器2引出离子束ib；以及质量分离器4，通过离子束ib的质量分析来选择并导出所希望的掺杂离子；等等。另外，如果离子束照射装置100包括扫描仪和离子束准直器等，则它们也是离子束形成部件，所述扫描仪利用电场或磁场对离子束ib进行往返扫描，所述离子束准直器对从该扫描仪导出的离子束ib进行平行扫描。

接着，参照图2～图5的流程图，对微粒诊断方法进行说明。

另外，此处的微粒是指例如因所述各种机构的可动部摩擦产生的微微粒、以及附着在所述各种离子束线路形成部件的内壁面等上的附着物被溅射而产生的微微粒等例如成为离子注入不良等的原因的异物。

首先，对例如用作目标物w的玻璃板进行清洗等，准备一个或多个用于微粒诊断的诊断用基板。

在本实施方式中，输送线路l1构成为可以通过多个路径将目标物w输送到照射位置，首先准备与所述路径数相同个数(以下称为必要个数)的诊断用基板(以下称为第一基板)。由此，通过预先准备必要个数的第一基板，可以使第一基板通过目标物w到到达照射位置为止可能经过的全部路径亦即整个输送线路l1。另外，本实施方式的必要个数是12个，但是可以根据输送线路l1的结构适当改变必要个数，也可以准备必要个数以上的第一基板。

如果微粒诊断开始，则通过输送线路l1将第一基板向离子束ib的照射位置输送，并且向输送到照射位置的第一基板照射离子束ib(输送和照射步骤s1)。

在此，以使第一基板分别通过目标物w到到达照射位置为止可能经过的各路径的方式、换句话说以必要个数的第一基板各自到达照射位置的路径为相互不同的路径方式进行设定，对必要个数的第一基板连续进行向照射位置输送并照射离子束ib的动作。

接着，判断附着在通过输送和照射步骤s1被照射了离子束ib的第一基板上的微粒是多是少(第一判断步骤s2)。

在此，由操作员进行所述判断，作为判断基准的至少一种，使用附着在通过输送和照射步骤s1被照射了离子束ib的第一基板上的微粒个数(以下称为照射后个数)。作为具体的判断方法，例如可以例举如下方法：预先对在输送和照射步骤s1之前且在第一基板的清洗后附着在第一基板上的微粒个数(以下称为照射前个数)进行计数，基于从照射前个数到照射后个数的增加部分(增加数或增加率)来进行判断。作为其它方法，也可以对照射后个数与预先确定的阈值进行比较来进行判断。

另外，微粒个数的计数可以使用异物检查装置等，该异物检查装置等利用图像处理等对例如规定大小以上的微粒的个数进行计数。

当在第一判断步骤s2中判断为附着在第一基板上的微粒少时，结束微粒诊断。

另一方面，当在第一判断步骤s2中判断为附着在第一基板上的微粒多时，通过输送线路l1将与第一基板不同的诊断用基板(以下称为第二基板)向照射位置输送(输送步骤s3)。

可以与第一基板同样地例如通过对用作目标物w的玻璃板进行清洗等来准备一个或多个第二基板，基于与输送和照射步骤s1同样的原因，为了使第二基板通过目标物w到到达照射位置为止可能经过的各路径，在此使用必要个数的第二基板。另外，也可以使用必要个数以上的第二基板。

接着，判断附着在输送到照射位置且未照射离子束ib的第二基板上的微粒是多是少(第二判断步骤s4)。

在此，也由操作员进行所述判断，具体的判断方法与第一判断步骤s2相同。即，作为判断基准的至少一种，使用附着在通过输送步骤s3输送到照射位置的第二基板上的微粒个数(以下称为输送后个数)，具体地说，例如可以预先对在输送步骤s3之前且在第二基板的清洗后附着在第二基板上的微粒个数(以下称为输送前个数)进行计数，基于从输送前个数到输送后个数的增加部分(增加数或增加率)来判断，也可以对输送后个数和预先确定的阈值进行比较来判断。

当在第二判断步骤s4中判断为附着在第二基板上的微粒少时，可以说在输送和照射步骤s1中附着在第一基板上的微粒是起因于向第一基板照射离子束ib而产生的。

在这种情况下，在本实施方式中对离子束线路形成部件进行清扫(离子束线路清扫步骤s5)。如上所述，由于离子束线路l2由多个离子束线路形成部件构成，所以可以按预先确定的顺序对这些离子束线路形成部件自动进行清扫，也可以在操作员适当地选择离子束线路形成部件的清扫方法和清扫顺序等的基础上，操作员通过手动清扫各离子束线路形成部件。

作为具体的清扫方法，可以例举的是：例如通过利用磁场对离子束ib进行扫描而使离子束ib照射到例如质量分离器4等的内壁面，使附着在内壁面上的附着物蒸发，或者是通过在等离子体生成容器2内生成氢等离子体，使附着在等离子体生成容器2的内壁面上的附着物蒸发，等等。另外，由于在利用离子束ib的扫描进行的质量分离器4等的清扫中，离子源1可能污染，所以优选的是，在利用氢等离子体的生成进行的等离子体生成容器2的清扫之前实施利用离子束ib的扫描进行的清扫。

在本实施方式中，在离子束线路清扫步骤s5的中途利用在输送线路l1上产生的空闲时间，通过与后述的输送线路清扫步骤s12相比能够简单实施的清扫方法对输送线路l1进行清扫。

具体地说，作为能够简单实施的清扫方法，可以例举如下的方法：例如反复进行装载锁定室r1的抽真空和向大气开放来除去存在于装载锁定室r1内的微粒，或者是向照射位置连续输送多个(例如100～200个)清洗后的基板，使存在于输送线路l1上的微粒附着在所述基板上来除去微粒，等等。另外，无需一定进行所述简单的清扫。

与输送和照射步骤s1和第一判断步骤s2同样，在离子束线路清扫步骤s5的清扫后，将新的基板通过输送线路l1向离子束ib的照射位置输送，并且向输送到照射位置的基板照射离子束ib(输送和照射步骤s6)，判断附着在被照射了离子束ib的基板上的微粒是多是少(判断步骤s7)。由于在此的目的是确认通过在离子束线路清扫步骤s5中对离子束线路形成部件的清扫是否降低了微粒的产生，所以在输送和照射步骤s6和判断步骤s7中使用的基板可以比必要个数少。

当判断为在判断步骤s7中附着在诊断用基板上的微粒少时，可以说通过在离子束线路清扫步骤s5中对离子束线路形成部件的清扫降低了微粒的产生，因此结束微粒诊断。

另一方面，当判断为在判断步骤s7中附着在诊断用基板上的微粒依然多时，可以说到了需要对离子束照射装置100进行维保的时期(s8)，所以根据需要实施维保(s9)。另外，可以在s9中的维保后返回s1。

接着，说明在s4中判断为附着在第二基板上的微粒多的情况。

在这种情况下，可以说附着在第二基板上的微粒是起因于s3中的第二基板的输送而产生的，同时可以说在s1中附着在第一基板上的微粒中至少包含起因于第一基板的输送而产生的微粒。另外，附着在第一基板上的微粒中也可能包含起因于向第一基板照射离子束ib而产生的微粒。

在这种情况下，在本实施方式中，为了确定在形成输送线路l1的哪个区域产生了微粒，向各区域输送与第一基板和第二基板不同的诊断用基板(以下称为第三基板)(分区输送步骤s10)。

具体地说，向各区域输送彼此不同的第三基板，并且对彼此不同的第三基板进行在s3中在各区域对第二基板进行的分区作业。

另外，与第一基板和第二基板同样地，例如可以通过对用作目标物w的玻璃板进行清洗等来准备第三基板。

更具体地说，分区作业是指在s3中将第二基板送入装载锁定室r1并向照射位置输送，在直到从装载锁定室r1回收为止的期间在各区域对第二基板进行的作业。

本实施方式的分区作业是在第一装载锁定室r1a中进行的第一分区作业；在第二装载锁定室r1b中进行的第二分区作业；在通过输送室r2在第一装载锁定室r1a和处理室r3之间往返时进行的第三分区作业；在通过输送室r2在第二装载锁定室r1b和处理室r3之间往返时进行的第四分区作业；以及在处理室r3中进行的第五分区作业。在s10中对彼此不同的第三基板反复多次进行包含在各分区作业中的工序的至少一部分。

以下，参照图3～图5的流程图，对第一分区作业～第五分区作业进行说明，由于第一分区作业与第二分区作业除了操作的闸阀不同以外其它是相同的作业，并且第三分区作业与第四分区作业除了操作的闸阀不同以外其它是相同的作业，所以省略了第二分区作业和第四分区作业的详细说明。

首先，参照图3的流程图对第一分区作业进行说明。

在第一分区作业中，首先打开第一闸阀v1(sa1)，将第三基板送入第一装载锁定室r1a(sa2)，关闭第一闸阀v1(sa3)。

接着，对第一装载锁定室r1a进行抽真空(sa4)，此后向大气开放(sa5)，打开第一闸阀v1(sa6)。

接着，判断是否反复进行了规定次数(例如10次)的sa3～sa6的工序(sa7)，当未反复进行规定次数时，在等待规定时间(例如数十秒)之后(sa8)，返回sa3。另一方面，当反复进行了规定次数的sa3～sa6的工序时，从第一装载锁定室r1a回收第三基板(sa9)，结束第一分区作业。

另外，对于第二分区作业，只要对第二闸阀v2进行与第一闸阀v1同样的操作即可。

接着，参照图4的流程图对第三分区作业进行说明。

第三分区作业的开始阶段与第一分区作业的sa1～sa4相同(sb1～sb4)。

接着，打开第三闸阀v3(sb5)，让输送室r2内的搬运机器人等目标物输送机构接收第三基板(sb6)，关闭第三闸阀v3(sb7)。

接着，通过目标物输送机构将第三基板移动到第五闸阀v5附近(sb8)，打开第五闸阀v5(sb9)，将第三基板放置在设置于处理室r3内的台板p上(sb10)，关闭第五闸阀v5(sb11)。

此后，再次打开第五闸阀v5(sb12)，让输送室r2内的目标物输送机构接收第三基板(sb13)，关闭第五闸阀v5(sb14)。

接着，通过目标物输送机构将第三基板移动到第三闸阀v3附近(sb15)，打开第三闸阀v3(sb16)，将第三基板送入第一装载锁定室r1a(sb17)，关闭第三闸阀v3(sb18)，使第一装载锁定室r1a向大气开放(sb19)。

然后，判断是否反复进行了规定次数(例如10次)的sb4～sb19的工序(sb20)，当未反复进行规定次数时，返回sb4。另一方面，当反复进行了规定次数的sb4～sb19的工序时，打开第一闸阀v1(sb21)，从第一装载锁定室r1a回收第三基板(sb22)，结束第三分区作业。

另外，在第四分区作业中，只要对第二闸阀v2进行与第一闸阀v1同样的操作，并且对第四闸阀v4进行与第三闸阀v3同样的操作即可。

接着，参照图5的流程图对第五分区作业进行说明。

第五分区作业的开始阶段与第三分区作业的sb1～sb11相同(sc1～sc11)。

接着，通过夹持机构保持(夹持)放置在台板p上的第三基板(sc12)，通过倾角变更机构使台板竖起来改变第三基板的倾角(sc13)，通过扫描机构不对第三基板照射离子束ib地沿与离子束ib交叉的方向对第三基板进行扫描(sc14)。

然后，通过倾角变更机构将台板放平而使第三基板的倾角复原(sc15)，通过夹持机构放开(松开)第三基板(sc16)。

接着，判断是否反复进行了规定次数(例如10次)的sc12～sc16的工序(sc17)，当未反复进行规定次数时，返回sc12。另一方面，当反复进行了规定次数的sc12～sc16的工序时，进行与第二分区作业的sb12～sb19同样的作业(sc18～sc25)，打开第一闸阀v1(sc26)，从装载锁定室r1回收第三基板(sc27)，结束第五分区作业。

另外，第五分区作业的开始和结束可以与第四分区作业相同。即，第五分区作业也可以从将第三基板送入第二装载锁定室r1b起开始并根据从第二装载锁定室rb1回收了第三基板而结束。

在本实施方式中，在s10中依次进行第一分区作业、第二分区作业、第三分区作业、第四分区作业和第五分区作业，但是也可以适当改变进行各分区作业的顺序。

在s10中进行了分区作业之后，通过确认在回收的第三基板中的哪个第三基板上附着的微粒多，而将附着的微粒多的第三基板的输送区域确定为微粒的产生部位(产生部位确定步骤s11)。换句话说，可以将对附着的微粒多的第三基板进行的分区作业确定为微粒产生的原因。

此外，在s11中对被确定为微粒产生部位的区域进行清扫(输送线路清扫步骤s12)。

具体地说，当进行了第一分区作业的第三基板上附着的微粒多时，第一装载锁定室r1a是微粒的产生部位，进行对第一装载锁定室r1a内的清扫、反复实施第一装载锁定室r1a的抽真空和向大气开放、确认第一闸阀v1和第三闸阀v3的周围、确认设置在第一装载锁定室r1a上壁上的盖体、等等。

当进行了第二分区作业的第三基板上附着的微粒多时，第二装载锁定室r1b是微粒的产生部位，进行对第二装载锁定室r1b内的清扫、反复实施第二装载锁定室r1b的抽真空和向大气开放、确认第二闸阀v2和第四闸阀v4的周围、确认设置在第二装载锁定室r1b上壁上的盖体、等等。

当进行了第三分区作业的第三基板上附着的微粒多且进行了第四分区作业的第三基板上未附着较多的微粒时，第三闸阀v3是微粒的产生部位，进行第三闸阀v3的周围确认等。

当进行了第四分区作业的第三基板上附着的微粒多且进行了第三分区作业的第三基板上未附着较多的微粒时，第四闸阀v4是微粒的产生部位，进行第四闸阀v4的周围确认等。

当进行了第三分区作业的第三基板和进行了第四分区作业的第三基板两者上附着的微粒多时，可以认为第三闸阀v3和第四闸阀v4两者、第五闸阀v5、或第三闸阀v3、第四闸阀v4和第五闸阀v5全部是微粒的产生部位，进行第三闸阀v3、第四闸阀v4和第五闸阀v5的周围确认等。

当进行了第五分区作业的第三基板上附着的微粒多时，处理室r3是微粒的产生部位，确认设置在处理室r3内的夹持机构、倾角变更机构和扫描机构等。

在s12的清扫后，如上所述，由于起因于离子束ib的照射而有可能产生微粒，所以在本实施方式中返回s1。

按照这种本实施方式的微粒诊断方法，首先将第一基板输送到照射位置并照射离子束ib，当判断为在所述第一基板上附着的微粒多时，将第二基板输送到照射位置，判断在所述第二基板上附着的微粒是多是少，因此如果在第二基板上附着的微粒少，则可以判明起因于离子束ib的照射的微粒附着在第一基板上。另一方面，如果第二基板的附着量多，则可以判明至少起因于输送的微粒附着在第一基板上。

由此，按照本实施方式的微粒诊断方法，由于能够判明是起因于离子束ib的照射而产生微粒还是起因于基板的输送而产生微粒，所以能够从整个装置中缩小微粒产生部位的范围，从而能够通过高效的清扫降低微粒的产生。

此外，当判明了起因于输送线路l1而产生了微粒时，由于在分区输送步骤s10和产生部位确定步骤s11中确定了在形成输送线路l1的哪个区域产生了微粒，所以能够进一步缩小应清扫的部位的范围。

此外，由于对相互不同的第三基板反复多次进行包含在各分区作业中的工序的至少一部分，所以只要确认进行了各分区作业后的第三基板，就能够更准确地确定因哪个分区作业而附着了微粒。

另外，由于在离子束线路清扫步骤s5的中途简单地对输送线路l1进行清扫，所以如果能够利用所述简单的清扫抑制起因于基板输送的微粒的产生，则能够在下次的微粒诊断时提高输送线路l1不会成为微粒的产生部位的可能性。由此，可以延长维保周期，从而可以提高装置的运转率。

另外，本发明并不限定于所述实施方式。

例如，在所述实施方式中基于通过异物检查装置等测量到的微粒个数来判断在基板上附着的微粒是多是少，但是也可以基于通过异物检查装置等得到的微粒的图信息来进行判断。

此外，也可以基于自动光学检查装置(aoi)的检查结果，判断附着在基板上的微粒是多是少。

另外，在各分区作业中对第三基板反复进行的工序并不限定于所述实施方式，可以适当地改变反复进行的工序，例如在第一分区作业中反复进行抽真空(sa4)和向大气开放(sa5)，在第三分区作业中反复进行从向第五闸阀v5的移动(sb8)到向第三闸阀v3的移动(sb15)，或者是在第五分区作业中仅反复进行夹持(sc12)和松开(sc16)或仅反复进行扫描(sc14)。此外，可以适当改变反复次数。

鉴于这样地适当改变反复进行的工序和反复次数，离子束照射装置100可以构成为例如由操作员通过触摸面板等输入装置来改变反复进行的工序和反复次数。

此外，在所述实施方式中说明了在离子束线路清扫步骤s5的中途对输送线路l1进行清扫，但是也可以在分区输送步骤s10的中途对离子束线路形成部件进行清扫。

具体地说，例如可以举出如下的方法：在处理室r3中通过闸阀等预先关闭离子束ib入射的开口，在该状态下在分区输送步骤s10的中途，与离子束线路清扫步骤s5同样地，利用磁场对离子束ib进行扫描，或者是通过在等离子体生成容器2内生成氢等离子体来对离子束线路形成部件进行清扫。

此外，在所述实施方式中由操作员判断在基板上附着的微粒是多是少，但是也可以如图6所示由微粒诊断装置200自动判断在基板上附着的微粒是多是少。

具体地说，微粒诊断装置200是具有cpu、存储器、输入输出接口、ad转换器等的通用或专用计算机，通过按照存储在所述存储器的规定区域内的规定程序使cpu和周边设备等协同动作，发挥作为个数数据接收部21和判断部22的功能，所述个数数据接收部21接收表示与附着在基板上的微粒个数或与个数相关的值的个数数据，所述判断部22基于由个数数据接收部21接收的个数数据来判断附着在基板上的微粒是多是少。另外，“与个数相关的值”是指所述的微粒的图信息等。

更具体地说，个数数据接收部21例如从异物检查装置等接收附着在通过输送线路l1输送到离子束ib的照射位置并在该照射位置被照射了离子束ib的第一基板上的微粒的第一个数数据和附着在通过输送线路l1输送到照射位置的第二基板上的微粒的第二个数数据。

此外，判断部22基于第一个数数据来判断附着在第一基板上的微粒是多是少，并且基于第二个数数据来判断附着在第二基板上的微粒是多是少，并将判断结果向例如显示器等输出。

按照所述构成，当由判断部22判断为附着在第一基板上的微粒多且附着在第二基板上的微粒少时，可以判明起因于向基板照射离子束ib而产生了微粒。

另一方面，当由判断部22判断为附着在第二基板上的微粒多时，可以判明起因于基板的输送而产生了微粒。

由此，按照所述微粒诊断装置200，可以自动诊断离子束照射装置100中的微粒产生部位。

另外，个数数据接收部21接收附着在进行了所述实施方式中的分区作业的第三基板上的微粒的个数数据，判断部22基于该个数数据来判断附着在各第三基板上的微粒是多是少，按照该构成，能够自动缩小形成输送线路l1的哪个区域是微粒产生部位的范围。

此外，本发明并不限定于所述实施方式，可以在不脱离本发明宗旨的范围内进行各种变形。