技术特征：
技术总结
本发明属于半导体晶圆制造技术领域，具体的说是一种半导体晶圆刻蚀系统，包括密闭壳体、静电吸附平台、上电极板、下电极板、环形绝缘保护板、绝缘底座、离子缓冲模块、间隙自动补偿模块和离子抽取模块，本发明通过离子缓冲模块、间隙自动补偿模块和离子抽取模块的相互配合工作，可有效降低或避免等离子体A与下电极板导通后产生电弧放电而击伤下电极板，延长了半导体晶圆刻蚀系统的使用寿命。
技术研发人员：侯玉闯;薛鹏
受保护的技术使用者：侯玉闯
技术研发日：2018.05.29
技术公布日：2018.11.02