本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种导电半柔性LED基板及其制作方法、LED器件。
背景技术：
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。
随着LED技术的不断成熟，LED的应用范围越来越广泛。LED除了代替传统照明光源以外，也不断应用在VR/AR设备、室内大屏显示器、智能手机、平板等领域。这些领域对LED曲面显像的需求不断增加；同时，LED在制作装饰灯等特殊应用时，也要求将LED制成曲面发光光源。
现有的曲面光源和曲面显像LED设备均使用全柔性基板进行封装，即，将全柔性基板在与LED芯片进行焊接封装。
现有的全柔性基底在进行反复弯折后不可避免的发生开焊或LED芯片损坏，从而引起LED芯片接触不良或死灯，无法满足曲面显像与曲面照明领域的使用要求。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种导电半柔性LED基板，用于封装LED芯片，基板与LED芯片不易开焊，满足曲面显像与曲面照明的要求。
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种导电半柔性LED基板的制作方法，操作简单，成本低。
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种LED器件，采用导电半柔性LED基板，满足曲面显像与曲面照明的要求。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种导电半柔性LED基板，包括：
柔性层；
设置在柔性层上的电路；
设置在电路上的固晶区域；
设置在固晶区域上，用于焊接LED芯片的锡膏层；
位于柔性层背面，并设置在锡膏层正下方的刚性层。
作为上述方案的改进，所述刚性层的面积大于LED芯片的面积，并小于柔性层的面积。
作为上述方案的改进，所述刚性层的厚度大于1mm。
作为上述方案的改进，所述刚性层由聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺和聚四氟乙烯制成。
作为上述方案的改进，所述柔性层的厚度为0.01-0.1mm。
作为上述方案的改进，所述柔性层由聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺和聚四氟乙烯制成。
作为上述方案的改进，所述电路为延压电路、蚀刻电路或镀铜电路。
作为上述方案的改进，所述锡膏层由Au、Sn、Ag和Cu在一种或几种制成。
相应地，本发明还提供了一种导电半柔性LED基板的制作方法，包括：
提供柔性层；
在柔性层表面制作电路；
在电路表面设置固晶区域；
在固晶区域表面形成锡膏层，其中，锡膏层用于焊接LED芯片；
在柔性层背面形成刚性层，且所述刚性层位于锡膏层的正下方。
相应地，本发明还提供了一种导电半柔性LED基板的制作方法，包括上述任一项导电半柔性LED基板和LED芯片，其中，LED芯片焊接在锡膏层上。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明提供了一种导电半柔性LED基板，在柔性层的背面和锡膏层的正下方设置一层刚性层，用于保护焊接在锡膏层上的LED芯片，降低LED芯片与基板开焊的几率，减少LED芯片损伤，从而提高了LED器件的可靠性，同时满足市场对曲面照明和曲面显像的需求。
附图说明
图1是本发明导电半柔性LED基板的结构示意图；
图2是本发明导电半柔性LED基板的制作流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
参见图1，本发明提供了一种导电半柔性LED基板，包括：柔性层1、电路2、固晶区域、锡膏层3和刚性层4。
柔性层1作为基板的底层，需要在其上形成电路等结构，起着承重的作用，此外，为了可进行弯曲，柔性层1的厚度优选为0.01-0.1mm。当柔性层1的厚度小于0.01mm时，柔性层1容易被弯折，导致LED芯片与基板发生开焊或损坏LED芯片。当柔性层1的厚度大于1mm时，不仅增加成本，还降低柔性层的弯折角度。其中，柔性层1上需要制作电路1，因此，柔性层1必须由绝缘材料制成。优选的，柔性层1由聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺和聚四氟乙烯制成。
所述电路2设置在柔性层1的表面。其中，电路2用于控制LED芯片，本申请对电路2的结构不作具体限定，具体根据实际要求。优选的，电路2为延压电路、蚀刻电路或镀铜电路。
所述电路2上设有固晶区域。其中，固晶区域是与LED芯片形成连接的区域。此外，电路2上还设有非固晶区域。
所述锡膏层3设置在固晶区域上，用于焊接LED芯片。其中，锡膏层3由金属制成，主要将LED芯片固定固晶区域上，并与电路2形成导电连接。优选的，锡膏层3由Au、Sn、Ag和Cu在一种或几种制成。
所述刚性层4设置在柔性层1的背面，并位于在锡膏层3正下方。其中，刚性层4只是将连续可弯折的柔性层1间断开来，使得柔性层1不可连接弯折，但不影响整体基板的弯折。而刚性层4设置在锡膏层3的正下方，用于保护焊接在锡膏层3上的LED芯片。具体的，在基板弯折的时候，由于刚性层4不弯折，因此，LED芯片能够与位于刚性层4正上方的锡膏层3紧密焊接在一起，而不会应为基板弯折而发生开焊或损坏LED芯片，从而提高了LED器件的可靠性，同时满足市场对曲面照明和曲面显像的需求。
为了降低LED芯片与基板发生开焊的几率，减少LED芯片的损坏，刚性层4的面积大于LED芯片的面积，并小于柔性层1的面积。优选的，刚性层4的厚度大于1mm。由于刚性层4的面积小，当刚性层4的厚度小于1mm时，刚性层4会随着基板的弯折而弯折，因此不能保护LED芯片。本申请不对刚性层4厚度的上限作具体的限定，根据不同应用领域的需要，刚性层4的厚度根据实际要求进行设计。
LED芯片焊接在锡膏层3上时，焊接的温度高达280℃，为了保证刚性层4不发生变形，刚性层4优选由聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺和聚四氟乙烯制成。在本申请的其他实施例中，刚性层4还可以由耐高温的绝缘材料制成。
图2是本发明一种导电半柔性LED基板的制作流程图，本发明的一种导电半柔性LED基板的制作方法，包括以下步骤：
S101：提供柔性层。
柔性层作为基板的底层，需要在其上形成电路等结构，起着承重的作用，此外，为了可进行弯曲，柔性层的厚度优选为0.01-0.1mm。当柔性层的厚度小于0.01mm时，柔性层容易被弯折，导致LED芯片与基板发生开焊或损坏LED芯片。当柔性层的厚度大于1mm时，不仅增加成本，还降低柔性层的弯折角度。其中，柔性层上需要制作电路1，因此，柔性层必须由绝缘材料制成。优选的，柔性层由聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺和聚四氟乙烯制成。
S102：在柔性层表面制作电路。
所述电路设置在柔性层的表面。其中，电路用于控制LED芯片，本申请对电路的结构不作具体限定，具体根据实际要求。优选的，电路为延压电路、蚀刻电路或镀铜电路。
S103：在电路表面设置固晶区域。
固晶区域是与LED芯片形成连接的区域。此外，电路上还设有非固晶区域。
S104：在固晶区域表面形成锡膏层，其中，锡膏层用于焊接LED芯片。
所述锡膏层设置在固晶区域上，用于焊接LED芯片。其中，锡膏层由金属制成，主要将LED芯片固定固晶区域上，并与电路形成导电连接。优选的，锡膏层由Au、Sn、Ag和Cu在一种或几种制成。
S105：在柔性层背面形成刚性层，且所述刚性层位于锡膏层的正下方。
所述刚性层设置在柔性层的背面，并位于在锡膏层正下方。其中，刚性层只是将连续可弯折的柔性层间断开来，使得柔性层不可连接弯折，但不影响整体基板的弯折。而刚性层设置在锡膏层的正下方，用于保护焊接在锡膏层上的LED芯片。具体的，在基板弯折的时候，由于刚性层不弯折，因此，LED芯片能够与位于刚性层正上方的锡膏层紧密焊接在一起，而不会应为基板弯折而发生开焊或损坏LED芯片，从而提高了LED器件的可靠性，同时满足市场对曲面照明和曲面显像的需求。
为了降低LED芯片与基板发生开焊的几率，减少LED芯片的损坏，刚性层的面积大于LED芯片的面积，并小于柔性层的面积。优选的，刚性层的厚度大于1mm。由于刚性层的面积小，当刚性层的厚度小于1mm时，刚性层会随着基板的弯折而弯折，因此不能保护LED芯片。本申请不对刚性层厚度的上限作具体的限定，根据不同应用领域的需要，刚性层的厚度根据实际要求进行设计。
LED芯片焊接在锡膏层上时，焊接的温度高达280℃，为了保证刚性层不发生变形，刚性层优选由聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺和聚四氟乙烯制成。在本申请的其他实施例中，刚性层还可以由耐高温的绝缘材料制成。
本发明还提供了一种LED器件，包括上述任一项导电半柔性LED基板和LED芯片，其中，LED芯片焊接在锡膏层上。
下面以具体实施例来进一步阐述本发明
实施例1
一种LED器件，包括导电半柔性LED基板和倒装LED芯片，导电半柔性LED基板包括柔性层、设置在柔性层上的电路、设置在电路上的固晶区域、设置在固定区域上的锡膏层和刚性层，所述LED芯片设置在锡膏层上，其中，柔性层的厚度为0.1mm，电路为延压电路，刚性层设置在柔性层的背面，且位于锡膏层的正下方，所述刚性层的面积大于LED芯片面积1％，刚性层的厚度为1mm。
实施例2
一种LED器件，包括导电半柔性LED基板和倒装LED芯片，导电半柔性LED基板包括柔性层、设置在柔性层上的电路、设置在电路上的固晶区域、设置在固定区域上的锡膏层和刚性层，所述LED芯片设置在锡膏层上，其中，柔性层的厚度为0.3mm，电路为蚀刻电路，刚性层设置在柔性层的背面，且位于锡膏层的正下方，所述刚性层的面积大于LED芯片面积1.5％，刚性层的厚度为1.8mm。
实施例3
一种LED器件，包括导电半柔性LED基板和倒装LED芯片，导电半柔性LED基板包括柔性层、设置在柔性层上的电路、设置在电路上的固晶区域、设置在固定区域上的锡膏层和刚性层，所述LED芯片设置在锡膏层上，其中，柔性层的厚度为0.6mm，电路为镀铜电路，刚性层设置在柔性层的背面，且位于锡膏层的正下方，所述刚性层的面积大于LED芯片面积2％，刚性层的厚度为2.5mm。
实施例4
一种LED器件，包括导电半柔性LED基板和倒装LED芯片，导电半柔性LED基板包括柔性层、设置在柔性层上的电路、设置在电路上的固晶区域、设置在固定区域上的锡膏层和刚性层，所述LED芯片设置在锡膏层上，其中，柔性层的厚度为0.8mm，电路为镀铜电路，刚性层设置在柔性层的背面，且位于锡膏层的正下方，所述刚性层的面积大于LED芯片面积2.5％，刚性层的厚度为3mm。
对比例1
一种LED器件，包括柔性基板和倒装LED芯片，其中，倒装LED芯片焊接在柔性基板上。
选取实施例1-4和对比例1的LED器件各100个进行测试，测试内容为：将LED器件连续进行100次弯折，弯折角度为30度。结果如下：
从上表可知，与现有的柔性基板相比，本发明的导电半柔性LED基板，即可满足曲面显像与曲面照明的要求，又保证LED器件的良率，提高LED器件的可靠性。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。